CN206977025U - 一种led的欠压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种LED的欠压保护电路，包括电阻R1～R4、稳压二极管D5、二极管D6、第一三极管Q1和第二三极管Q2、以及可控硅开关S；第一三极管Q1的基极分别与稳压二极管D5的正端和电阻R1的一端连接，第一三极管Q1的集电极分别与稳压二极管D5的负端和第二三极管Q2的发射极连接，第一三极管Q1的发射极分别与可控硅开关S的门极和电阻R2的一端连接；第二三极管Q2的基极与二极管D6的负端连接，第二三极管Q2的集电极接负载；二极管D6的正端分别与电阻R3和所述电阻R4的一端连接，电阻R1～R4的另一端都接地。本实用新型避免了电容元件的使用，提升了电路的稳定性，电路更加简洁，反应更加灵敏。
Description
技术领域：
本实用新型涉及一种电子电路，特别涉及一种LED的欠压保护电路。
背景技术：
应急工业灯常常遇到突发停电等情况，需要设置镍氢等可充电电池，因此对过欠压保护具有较高的要求。现有技术的欠压保护电路通常使用较多电容元件，由于电容每一次充放电会带来更大负载，同时电容还会产生寄生电感，从而降低电路的滤波效果，影响电路稳定性。
实用新型内容：
(一)解决的技术问题
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种LED的欠压保护电路，避免了电容元件的使用。
(二)技术方案
一种LED的欠压保护电路，包括电阻R1～R4、稳压二极管D5、二极管D6、第一三极管Q1和第二三极管Q2、以及可控硅开关S；所述第一三极管Q1的基极分别与所述稳压二极管D5的正端和所述电阻R1的一端连接，所述第一三极管Q1的集电极分别与所述稳压二极管D5的负端和所述第二三极管Q2的发射极连接，所述第一三极管Q1的发射极分别与所述可控硅开关S的门极和所述电阻R2的一端连接；所述第二三极管Q2的基极与所述二极管D6的负端连接，所述第二三极管Q2的集电极接负载；所述二极管D6的正端分别与所述电阻R3和所述电阻R4的一端连接，所述电阻R1～R4的另一端都接地。
进一步的，所述第一三极管Q1为NPN型三极管，所述第二三极管Q2为PNP型三极管。
(三)有益效果
本实用新型提供了一种LED的欠压保护电路，避免了电容元件的使用，提升了电路的稳定性，电路更加简洁，反应更加灵敏。
附图说明：
图1为本实用新型所涉及的一种LED的欠压保护电路原理图。
具体实施方式：
下面结合附图对本实用新型所涉及的实施例做进一步详细说明。
如图1所示，一种LED的欠压保护电路，包括电阻R1～R4、稳压二极管D5、二极管D6、第一三极管Q1和第二三极管Q2、以及可控硅开关S；第一三极管Q1的基极分别与稳压二极管D5的正端和电阻R1的一端连接，第一三极管Q1的集电极分别与稳压二极管D5 的负端和第二三极管Q2的发射极连接，第一三极管Q1的发射极分别与可控硅开关S的门极和电阻R2的一端连接；第二三极管Q2的基极与二极管D6的负端连接，第二三极管Q2的集电极接负载；二极管D6的正端分别与电阻R3和电阻R4的一端连接，电阻R1～R4 的另一端都接地。第一三极管Q1为NPN型三极管，第二三极管Q2为 PNP型三极管。
AC市电经过二极管D1～D4和电容C1组成的桥式整流滤波电路，输出半正弦波直流电压。当输入AC市电正常，第一三极管Q1的基极电位较高，故其发射极的电位也较高，可控硅开关S导通，因此第二三极管Q2导通，输出端的负载正常工作。当输入AC市电异常时，第一三极管Q1的基极电位变低，导致发射极的电位也随着变低，可控硅开关S关断，使第二三极管Q2截止，切断了对负载的供电。
本实用新型提供了一种LED的欠压保护电路，避免了电容元件的使用，提升了电路的稳定性，电路更加简洁，反应更加灵敏。
上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下，本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进，均应落入到本实用新型的保护范围，本实用新型请求保护的技术内容，已经全部记载在权利要求书中。
Claims (2)
1.一种LED的欠压保护电路，其特征在于：包括电阻R1～R4、稳压二极管D5、二极管D6、第一三极管Q1和第二三极管Q2、以及可控硅开关S；所述第一三极管Q1的基极分别与所述稳压二极管D5的正端和所述电阻R1的一端连接，所述第一三极管Q1的集电极分别与所述稳压二极管D5的负端和所述第二三极管Q2的发射极连接，所述第一三极管Q1的发射极分别与所述可控硅开关S的门极和所述电阻R2的一端连接；所述第二三极管Q2的基极与所述二极管D6的负端连接，所述第二三极管Q2的集电极接负载；所述二极管D6的正端分别与所述电阻R3和所述电阻R4的一端连接，所述电阻R1～R4的另一端都接地。
2.根据权利要求1所述的一种LED的欠压保护电路，其特征在于：所述第一三极管Q1为NPN型三极管，所述第二三极管Q2为PNP型三极管。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201720784421.7U CN206977025U (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 一种led的欠压保护电路 |
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| CN201720784421.7U CN206977025U (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 一种led的欠压保护电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN206977025U true CN206977025U (zh) | 2018-02-06 |
Family
ID=61406951
Family Applications (1)
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| CN201720784421.7U Active CN206977025U (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 一种led的欠压保护电路 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN206977025U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107147076A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-09-08 | 湖州灵感电子科技有限公司 | 一种led的欠压保护电路 |
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2017
- 2017-06-30 CN CN201720784421.7U patent/CN206977025U/zh active Active
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| CN107147076A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-09-08 | 湖州灵感电子科技有限公司 | 一种led的欠压保护电路 |
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