CN207304529U - 一种可调式信号发射器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种可调式信号发射器,包括发射器本体,发射器本体为长方体结构,发射器本体一端设有信号发射头,另一端设有接口,发射器本体表面设置信号强弱指示灯,发射器本体内腔设有主控板,主控板上设有CPU、信号采集模块、噪音屏蔽模块和信号调节输出模块,本实用新型结构原理简单,抗干扰能力强,具有屏蔽噪音的功能,同时能够调节信号发射的强弱。
Description
技术领域
本实用新型涉及信号发射器技术领域,具体为一种可调式信号发射器。
背景技术
目前,信号发射装置一般仅仅采用信号发射模块,这样使得电子设备的稳定性能降低,效率下降,而且外界噪音容易干扰信号质量,且发射的信号不可调,导致耗电量大。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可调式信号发射器,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种可调式信号发射器,包括发射器本体,所述发射器本体为长方体结构,所述发射器本体一端设有信号发射头,另一端设有接口,所述发射器本体表面设置信号强弱指示灯,所述发射器本体内腔设有主控板,所述主控板上设有CPU、信号采集模块、噪音屏蔽模块和信号调节输出模块,所述信号采集模块通过噪音屏蔽模块连接CPU,所述CPU连接信号调节输出模块。
优选的,所述噪音屏蔽模块包括运算放大器、三极管A、三极管B、三极管C和三极管D,所述运算放大器正极输入端连接电阻C一端,负极输入端分别连接电容A一端、电阻A一端、电阻B一端、电阻D一端和电容B一端,电阻D另一端连接电容B另一端并接地,输出端分别连接电阻B另一端、电容A另一端和三极管A基极,所述三极管A发射极接地,集电极分别连接电阻E一端、电阻F一端和电容E一端,电容E另一端接地,电阻F另一端连接三极管B基极,三极管B发射极分别连接电阻I一端和三极管C基极,电阻I另一端接地,所述三极管B集电极连接电阻G一端;所述三极管C集电极分别连接电阻H一端、电阻J一端,电阻J另一端接地,所述三极管C发射极连接电阻K一端,电阻K另一端连接三极管D基极,三极管D集电极接地,发射极分别连接电容G一端、电容F一端和电阻M一端,电容F另一端连接电阻L一端并接地,电阻L另一端分别连接电阻M另一端、电容D一端,电容D另一端连接电容C一端,电容C另一端连接电阻C另一端。
优选的,所述信号调节输出模块包括第一PMOS管、第二PMOS管和NMOS管,所述第一PMOS管栅极分别连接NMOS管栅极、第二PMOS管栅极,所述第一PMOS管漏极连接电阻N一端,电阻N另一端分别连接三极管E基极、电阻Q一端,所述三极管E发射极连接电阻R一端,电阻R另一端连接电阻Q另一端并接地,三极管E集电极分别连接电阻O一端、电阻P一端,电阻O另一端连接第二PMOS管漏极,第二PMOS管源极连接第一PMOS管源极、电容H一端、三极管F集电极;所述三极管F基极分别连接电容H另一端、电阻P另一端、电阻S一端和NMOS管源极,三极管F发射极连接NMOS管漏极,所述电阻S另一端接地。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结构原理简单,抗干扰能力强,其中,采用的噪音屏蔽模块具有屏蔽噪音的功能,能够滤除高频杂波对运算放大器的干扰,提高了信号的采集效率;此外,采用的信号调节输出模块功耗小,能够有效的调节信号发射的强弱。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型控制原理框图;
图3为本实用新型噪音屏蔽模块原理图;
图4为本实用新型信号调节输出模块原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4,本实用新型提供一种技术方案:一种可调式信号发射器,包括发射器本体1,所述发射器本体1为长方体结构,所述发射器本体1一端设有信号发射头2,另一端设有接口3,所述发射器本体1表面设置信号强弱指示灯4,所述发射器本体1内腔设有主控板5,所述主控板5上设有CPU6、信号采集模块7、噪音屏蔽模块8和信号调节输出模块9,所述信号采集模块7通过噪音屏蔽模块8连接CPU6,所述CPU6连接信号调节输出模块9。
本实用新型中,噪音屏蔽模块8包括运算放大器10、三极管A1c、三极管B2c、三极管C3c和三极管D4c,所述运算放大器10正极输入端连接电阻C3a一端,负极输入端分别连接电容A1b一端、电阻A1a一端、电阻B2a一端、电阻D4a一端和电容B2b一端,电阻D4a另一端连接电容B2b另一端并接地,输出端分别连接电阻B2a另一端、电容A1b另一端和三极管A1c基极,所述三极管A1c发射极接地,集电极分别连接电阻E5a一端、电阻F6a一端和电容E5b一端,电容E5b另一端接地,电阻F6a另一端连接三极管B2c基极,三极管B2c发射极分别连接电阻I9a一端和三极管C3c基极,电阻I9a另一端接地,所述三极管B2c集电极连接电阻G7a一端;所述三极管C3c集电极分别连接电阻H8a一端、电阻J10a一端,电阻J10a另一端接地,所述三极管C3c发射极连接电阻K11a一端,电阻K11a另一端连接三极管D4c基极,三极管D4c集电极接地,发射极分别连接电容G7b一端、电容F6b一端和电阻M13a一端,电容F6b另一端连接电阻L12a一端并接地,电阻L12a另一端分别连接电阻M13a另一端、电容D4b一端,电容D4b另一端连接电容C3b一端,电容C3b另一端连接电阻C3a另一端。