CN207074952U - 一种低待机功耗的阻容降压电路 - Google Patents

一种低待机功耗的阻容降压电路 Download PDF

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柴智
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Abstract

本实用新型提供一种低待机功耗的阻容降压电路，包括降压整流模块、5V的电源回路和继电器K1的线圈回路。本实用新型提供的低待机功耗的阻容降压电路，通过将控制负载的继电器K1线圈回路与给单片机供电的电源回路串联，有效利用了整个电源系统的电流，当负载不工作时又能降低电源系统的电压，从而起到降功耗的目的；本实用新型提供的低待机功耗的阻容降压电路，降低了阻容降压电路的待机功耗，同时简化了电路结构，减少了元器件的使用，降低了电路成本。

Description

一种低待机功耗的阻容降压电路
技术领域
本实用新型涉及阻容降压电路领域，特别涉及一种低待机功耗的阻容降压电路。
背景技术
针对当今世界对节能减排的社会性课题，对产品的待机功耗要求越来越高，欧盟提出了待机功耗小于0.5W的要求，这就大大增加了设计的难度，特别是低成本、低利润的小家电行业，要应对如此严苛的要求需要付出增加成本的代价，直接降低了产品的市场竞争力。
现有技术中，阻容降压电源回路的电流需要分两路分别给继电器回路和5V电源系统回路供电(如图1所示)，要求整个电源的电流比较大，并且待机时需要特别增加一路电源管理回路将24V电压降压到5V左右的电压，对单片机的I/0口也需要增加一个，以此降低整个电路的待机功耗；但该电路结构复杂，元器件多，不仅增加了电路的成本，同时也增加了设计的复杂性。
实用新型内容
为解决上述背景技术中提到的问题，本实用新型提供一种低待机功耗的阻容降压电路，由以下电路构成：稳压管ZD1阴极和电阻R1一端为交流输入端；电阻R1另一端、电阻R2一端均与电容C1一端连接；电阻R2另一端与电阻R3一端连接；电阻R3另一端、电容C1另一端、稳压管ZD1阳极均与二极管D1阴极连接；
稳压管ZD1阴极、电容C2阳极、继电器K1开关一端、继电器K1线圈一端、电阻R4一端、二极管D2阴极均与三极管Q2发射极连接；所述继电器K1开关另一端与负载连接；三极管Q2集电极、二极管D2阳极、电阻R4另一端、继电器K1线圈另一端均与电阻R5一端连接；电阻R5另一端、电容C3阳极、稳压管ZD2阴极、电容C4一端均与第一电源连接；三极管Q2基极与三极管Q1集电极之间连接有电阻R7；三极管Q1的基极与电阻R6一端连接；所述三极管Q1发射极接地；电阻R8一端与第一电源连接；所述电阻R8另一端与电阻R6另一端连接于单片机同一端口；所述二极管D1阳极、电容C2阴极、电容C3阴极、稳压管ZD2阳极和电容C4另一端均接地连接。
进一步地，所述继电器K1的型号为HF7520。
进一步地，所述三极管Q1为NPN型、三极管Q2为PNP型。
进一步地，二极管D2的型号为IN4148。
进一步地，所述稳压管ZD2的型号为IN4733。
进一步地，所述电容C2的参数为47μF/35V；电容C3的参数为100μF/10V、电容C4的电容值为0.1μF。
进一步地，电阻R4的阻值为3.9KΩ；电阻R5的阻值为100Ω；电阻R6的参数为3.3KΩ0805 5％；电阻R7的阻值为10KΩ；电阻R8参数为3.3KΩ0805 5％。
本实用新型提供的低待机功耗的阻容降压电路，通过将控制负载的继电器K1线圈回路与给单片机供电的电源回路串联，有效利用了整个电源系统的电流，当负载不工作时又能降低电源系统的电压，从而起到降功耗的目的；本实用新型提供的低待机功耗的阻容降压电路，降低了阻容降压电路的待机功耗，同时简化了电路结构，减少了元器件的使用，降低了电路成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有降低阻容降压电路待机功耗的电路图；
图2为本实用新型提供的低待机功耗的阻容降压电路图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
本实用新型实施例提供一种低待机功耗的阻容降压电路，由以下电路构成：稳压管ZD1阴极和电阻R1一端为交流输入端；电阻R1另一端、电阻R2一端均与电容C1一端连接；电阻R2另一端与电阻R3一端连接；电阻R3另一端、电容C1另一端、稳压管ZD1阳极均与二极管D1阴极连接；
稳压管ZD1阴极、电容C2阳极、继电器K1开关一端、继电器K1线圈一端、电阻R4一端、二极管D2阴极均与三极管Q2发射极连接；所述继电器K1开关另一端与负载连接；三极管Q2集电极、二极管D2阳极、电阻R4另一端、继电器K1线圈另一端均与电阻R5一端连接；电阻R5另一端、电容C3阳极、稳压管ZD2阴极、电容C4一端均与第一电源连接；三极管Q2基极与三极管Q1集电极之间连接有电阻R7；三极管Q1的基极与电阻R6一端连接；所述三极管Q1发射极接地；电阻R8一端与第一电源连接；所述电阻R8另一端与电阻R6另一端连接于单片机同一端口；所述二极管D1阳极、电容C2阴极、电容C3阴极、稳压管ZD2阳极和电容C4另一端均接地连接。
具体实施时，如图2所示，稳压管ZD1阴极和电阻R1一端为交流输入端，连接230AC电源；电阻R1另一端、电阻R2一端均与电容C1一端连接；电阻R2另一端与电阻R3一端连接；电阻R3另一端、电容C1另一端、稳压管ZD1阳极均与二极管D1阴极连接；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、二极管D1和稳压管ZD1构成降压整流模块；
