CN207184318U

CN207184318U - 多功能拓展保护电路

Info

Publication number: CN207184318U
Application number: CN201721078305.XU
Authority: CN
Inventors: 林延军
Original assignee: Zhejiang kaiyao Lighting Co Ltd
Current assignee: Zhejiang kaiyao Lighting Co Ltd
Priority date: 2017-08-25
Filing date: 2017-08-25
Publication date: 2018-04-03
Anticipated expiration: 2027-08-25

Abstract

本实用新型公开了一种多功能拓展保护电路，包括低压保护电路、低压检测电路和分压电路；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52。本实用新型具有如下有益效果：本实用新型能够拓展多种功能，包括调光角度的最小深度、输入低压保护、输出过压保护等功能；通过低压检测电路和低压保护电路可以对芯片进行保护，提高电子供电设备安全性，延长电子供电设备使用寿命。

Description

多功能拓展保护电路

技术领域

本实用新型涉及电子供电设备保护技术领域，尤其是涉及一种能够拓展多种功能，可以提高电子供电设备安全性，能够延长电子供电设备使用寿命的多功能拓展保护电路。

背景技术

随着国家对节能产品的大力推广，电源、驱动器等电子供电设备在市场需求越来越大，同时国家对安全事故零容忍的态度，对电子供电设备的安全性提出了更高的要求。

随着LED照明市场的普及，各种芯片厂商都针对照明市场推出无数的控制芯片。但于很多非专业IC供应商，芯片价格往往做的很低，受到很多电源、驱动器制造商的欢迎。但于由非专业IC供应商，很多安全性的功能没有考虑在内，导致这些产品从某些应用上存在较大的安全隐患。其中输入低压不保护就具有一定的安全风险。如果这时没有保护功能，使输出功率下降，则对于电源线路中前级主回路中的保险丝、差模、共模电感以及整流二极管的损耗增加4倍以上，造成这些器件长期处于高损耗发热状态，严重时会造成共模线圈高温发红，将骨架热熔，并将PCB烧碳化，造成外壳热熔。如果这些元件是非阻燃材料，可能会造成火灾等严重安全事故。

实用新型内容

本实用新型为了克服现有技术中电子供电设备安全性能低，电压过低导致元器件损坏，造成使用寿命短的不足，提出了一种能够拓展多种功能，可以提高电子供电设备安全性，能够延长电子供电设备使用寿命的多功能拓展保护电路。

为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种多功能拓展保护电路，包括低压保护电路、低压检测电路和分压电路；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52；电阻RS54的一端分别与稳压二极管ZS51的负极、电容CS52、电容CS53、电阻RS56和电阻RS55A的一端电连接，电容CS52的另一端和稳压二极管ZS51的正极均接地，电阻RS55A的另一端与三极管QS52的发射极电连接，三极管QS52的集电极与电阻RS57的一端电连接，三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端均与低压检测电路电连接。

本实用新型通过低压检测电路检测输入电压，如果输入电压低于设定的电压时，三极管QS51导通，让电容CS53充电，形成电容两端压差，从而触发三极管QS52导通，产生一定的电压施加到控制芯片保护引脚或降低功率控制引脚上，从而实现低压保护。

作为优选，低压检测电路包括整流二极管DS51、电容CS51、电阻RS52A、电阻RS52B、三极管QS51和电阻RS53；整流二极管DS51的正极与分压电路电连接，整流二极管DS51的负极分别与电容CS51、电阻RS52A和电阻RS52B的一端电连接，电阻RS52B的另一端与三极管QS51的基极电连接，三极管QS51的发射极与电阻RS53的一端电连接，电阻RS53的另一端分别与三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端电连接，电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均与分压电路电连接。

作为优选，分压电路包括电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D；电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D依次电连接，整流二极管DS51的正极分别与电阻RS51C和电阻RS51D的一端电连接，电阻RS51D的另一端、电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均接地。

作为优选，低压保护电路还包括电阻RS55B和电容CS54，电阻RS55B的一端分别与电容CS54的一端、电阻RS55A的另一端和三极管QS52的发射极电连接，电阻RS55B的另一端和电容CS54的另一端均接地。

作为优选，还包括控制芯片，控制芯片与电阻RS57的另一端电连接。

作为优选，还包括PCB板，所有电阻、所有电容、所有二极管、所有控制芯片和所有三极管均位于PCB电路板上。

因此，本实用新型具有如下有益效果：（1）本实用新型能够拓展多种功能，包括调光角度的最小深度、输入低压保护、输出过压保护等功能；（2）通过低压检测电路和低压保护电路可以对芯片进行保护，提高电子供电设备安全性，延长电子供电设备使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型的一种电路图；

图2是本实用新型的实施例的一种电路图的左部；

图3是本实用新型的实施例的一种电路图的右部。

图中：低压保护电路1、低压检测电路2、分压电路3。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型做进一步描述：

如图1所示的一种多功能拓展保护电路，包括低压保护电路1、低压检测电路2和分压电路3；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52；电阻RS54的一端分别与稳压二极管ZS51的负极、电容CS52、电容CS53、电阻RS56和电阻RS55A的一端电连接，电容CS52的另一端和稳压二极管ZS51的正极均接地，电阻RS55A的另一端与三极管QS52的发射极电连接，三极管QS52的集电极与电阻RS57的一端电连接，三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端均与低压检测电路电连接；低压保护电路还包括电阻RS55B和电容CS54，电阻RS55B的一端分别与电容CS54的一端、电阻RS55A的另一端和三极管QS52的发射极电连接，电阻RS55B的另一端和电容CS54的另一端均接地。

