CN207181669U - 一种3mm微波宽带低噪声放大器 - Google Patents
一种3mm微波宽带低噪声放大器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型提供一种3mm微波宽带低噪声放大器,包括腔体,其特征在于所述腔体内载体上设置有:波导鳍线过渡到微带的转换、单片集成的两级低噪声放大电路、中间级宽带匹配电路以及低纹波的偏置电路。具有小型化、低噪声、大带宽、高增益、高可靠性、调试简便等优点,实现了毫米波低噪声放大器的高集成化。
Description
技术领域
本实用新型涉及微波通讯设备技术,特别是涉及一种3mm波的宽带低噪声放大器。
背景技术
目前,国外的3mm微波低噪声放大器多采用单片直接在3mm波段完成,而国内由于技术发展起步较慢,3mm低噪声放大器单片技术尚不成熟,因此,噪声偏大、功耗较高、增益较低。虽然一定程度上能够满足系统低噪声要求,但在灵敏度要求较高的无源探测、雷达成像、空间系统领域上则面临上述噪声偏大、增益不足、带宽较窄的难题。
随着无源探测成像、汽车防撞雷达、射电天文等技术领域的快速发展,对3mm波段的低噪声放大器要求更低的噪声、更高的增益、更低的功耗以及更宽的工作带宽,这促进了该频段低噪声放大器的快速发展。
然而,国内现有的毫米波低噪声放大器大多采用传统的波导微带探针过渡技术,该技术在3mm波段应用具有插损较大、同时宽带不能满足宽带的问题,由于过渡是在低噪声放大器芯片的前级使用,因此就会造成放大器的噪声系数较大。
这种基于传统的波导微带探针过渡技术的毫米波低噪声放大器,不但结构复杂,而且无法实现低噪声,高增益、大带宽的要求,因此已经无法适应对毫米波低噪声放大器要求更高集成化、更小体积、更高增益和带宽的技术发展趋势。
实用新型内容
针对现有技术中存在的缺陷和不足,本实用新型的目的在于
本实用新型的技术方案如下:
一种3mm微波宽带低噪声放大器,包括腔体,其特征在于所述腔体内载体上设置有:
波导鳍线过渡到微带的转换,前端接收的微波信号经由波导过渡到微带;
单片集成的两级低噪声放大电路,过渡到微带的微波信号经过两级级联设计的低噪声放大器芯片进行信号放大;
中间级宽带匹配电路,前级低噪声放大器芯片放大后的微波信号,经中间级宽带匹配电路匹配后进入后级低噪声放大器芯片进行放大;
低纹波的偏置电路,所述前级低噪声放大器芯片和后级低噪声放大器芯片之间设置有低纹波偏置电路。
可选的,所述腔体为分腔结构。
可选的,所述腔体结构还包括上盖板、下盖板,主腔体和罩体。
可选的,所述低噪声放大器芯片型号为gANZ0017。
本实用新型的技术效果在于:
本实用新型采用波导鳍线过渡、两级低噪声单片集成电路、中间级宽带匹配电路和低纹波偏置电路等技术。来自目标的回波信号,经天线接收,通过鳍线波导到微带的过渡、前级低噪声放大器、中间级宽带匹配电路和后级低噪声放大器放大后送出。
腔体的设计采用分腔技术,有效的解决了高增益带来的自激问题。
同时采用了低纹波电路偏置技术,有效抑制了偏置电路带给放大器噪声的影响。
综上所述,本实用新型的3mm低噪声放大器具有小型化、低噪声、大带宽、高增益、高可靠性、调试简便等优点,实现了毫米波低噪声放大器的高集成化。同时,分腔技术的使用,有效的解决了自激问题;宽带匹配电路的使用,有效解决了带宽过窄的问题。并且此项技术结构简单,易加工,成本较低,应用性较强,具有巨大的推广价值。
附图说明
图1所示为本实用新型的电路原理框图。
图2所示为本实用新型的鳍线波导到微带过渡的示意图。
图3所示为本实用新型的两级级联设计的低噪声放大器芯片电路原理图。
图4所示为本实用新型的中间级宽带匹配电路原理图。
图5a所示为本实用新型的低纹波的偏置电路原理图。
图5b所示为本实用新型的低纹波的偏置电路原理图。
图5c所示为本实用新型的低纹波的偏置电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步说明。
如图1所示为本实用新型的电路原理框图。
采用波导鳍线过渡、两级低噪声单片集成电路、中间级宽带匹配电路及低纹波偏置电路。
来自输入端的3mm微波信号,通过鳍线波导到微带的过渡、前级低噪声放大器、中间级宽带匹配电路,经后级低噪声放大器放大后送出。
图2所示为本实用新型的鳍线波导到微带过渡的示意图。
采用波导鳍线过渡到微带的转换形式,将接收的3mm波段信号经由波导过渡到微带,方便进一步进行放大处理。
图3所示为本实用新型的两级级联设计的低噪声放大电路原理图。
将过渡到微带的3mm微波信号经过两级低噪声放大器芯片进行放大。这里选用的放大器芯片型号为gANZ0017,两级进行级联设计。
图4所示为本实用新型的中间级宽带匹配电路原理图。
前级低噪声放大器芯片放大后的信号,经过中间级宽带匹配电路,匹配后的信号送入后级低噪声放大器芯片。该匹配电路具有大带宽,低插损等特点。
图5a、5b、5c为本实用新型的低纹波偏置电路原理图。
本实用新型采用了低纹波的偏置电路,用于抑制由于纹波不好给低噪声放大器芯片带来的噪声过大的问题。
Claims (4)
1.一种3mm微波宽带低噪声放大器,包括腔体,其特征在于所述腔体内载体上设置有:
波导鳍线过渡到微带的转换,前端接收的微波信号经由波导过渡到微带;
单片集成的两级低噪声放大电路,过渡到微带的微波信号经过两级级联设计的低噪声放大器芯片进行信号放大;
中间级宽带匹配电路,前级低噪声放大器芯片放大后的微波信号,经中间级宽带匹配电路匹配后进入后级低噪声放大器芯片进行放大;
低纹波的偏置电路,所述前级低噪声放大器芯片和后级低噪声放大器芯片之间设置有低纹波偏置电路。
2.如权利要求1所述的3mm微波宽带低噪声放大器,其特征在于:所述腔体为分腔结构。
3.如权利要求2所述的3mm微波宽带低噪声放大器,其特征在于:所述腔体结构还包括上盖板、下盖板,主腔体和罩体。
4.如权利要求3所述的3mm微波宽带低噪声放大器,其特征在于:所述低噪声放大器芯片型号为gANZ0017。
Priority Applications (1)
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CN201721136286.1U CN207181669U (zh) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 一种3mm微波宽带低噪声放大器 |
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CN201721136286.1U CN207181669U (zh) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 一种3mm微波宽带低噪声放大器 |
Publications (1)
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CN207181669U true CN207181669U (zh) | 2018-04-03 |
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ID=61742917
Family Applications (1)
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CN201721136286.1U Active CN207181669U (zh) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 一种3mm微波宽带低噪声放大器 |
Country Status (1)
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- 2017-09-06 CN CN201721136286.1U patent/CN207181669U/zh active Active
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