CN206906593U - 硅PIN半导体区域γ辐射监测仪 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖,所述下盖的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页,所述下盖的顶端两侧均开设有凹槽,且凹槽为倾斜设置,所述凹槽的两侧内壁上均粘接有防护层,且防护层是由橡胶材质制成,所述下盖通过合页转动连接有上盖,所述上盖的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条。本实用新型结构简单,当遇到雨水天气时,可以将上盖及时通过合页和下盖闭合,上盖两侧的卡条可以密实闭合在凹槽的内部,并且防护层可以增加密封性进一步防止雨水进入到仪器内部,探测器盒内安装的硅PIN半导体二极管可以提高监测数据的精度,使仪器的响应时间大大缩短。
Description
技术领域
本实用新型涉及辐射监测技术领域,尤其涉及硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。
背景技术
电磁辐射又称电子烟雾,是由空间共同移送的电能量和磁能量所组成,而该能量是由电荷移动所产生,电场和磁场的交互变化产生的电磁波,电磁波向空中发射或泄露的现象叫电磁辐射,电磁辐射其中就包括γ射线,γ射线是原子核能级跃迁蜕变时释放出的射线,是波长短于0.01埃的电磁波。γ射线有很强的穿透力,工业中可用来探伤或流水线的自动控制。γ射线对细胞有杀伤力,导致对人体有危害,所以需要对电磁辐射强度进行监测,但是,一般的手持γ辐射监测仪在遇到雨水天气时,容易被雨水淋湿,导致其内部的重要测量元件损坏,不能得到良好的保护,且一般的γ辐射监测仪测量精度低,存在能量响应时间长的缺点。
发明内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪 。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖,所述下盖的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页,所述下盖的顶端两侧均开设有凹槽,且凹槽为倾斜设置,所述凹槽的两侧内壁上均粘接有防护层,且防护层是由橡胶材质制成,所述下盖通过合页转动连接有上盖,所述上盖的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条,且卡条和凹槽相适配,所述上盖的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏,所述上盖的正面一侧开设有收纳槽,所述收纳槽的内部顶端安装有万向节,所述万向节远离收纳槽的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒,所述上盖的正面底端设有操作面板,所述操作面板的内部一侧通过螺丝固定有连接接口,所述操作面板的内部另一侧安装有操作按钮。
优选的,所述凹槽的水平长度和下盖的宽度、卡条的长度均相同。
优选的,所述探测器盒的内部通过导线连接有硅PIN半导体二极管,且硅PIN半导体二极管的长度和探测器盒的长度相适配。
优选的,所述显示屏通过导线连接有处理器,且处理器位于上盖的内部,处理器通过导线和硅PIN半导体二极管连接。
优选的,所述卡条的宽度和两个防护层之间的距离相适配。
优选的,所述下盖的内部设有安装槽,且安装槽内卡接有锂电池,锂电池的一端通过接线片以及导线和显示屏连接。
本实用新型的有益效果为:
1、本设备结构简单,当遇到雨水天气时,可以将上盖及时通过合页和下盖闭合,上盖两侧的卡条可以密实闭合在凹槽的内部,并且防护层可以增加密封性进一步防止雨水进入到仪器内部,另外,即使有些许雨水进入到凹槽内,凹槽的切斜设置可以让雨水自行从槽内流出。
2、探测器盒内安装的硅PIN半导体二极管可以提高监测数据的精度,使仪器的响应时间大大缩短,另外,在硅PIN半导体二极管损坏时直接打开探测器盒进行拆装更换。
附图说明
图1为本实用新型提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪的结构示意图;
图2为本实用新型提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪的局部结构示意图。
图中:1操作按钮、2下盖、3 防护层、4凹槽、5合页、6 探测器盒、7卡条、8 收纳槽、9万向节、10上盖、11 显示屏、12操作面板、13连接接口。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖2,下盖2的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页5,下盖2的顶端两侧均开设有凹槽4,且凹槽4为倾斜设置,凹槽4的两侧内壁上均粘接有防护层3,且防护层3是由橡胶材质制成,下盖2通过合页5转动连接有上盖10,上盖10的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条7,且卡条7和凹槽4相适配,上盖10的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏11,上盖10的正面一侧开设有收纳槽8,收纳槽8的内部顶端安装有万向节9,万向节9远离收纳槽8的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒6,上盖10的正面底端设有操作面板12,操作面板12的内部一侧通过螺丝固定有连接接口13,操作面板12的内部另一侧安装有操作按钮1。
本实用新型中,凹槽4的水平长度和下盖2的宽度、卡条7的长度均相同,探测器盒6的内部通过导线连接有硅PIN半导体二极管,且硅PIN半导体二极管的长度和探测器盒6的长度相适配,显示屏11通过导线连接有处理器,且处理器位于上盖10的内部,处理器通过导线和硅PIN半导体二极管连接,卡条7的宽度和两个防护层3之间的距离相适配,下盖2的内部设有安装槽,且安装槽内卡接有锂电池,锂电池的一端通过接线片以及导线和显示屏11连接。
工作原理:当遇到雨水天气时,可以将上盖10及时通过合页5和下盖2闭合,上盖10两侧的卡条7可以密实闭合在凹槽4的内部,并且防护层3可以增加密封性进一步防止雨水进入到仪器内部,即使雨水进入到凹槽4内,凹槽4的切斜设置可以让雨水自行从槽内流出,在硅PIN半导体二极管损坏时直接打开探测器盒6进行拆装更换。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖(2),其特征在于,所述下盖(2)的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页(5),所述下盖(2)的顶端两侧均开设有凹槽(4),且凹槽(4)为倾斜设置,所述凹槽(4)的两侧内壁上均粘接有防护层(3),且防护层(3)是由橡胶材质制成,所述下盖(2)通过合页(5)转动连接有上盖(10),所述上盖(10)的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条(7),且卡条(7)和凹槽(4)相适配,所述上盖(10)的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏(11),所述上盖(10)的正面一侧开设有收纳槽(8),所述收纳槽(8)的内部顶端安装有万向节(9),所述万向节(9)远离收纳槽(8)的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒(6),所述上盖(10)的正面底端设有操作面板(12),所述操作面板(12)的内部一侧通过螺丝固定有连接接口(13),所述操作面板(12)的内部另一侧安装有操作按钮(1)。
2.根据权利要求1所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,其特征在于,所述凹槽(4)的水平长度和下盖(2)的宽度、卡条(7)的长度均相同。
3.根据权利要求1所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,其特征在于,所述探测器盒(6)的内部通过导线连接有硅PIN半导体二极管,且硅PIN半导体二极管的长度和探测器盒(6)的长度相适配。
4.根据权利要求1所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,其特征在于,所述显示屏(11)通过导线连接有处理器,且处理器位于上盖(10)的内部,处理器通过导线和硅PIN半导体二极管连接。
5.根据权利要求1所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,其特征在于,所述卡条(7)的宽度和两个防护层(3)之间的距离相适配。
6.根据权利要求1所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,其特征在于,所述下盖(2)的内部设有安装槽,且安装槽内卡接有锂电池,锂电池的一端通过接线片以及导线和显示屏(11)连接。
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