其中，低压检测电路包括整流二极管DS51、电容CS51、电阻RS52A、电阻RS52B、三极管QS51和电阻RS53；整流二极管DS51的正极与分压电路电连接，整流二极管DS51的负极分别与电容CS51、电阻RS52A和电阻RS52B的一端电连接，电阻RS52B的另一端与三极管QS51的基极电连接，三极管QS51的发射极与电阻RS53的一端电连接，电阻RS53的另一端分别与三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端电连接，电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均与分压电路电连接。

其中，分压电路包括电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D；电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D依次电连接，整流二极管DS51的正极与电阻RS51C和电阻RS51D的一端电连接，电阻RS51D的另一端、电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均接地。

本实用新型的工作过程如下：

如图1、图2和图3所示的实施例，图2和图3中的电路通过FB端口与图1中的电路电连接。当接入电源后，交流电压AC经保险电阻F11、压敏电阻VD21、差模电感L11和电容C11再经全桥整流DS11、DS12、DS13和DS14形成正向半周脉动波，再经差模电感L21、供电电阻RS61A、RS61B和RS61C给VCC供电。当VCC电压达到控制芯片启动电压时，控制芯片通过RS31驱动三极管Q31导通截止交替工作，为初级电感L41A储能，并通过次级电感L41C将电能释放输出。高频交流电压经二极管D43整流后给电解电容C43充电，由于电解电容容量很大，形成稳定的直流电压，给负载供电，完成交流电压AC到直流电压DC的转换。

交流电源AC经整流桥整流为正向脉动半波，经VDC点由分压电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D分压检测，再由整流管DS51给电容CS51充电，并由电阻RS52A和三极管QS51进行放电。电阻RS51与电容CS51的充电时间常数比较短，在稳压二极管ZS51的基准点形成前约200ms完成充电过程，以防止延时造成误判。另一路由控制芯片的供电电压VCC端输出，通过限流电阻RS54向电容CS52充电，稳压二极管ZS51的稳定电压值作为充电电压的判断基准。由于三极管QS51处于截止状态，电阻RS53无电流通过，电容CS53和电阻RS56以及三极管QS52处于稳压二极管ZS51基准点，所以电路处于“浮地”状态，不工作。

输入电压100-240V正常时，电容CS51和电阻RS52A两端的电压最低约7.5V，比电容CS52和稳压二极管ZS51基准电压5.6V高出约2V左右，三极管QS51和三极管QS52都处于反压关闭状态，限流电阻RS57无电流经过。

输入电压低于动作电位80V时，电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C与电阻RS51D分压后经二极管DS51给电容CS51充电，充电电压为5V左右，低于VCC供给电容CS52和稳压二极管ZS51的基准电压5.6V，此时三极管QS51有导通条件，处于导通状态，通过电阻RS53将电容CS53的下端直接拉低至5V左右，导致电容CS53两端呈现约0.6V压差，三极管QS52有导通条件，处于导通状态，电流经电阻RS57给芯片控制脚FB提供触发电平，促使芯片处于保护工作状态，“打嗝”模式工作，输出功率降低于3W以内。

应理解，本实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

Claims

1.一种多功能拓展保护电路，其特征在于，包括低压保护电路（1）、低压检测电路（2）和分压电路（3）；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52；电阻RS54的一端分别与稳压二极管ZS51的负极、电容CS52、电容CS53、电阻RS56和电阻RS55A的一端电连接，电容CS52的另一端和稳压二极管ZS51的正极均接地，电阻RS55A的另一端与三极管QS52的发射极电连接，三极管QS52的集电极与电阻RS57的一端电连接，三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端均与低压检测电路电连接。

2.根据权利要求1所述的多功能拓展保护电路，其特征在于，所述低压检测电路包括整流二极管DS51、电容CS51、电阻RS52A、电阻RS52B、三极管QS51和电阻RS53；整流二极管DS51的正极与分压电路电连接，整流二极管DS51的负极分别与电容CS51、电阻RS52A和电阻RS52B的一端电连接，电阻RS52B的另一端与三极管QS51的基极电连接，三极管QS51的发射极与电阻RS53的一端电连接，电阻RS53的另一端分别与三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端电连接，电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均与分压电路电连接。

3.根据权利要求2所述的多功能拓展保护电路，其特征在于，分压电路包括电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D；电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D依次电连接，整流二极管DS51的正极分别与电阻RS51C和电阻RS51D的一端电连接，电阻RS51D的另一端、电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均接地。

4.根据权利要求1所述的多功能拓展保护电路，其特征在于，低压保护电路还包括电阻RS55B和电容CS54，电阻RS55B的一端分别与电容CS54的一端、电阻RS55A的另一端和三极管QS52的发射极电连接，电阻RS55B的另一端和电容CS54的另一端均接地。

5.根据权利要求1所述的多功能拓展保护电路，其特征在于，还包括控制芯片，控制芯片与电阻RS57的另一端电连接。

6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的多功能拓展保护电路，其特征在于，还包括PCB板，所有电阻、所有电容、所有二极管、所有控制芯片和所有三极管均位于PCB电路板上。