稳压管ZD1阴极、电容C2阳极、继电器K1开关一端、继电器K1线圈一端、电阻R4一端、二极管D2阴极均与三极管Q2发射极连接；二极管D2的作用是给继电器K1释放时续流用；继电器K1开关另一端与负载连接；三极管Q2集电极、二极管D2阳极、电阻R4另一端、继电器K1线圈另一端均与电阻R5一端连接；电阻R5另一端、电容C3阳极、稳压管ZD2阴极、电容C4一端均与第一电源连接；三极管Q2基极与三极管Q1集电极之间连接有电阻R7；三极管Q1的基极与电阻R6一端连接；三极管Q1发射极接地；电阻R8一端与第一电源连接；电阻R8另一端与电阻R6另一端连接于单片机同一端口；二极管D1阳极、电容C2阴极、电容C3阴极、稳压管ZD2阳极和电容C4另一端均接地连接；电容C3、电容C4和稳压管ZD2构成5V的电源回路；电阻R4、二极管D2、三极管Q1、三极管Q2、电阻R6、电阻R7和电阻R8构成继电器K1的线圈回路；
第一电源为+5V电源；三极管Q1的型号为MMBT5551、三极管Q2的型号为MMBT5401；
上述电路通过将继电器K1的线圈回路与5V的电源回路串联，有效的利用了整个回路的电流，降低了对电源回路电流的需求；并且当电路待机时,继电器K1要释放开，所以继电器K1线圈两端的压差要小于3.6V以下；通过单片机I/O口控制三极管Q1导通，进而控制三极管Q2导通，三极管Q2导通后继电器K1线圈两端的电压几乎为0V，相当于短接，继电器K1线圈两端无电压，从而使继电器K1触点释放开；整个回路的电压将降低至VDD＝V(R5)+5V,由于电源电流很小，一般只有15mA左右，所以V(R5)也很小，因此整个电源回路的待机功耗大大降低；另一方面，上述电路与单片机只需一个I/O(REL)口，与现有技术(图1所示)的两个I/O(Relay和JO NOPOWER)口相比，结构更加简单、实用。
本实用新型提供的低待机功耗的阻容降压电路，通过将控制负载的继电器K1线圈回路与给单片机供电的电源回路串联，有效利用了整个电源系统的电流，当负载不工作时又能降低电源系统的电压，从而起到降功耗的目的；本实用新型提供的低待机功耗的阻容降压电路，降低了阻容降压电路的待机功耗，同时简化了电路结构，减少了元器件的使用，降低了电路成本。
优选地，所述继电器K1的型号为HF7520。
优选地，所述三极管Q1为NPN型、三极管Q2为PNP型。
优选地，二极管D2的型号为IN4148。
优选地，所述稳压管ZD2的型号为IN4733。
优选地，所述电容C2的参数为47μF/35V；电容C3的参数为100μF/10V、电容C4的电容值为0.1μF。
优选地，电阻R4的阻值为3.9KΩ；电阻R5的阻值为100Ω；电阻R6的参数为3.3KΩ0805 5％；电阻R7的阻值为10KΩ；电阻R8参数为3.3KΩ08055％。
尽管本文中较多的使用了诸如电阻、电容、二极管、三极管、稳压管、继电器、单片机等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于，由以下电路构成：稳压管ZD1阴极和电阻R1一端为交流输入端；电阻R1另一端、电阻R2一端均与电容C1一端连接；电阻R2另一端与电阻R3一端连接；电阻R3另一端、电容C1另一端、稳压管ZD1阳极均与二极管D1阴极连接；
稳压管ZD1阴极、电容C2阳极、继电器K1开关一端、继电器K1线圈一端、电阻R4一端、二极管D2阴极均与三极管Q2发射极连接；所述继电器K1开关另一端与负载连接；三极管Q2集电极、二极管D2阳极、电阻R4另一端、继电器K1线圈另一端均与电阻R5一端连接；电阻R5另一端、电容C3阳极、稳压管ZD2阴极、电容C4一端均与第一电源连接；三极管Q2基极与三极管Q1集电极之间连接有电阻R7；三极管Q1的基极与电阻R6一端连接；所述三极管Q1发射极接地；电阻R8一端与第一电源连接；所述电阻R8另一端与电阻R6另一端连接于单片机同一端口；所述二极管D1阳极、电容C2阴极、电容C3阴极、稳压管ZD2阳极和电容C4另一端均接地连接。
2.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：所述继电器K1的型号为HF7520。
3.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：所述三极管Q1为NPN型、三极管Q2为PNP型。
4.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：二极管D2的型号为IN4148。
5.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：所述稳压管ZD2的型号为IN4733。
6.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：所述电容C2的参数为47μF/35V；电容C3的参数为100μF/10V、电容C4的电容值为0.1μF。
7.根据权利要求1-6任一项所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：电阻R4的阻值为3.9KΩ；电阻R5的阻值为100Ω；电阻R6的参数为3.3KΩ 0805 5％；电阻R7的阻值为10KΩ；电阻R8参数为3.3KΩ 0805 5％。
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CN111508775A (zh) * 2020-03-17 2020-08-07 厦门芯阳科技股份有限公司 一种串联式继电器驱动电路及驱动方法
CN114384843B (zh) * 2021-12-31 2024-03-29 厦门芯阳科技股份有限公司 一种带有唤醒和检测功能的电路及电子设备

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