CN207264237U - 一种GaN芯片TGA2216‑SM的可调降压电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种GaN芯片TGA2216‑SM的可调降压电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和运算放大器；第一电阻一端与芯片漏电压端相连，另一端与第二电阻的一端和第四电阻的一端相连，第二电阻的另一端接地，第四电阻的另一端与运算放大器同相输入端相连，第三电阻一端与参考电压端相连，另一端与运算放大器的反相输入端相连，第五电阻一端与运算放大器的同相输入端相连，另一端接地，第六电阻一端与运算放大器反相输入端相连，另一端与运算放大器的输出端相连，运算放大器的输出端与芯片正栅电压端相连。本实用新型通过分压和做差电路实现芯片的漏压与正栅压的关系，电路结构简单，易于实现。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，属于微波通信技术领域。
背景技术
GaN芯片TGA2216-SM是用于0.1～3GHz的功放芯片，典型小信号增益为21dB，饱和输出功率为40dBm。现有GaN芯片TGA2216-SM的供电电路中漏电为固定+40V，正栅压为+17.3V，负栅压为-2.5V。根据需要，TGA2216-SM可降额使用，即降低漏电电压用来降低输出功率使用。降压使用时，负栅压为典型值，在降低漏压时，可不改变，但漏电+40V与正栅压需独立控制，分开供电。
实用新型内容
发明目的：本实用新型目的在于提供一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，实现TGA2216-SM的降额使用情况下，漏电压与正栅压同时供电。
技术方案：为实现上目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和运算放大器；所述第一电阻一端与所述芯片TGA2216-SM的漏电压端相连，另一端分别与所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地，所述第四电阻的另一端与所述运算放大器的同相输入端相连，所述第三电阻一端与参考电压端相连，另一端与所述运算放大器的反相输入端相连，所述第五电阻一端与所述运算放大器的同相输入端相连，另一端接地，所述第六电阻一端与所述运算放大器的反相输入端相连，另一端与所述运算放大器的输出端相连，所述运算放大器的输出端与所述芯片TGA2216-SM的正栅电压端相连。
作为优选，所述第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻的阻值相等。
作为优选，所述第一电阻和第二电阻之间的电压为所述芯片TGA2216-SM的漏电压的一半。
作为优选，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻的阻值为千欧级阻值。
作为优选，所述运算放大器采用型号为AD820AR的芯片。
作为优选，所述第一电阻的阻值为12KΩ，第二电阻的阻值为100KΩ，第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻的阻值为6.8K。
作为优选，所述参考电压为2.7V。
作为优选，所述运算放大器采用+20V高压供电。
有益效果：本实用新型通过分压电路和做差运放电路实现了GaN芯片TGA2216-SM的漏压VD与正栅压VG电压值满足的关系，在根据需要进行降额使用时，只需改变VD的电压值，VG会根据关系式作出相应改变。电路结构简单，易于实现。
附图说明
图1为本实用新型实施例的电路结构图。
图2为本实用新型实施例中的VD与VG关系图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本实用新型。
如图1所示，本实用新型实施例公开的一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和运算放大器；R1一端与芯片TGA2216-SM的漏电压端(VD)相连，另一端分别与R2的一端和R4的一端相连，R2的另一端接地，R4阻的另一端与运算放大器的同相输入端相连，R3一端与参考电压端(Vref)相连，另一端与运算放大器的反相输入端相连，R5一端与运算放大器的同相输入端相连，另一端接地，R6一端与运算放大器的反相输入端相连，另一端与运算放大器的输出端相连，运算放大器的输出端与芯片TGA2216-SM的正栅电压端(VG)相连。
本实施例的电路通过R1和R2进行电阻分压，得到D/2，然后再通过运算放大器实现作差运算，实现GaN芯片TGA2216-SM的漏压VD与正栅压VG电压值的关系VG＝VD/2-Vref，两者的关系折线图如图2所示。
考虑到电阻功耗以及减小温度变化引起阻值变化对电路的影响，电阻值均选择千欧级，优选地，R1阻值为12KΩ，R2阻值为100KΩ，R3、R4、R5、R3的阻值均为6.8KΩ，能够满足上述关系式VG＝VD/2-Vref，Vref为固定值2.7V。本例中运算放大器使用型号为AD820AR的芯片，采用+20V高压供电，从而保证VG的输出范围。
Claims (8)
1.一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和运算放大器；所述第一电阻一端与所述芯片TGA2216-SM的漏电压端相连，另一端分别与所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地，所述第四电阻的另一端与所述运算放大器的同相输入端相连，所述第三电阻一端与参考电压端相连，另一端与所述运算放大器的反相输入端相连，所述第五电阻一端与所述运算放大器的同相输入端相连，另一端接地，所述第六电阻一端与所述运算放大器的反相输入端相连，另一端与所述运算放大器的输出端相连，所述运算放大器的输出端与所述芯片TGA2216-SM的正栅电压端相连。
2.根据权利要求1所述的一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，其特征在于，所述第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻的阻值相等。
3.根据权利要求1所述的一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻之间的电压为所述芯片TGA2216-SM的漏电压的一半。
4.根据权利要求1所述的一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，其特征在于，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻的阻值为千欧级阻值。
5.根据权利要求1所述的一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，其特征在于，所述运算放大器采用型号为AD820AR的芯片。
6.根据权利要求1所述的一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为12KΩ， 第二电阻的阻值为100KΩ，第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻的阻值为6.8K。
7.根据权利要求1所述的一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，其特征在于，所述参考电压为2.7V。
8.根据权利要求1所述的一种GaN芯片TGA2216-SM的可调降压电路，其特征在于，所述运算放大器采用+20V高压供电。
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| CN201721304395.XU CN207264237U (zh) | 2017-10-10 | 2017-10-10 | 一种GaN芯片TGA2216‑SM的可调降压电路 |
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| CN207264237U true CN207264237U (zh) | 2018-04-20 |
Family
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| CN201721304395.XU Active CN207264237U (zh) | 2017-10-10 | 2017-10-10 | 一种GaN芯片TGA2216‑SM的可调降压电路 |
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| CN (1) | CN207264237U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107505973A (zh) * | 2017-10-10 | 2017-12-22 | 南京冉思电子科技有限公司 | 一种GaN芯片TGA2216‑SM的可调降压电路 |
| CN110449694A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-11-15 | 华能国际电力股份有限公司 | 一种tig焊弧长闭环控制电路 |
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2017
- 2017-10-10 CN CN201721304395.XU patent/CN207264237U/zh active Active
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