CN206906479U - 晶体振荡器系统温度变化率的测量装置 - Google Patents

晶体振荡器系统温度变化率的测量装置 Download PDF

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李鹏
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Abstract

本实用新型公开了一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置,所述测量装置包括恒温模块、频率计数器、处理器;所述恒温模块容置所述晶体振荡器,并连接所述处理器,用于为所述晶体振荡器提供恒温环境、发送所述恒温环境中的温度测量结果至所述处理器;所述处理器分别连接所述恒温模块、频率计数器、所述寄存器,用于根据所述恒温环境中的温度发送温度改变控制值所述恒温模块、在所述恒温环境中的温度稳定后发送使能信号至所述频率计数器、获取所述寄存器中存储的频率计数数据,并根据所述频率计数数据、温度测量结果计算系统温度变化率;所述频率计数器包括测量端、时钟参考端及输出端。

Description

晶体振荡器系统温度变化率的测量装置
技术领域
本实用新型涉及测量技术领域,特别涉及一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置。
背景技术
晶体振荡器以其较好的输出频率信号指标及优廉的价格广泛应用于时间频率领域,但在实际应用中由于其工作环境温度的变化会对其频率稳定度指标造成影响,进而导致输给用户端的频率信号的不稳定。鉴于此本专利提出一种针对晶体振荡漾器系统温度变化率的测量装置,为其领域科研工作者进一步改进指标提供参考。
实用新型内容
本实用新型提供一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置,解决了上述技术问题,达到了提供一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置的技术效果。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置,所述测量装置包括恒温模块、频率计数器、处理器;所述恒温模块容置所述晶体振荡器,并连接所述处理器,用于为所述晶体振荡器提供恒温环境、发送所述恒温环境中的温度测量结果至所述处理器;所述处理器分别连接所述恒温模块、频率计数器、所述寄存器,用于根据所述恒温环境中的温度发送温度改变控制值所述恒温模块、在所述恒温环境中的温度稳定后发送使能信号至所述频率计数器、获取所述寄存器中存储的频率计数数据,并根据所述频率计数数据、温度测量结果计算系统温度变化率;所述频率计数器包括测量端、时钟参考端及输出端;所述测量端与所述晶体振荡器连接,用于接收所述晶体振荡器发送的频率信号;所述输出端与所述寄存器连接,发送频率计数数据至所述寄存器中存储;其中,所述频率计数器在接收到所述使能信号后在外部参考作用下对所述频率信号开始计数。
优选的,所述恒温模块包括温度设置采集模块、电压源模块及加热器,所述温度设置采集模块、电压源模块及加热器依次连接,所述温度设置采集模块用于采集并发送所述恒温环境中的温度,所述电压源模块用于为所述恒温模块提供电源,所述加热器用于根据所述温度设置采集模块设置的温度加热。
优选的,所述加热器具体为加热线圈环路。
优选的,所述恒温环境为温度可控的桥式控温环境。
优选的,所述恒温环境的温度可控精度为±0.1℃。
优选的,所述恒温环境的温度可控精度为±0.05℃。
优选的,所述恒温模块还包括一温度传感器,用于测量所述恒温环境的温度值。
优选的,所述频率计数器采用氢钟作为外部参考时钟。
优选的,所述频率计数器放置于所述恒温模块的恒温环境中。
优选的,所述恒温环境为温度可控的桥式控温环境。
本申请有益效果如下:
本申请通过将所述晶体振荡器置于恒温环境中,并通过频率计数器多次采样,在外部参考下对晶体振荡器的频率信号计数,计算得到更接近于实际的系统温度值,提高了测量精度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例。
图1为本申请一较佳实施方式一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置的结构示意图;
图2为本申请图1中恒温模块的电路图。
具体实施方式
为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
图1为本申请一较佳实施方式一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置的结构示意图;请参阅图1,本实用新型提供了一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置,所述测量装置包括恒温模块、频率计数器及处理器。
所述恒温模块容置所述晶体振荡器,并连接所述处理器,用于为所述晶体振荡器提供恒温环境、发送所述恒温环境中的温度测量结果至所述处理器;
所述处理器分别连接所述恒温模块、频率计数器、所述寄存器,用于根据所述恒温环境中的温度发送温度改变控制值所述恒温模块、在所述恒温环境中的温度稳定后发送使能信号至所述频率计数器、获取所述寄存器中存储的频率计数数据,并根据所述频率计数数据、温度测量结果计算系统温度变化率;
所述频率计数器包括测量端、时钟参考端及输出端;所述测量端与所述晶体振荡器连接,用于接收所述晶体振荡器发送的频率信号;所述输出端与所述寄存器连接,发送频率计数数据至所述寄存器中存储;其中,所述频率计数器在接收到所述使能信号后在外部参考作用下对所述频率信号开始计数。所述频率计数器采用氢钟作为外部参考时钟。所述频率计数器放置于所述恒温模块的恒温环境中。
具体的,所述恒温模块包括温度设置采集模块、电压源模块及加热器,所述温度设置采集模块、电压源模块及加热器依次连接,所述温度设置采集模块用于采集并发送所述恒温环境中的温度,所述电压源模块用于为所述恒温模块提供电源,所述加热器用于根据所述温度设置采集模块设置的温度加热。优选的,所述加热器具体为加热线圈环路。所述恒温环境为温度可控的桥式控温环境。所述恒温环境的温度可控精度为±0.1℃;优选的,所述恒温环境的温度可控精度为±0.05℃。所述恒温模块还包括一温度传感器,用于测量所述恒温环境的温度值。
实施例1
整个原理图中各模块正常工作时,处理器发送温度改变使能控制信号至恒温模块,如设置恒温模块温度为T1=25℃,相应的恒温模块控温功能启动,并使晶体振荡漾器所处的恒温模块内环境工作温度恒定在25℃±0.1℃范围内。处理器通过访问置入恒温模块环境中的热敏电阻温度传感器,获得实际的温度信息T1’。待温度恒定后,处理器使能频率计数器使其在外部参考下对晶体振荡器输出信号频率进行计数,频率计数器完成N次采样,如N=100,并将每次测量数据传送至寄存器,处理器通过对寄存器的访问获得频率计数N次采样的数据f11、f12、…,f1N,并进行算术平均获得T1=25℃时晶体振荡漾器输出信号频率平均值f1。
同样的工作原理,可获得T2=30℃时晶体振荡器输出信号频率平均值f2。那么本专利的系统温度变化率计算方法为:
其中Δf=f2-f1,f=(f1+f2)/2,ΔT=T2-T1。
需要说明的是:
其计算出的系统温度系数可为正,亦可为负。
实施例中在选择ΔT的变化范围时,可以根据实际晶体振荡漾器工作条件进行设置,如实际工作环境温度为280C,变化为±10C,那么实施时可以设定恒温模块的T1=270C,T2=290C,这样可以获得更接近于实际的系统温度系数值,即进一步提高了测量精度。
本申请的有益效果如下:
本申请通过将所述晶体振荡器置于恒温环境中,并通过频率计数器多次采样,在外部参考下对晶体振荡器的频率信号计数,计算得到更接近于实际的系统温度值,提高了测量精度。
最后所应说明的是,以上具体实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管参照实例对本实用新型进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