当运算放大器负反馈端低于正反馈端的参考电压时,则输出为高电平,三极管A1c发射极正偏,集电极正偏,使工作处于饱和状态。电容E5b通过三极管A1c的电容E5b通道放电,当电容E5b的电源低于使三极管B2c导通的电压时则三极管B2c截止,三极管B2c的发射极变成低电平,三极管C3c的发射极正偏,从而使三极管C3c工作于饱和导通状态,三极管D4c也是发射极正偏,集电极正偏而工作于饱和导通状态,使噪音无法再通过电容G7b传输到后级放大器中,达到了屏蔽噪音的功能。
本实用新型中,信号调节输出模块9包括第一PMOS管11、第二PMOS管12和NMOS管13,所述第一PMOS管11栅极分别连接NMOS管13栅极、第二PMOS管12栅极,所述第一PMOS管11漏极连接电阻N14a一端,电阻N14a另一端分别连接三极管E5c基极、电阻Q17a一端,所述三极管E5c发射极连接电阻R18a一端,电阻R18a另一端连接电阻Q17a另一端并接地,三极管E5c集电极分别连接电阻O15a一端、电阻P16a一端,电阻O15a另一端连接第二PMOS管12漏极,第二PMOS管12源极连接第一PMOS管11源极、电容H8b一端、三极管F6c集电极;所述三极管F6c基极分别连接电容H8b另一端、电阻P16a另一端、电阻S19a一端和NMOS管源极,三极管F6c发射极连接NMOS管13漏极,所述电阻S19a另一端接地。
本实用新型结构原理简单,抗干扰能力强,其中,采用的噪音屏蔽模块具有屏蔽噪音的功能,能够滤除高频杂波对运算放大器的干扰,提高了信号的采集效率;此外,采用的信号调节输出模块功耗小,能够有效的调节信号发射的强弱。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (3)
1.一种可调式信号发射器,包括发射器本体(1),其特征在于:所述发射器本体(1)为长方体结构,所述发射器本体(1)一端设有信号发射头(2),另一端设有接口(3),所述发射器本体(1)表面设置信号强弱指示灯(4),所述发射器本体(1)内腔设有主控板(5),所述主控板(5)上设有CPU(6)、信号采集模块(7)、噪音屏蔽模块(8)和信号调节输出模块(9),所述信号采集模块(7)通过噪音屏蔽模块(8)连接CPU(6),所述CPU(6)连接信号调节输出模块(9)。
2.根据权利要求1所述的一种可调式信号发射器,其特征在于:所述噪音屏蔽模块(8)包括运算放大器(10)、三极管A(1c)、三极管B(2c)、三极管C(3c)和三极管D(4c),所述运算放大器(10)正极输入端连接电阻C(3a)一端,负极输入端分别连接电容A(1b)一端、电阻A(1a)一端、电阻B(2a)一端、电阻D(4a)一端和电容B(2b)一端,电阻D(4a)另一端连接电容B(2b)另一端并接地,输出端分别连接电阻B(2a)另一端、电容A(1b)另一端和三极管A(1c)基极,所述三极管A(1c)发射极接地,集电极分别连接电阻E(5a)一端、电阻F(6a)一端和电容E(5b)一端,电容E(5b)另一端接地,电阻F(6a)另一端连接三极管B(2c)基极,三极管B(2c)发射极分别连接电阻I(9a)一端和三极管C(3c)基极,电阻I(9a)另一端接地,所述三极管B(2c)集电极连接电阻G(7a)一端;所述三极管C(3c)集电极分别连接电阻H(8a)一端、电阻J(10a)一端,电阻J(10a)另一端接地,所述三极管C(3c)发射极连接电阻K(11a)一端,电阻K(11a)另一端连接三极管D(4c)基极,三极管D(4c)集电极接地,发射极分别连接电容G(7b)一端、电容F(6b)一端和电阻M(13a)一端,电容F(6b)另一端连接电阻L(12a)一端并接地,电阻L(12a)另一端分别连接电阻M(13a)另一端、电容D(4b)一端,电容D(4b)另一端连接电容C(3b)一端,电容C(3b)另一端连接电阻C(3a)另一端。
3.根据权利要求1所述的一种可调式信号发射器,其特征在于:所述信号调节输出模块(9)包括第一PMOS管(11)、第二PMOS管(12)和NMOS管(13),所述第一PMOS管(11)栅极分别连接NMOS管(13)栅极、第二PMOS管(12)栅极,所述第一PMOS管(11)漏极连接电阻N(14a)一端,电阻N(14a)另一端分别连接三极管E(5c)基极、电阻Q(17a)一端,所述三极管E(5c)发射极连接电阻R(18a)一端,电阻R(18a)另一端连接电阻Q(17a)另一端并接地,三极管E(5c)集电极分别连接电阻O(15a)一端、电阻P(16a)一端,电阻O(15a)另一端连接第二PMOS管(12)漏极,第二PMOS管(12)源极连接第一PMOS管(11)源极、电容H(8b)一端、三极管F(6c)集电极;所述三极管F(6c)基极分别连接电容H(8b)另一端、电阻P(16a)另一端、电阻S(19a)一端和NMOS管(13)源极,三极管F(6c)发射极连接NMOS管(13)漏极,所述电阻S(19a)另一端接地。
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