Claims (10)

1.一种晶体振荡器系统温度变化率的测量装置,其特征在于,所述测量装置包括恒温模块、频率计数器、处理器;
所述恒温模块容置所述晶体振荡器,并连接所述处理器,用于为所述晶体振荡器提供恒温环境、发送所述恒温环境中的温度测量结果至所述处理器;
所述处理器分别连接所述恒温模块、频率计数器、寄存器,用于根据所述恒温环境中的温度发送温度改变至所述恒温模块、在所述恒温环境中的温度稳定后发送使能信号至所述频率计数器、获取所述寄存器中存储的频率计数数据,并根据所述频率计数数据、温度测量结果计算系统温度变化率;
所述频率计数器包括测量端、时钟参考端及输出端;所述测量端与所述晶体振荡器连接,用于接收所述晶体振荡器发送的频率信号;所述输出端与所述寄存器连接,发送频率计数数据至所述寄存器中存储;其中,所述频率计数器在接收到所述使能信号后在外部参考作用下对所述频率信号开始计数。
2.如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述恒温模块包括温度设置采集模块、电压源模块及加热器,所述温度设置采集模块、电压源模块及加热器依次连接,所述温度设置采集模块用于采集并发送所述恒温环境中的温度,所述电压源模块用于为所述恒温模块提供电源,所述加热器用于根据所述温度设置采集模块设置的温度加热。
3.如权利要求2所述的测量装置,其特征在于,所述加热器具体为加热线圈环路。
4.如权利要求2所述的测量装置,其特征在于,所述恒温环境为温度可控的桥式控温环境。
5.如权利要求4所述的测量装置,其特征在于,所述恒温环境的温度可控精度为±0.1℃。
6.如权利要求5所述的测量装置,其特征在于,所述恒温环境的温度可控精度为±0.05℃。
7.如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述恒温模块还包括一温度传感器,用于测量所述恒温环境的温度值。
8.如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述频率计数器采用氢钟作为外部参考时钟。
9.如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述频率计数器放置于所述恒温模块的恒温环境中。
10.如权利要求9所述的测量装置,其特征在于,所述恒温环境为温度可控的桥式控温环境。
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