CN206894619U - 一种掉电记忆产品中使用的低功耗ad采样电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，AD采样控制电路上电后，当+5.7V处电压升高时，三极管Q1导通，温度传感器CN1的一侧接+5V，另一侧通过1％精度的10K第三电阻R3分压，经过三极管Q1到GND，此时端口adBom采集到的AD值和实际温度的值一致。第二电阻R2是限流电阻，起保护芯片端口的作用。掉电后，当+5.7V处电压下降后，AD的放电回路被三极管Q1截止，+5V处的电压不会通过AD采集回路放电。本新型的AD采样电路采集到的AD值和实际温度相同，且具有低功耗、低成本等优点。
Description
技术领域：
本实用新型属于采样电路技术领域，具体是涉及一种掉电记忆产品中使用的低功耗的AD采样电路。
背景技术：
目前，传统的掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，为了在有掉电的记忆产品中减少AD采集回路放电，把芯片工作电源通过二极管隔离成了+5V和5VP两个回路。+5V负责给芯片供电，+5PV负责给AD采样和其他掉电后会消耗电流的电路供电。因为+5V和5VP是有压差的，导致芯片采样时，实际采集到的AD值和真实的温度值稍有差异，不能准确的反映当前的温度。
实用新型内容：
为此，本实用新型所要解决的技术问题在于现有技术中用于掉电记忆产品中的AD采样电路采集到的AD值和实际温度有差异，从而提出一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，包括：
5V电压隔离电路和AD采样控制电路。
所述5V电压隔离电路包括第一电解电容EC1、第二电解电容EC2、第三电解电容EC3、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2，所述第一电解电容EC1的正极连接+5.7V电源，所述第一电解电容EC1的负极接地，+5.7V电源经过所述第一二极管D1降压为+5PV电压，+5.7V电源经过所述第二二极管D2降压为+5V电压，所述第二电解电容EC2的正极连接+5V电压，所述第二电解电容EC2的负极接地，所述第一电容C1的第一端连接+5V电压，所述第一电容C1的第二端接地，所述第一电阻R1的第一端连接+5V电压，所述第一电阻R1的第二端接地，所述第三电解电容EC3的正极连接+5PV电压，所述第三电解电容EC3的负极接地，所述第二电容C2的第一端连接+5PV电压，所述第二电容C2的第二端接地。
所述AD采样控制电路包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、三极管Q1，所述第二电阻R2的第一端连接第一温度传感器CN1的2脚，所述第一温度传感器CN1的2脚连接+5V电压，所述第二电阻R2的第二端连接端口adBom，所述第三电阻R3的第一端连接所述第二电阻R2的第一端，所述第三电阻R3的第二端连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的基极连接第四电阻R4的第一端，所述第四电阻R4的第二端连接+5.7V电压，所述第五电阻R5的第一端连接三极管Q1的基极，所述第五电阻R5的第二端接地，所述第六电阻R6的第一端连接所述三极管Q1的集电极，所述第六电阻R6的第二端连接第二温度传感器CN2的2脚，所述第二温度传感器CN2的1脚连接+5V电压，所述第七电阻R7的第一端连接所述第二温度传感器CN2的2脚，所述第七电阻R7的第二端连接端口adTop。
作为上述技术方案的优选，所述三极管Q1采用NPN型三极管8050。
作为上述技术方案的优选，所述第三电阻R3和所述第六电阻R6采用1％精度的10K电阻。
作为上述技术方案的优选，所述第二电阻R2和所述第七电阻R7采用阻值为1KΩ的电阻。
作为上述技术方案的优选，所述第四电阻R4采用阻值为4.7KΩ的电阻。
作为上述技术方案的优选，所述第五电阻R5采用阻值为2KΩ的电阻。
本实用新型的有益效果在于：AD采样控制电路上电后，当+5.7V处电压升高时，三极管Q1导通，第一温度传感器CN1的一侧接+5V，另一侧通过1％精度的10K第三电阻R3分压，经过三极管Q1到GND，此时端口adBom采集到的AD值和实际温度的值一致。第二电阻R2是限流电阻，起保护芯片端口的作用。掉电后，当+5.7V处电压下降后，AD的放电回路被三极管Q1截止，+5V处的电压不会通过AD采集回路放电。本新型的AD采样电路采集到的AD值和实际温度相同，且具有低功耗、低成本等优点。
附图说明：
以下附图仅旨在于对本实用新型做示意性说明和解释，并不限定本实用新型的范围。其中：
图1为本实用新型一个实施例的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路中的5V电压隔离电路图；
图2为本实用新型一个实施例的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路中的AD采样电路图。
具体实施方式：
如图1、图2所示，本实用新型的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，包括：
5V电压隔离电路和AD采样控制电路。
所述5V电压隔离电路包括第一电解电容EC1、第二电解电容EC2、第三电解电容EC3、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2，所述第一电解电容EC1的正极连接+5.7V电源，所述第一电解电容EC1的负极接地，+5.7V电源经过所述第一二极管D1降压为+5PV电压，+5.7V电源经过所述第二二极管D2降压为+5V电压，所述第二电解电容EC2的正极连接+5V电压，所述第二电解电容EC2的负极接地，所述第一电容C1的第一端连接+5V电压，所述第一电容C1的第二端接地，所述第一电阻R1的第一端连接+5V电压，所述第一电阻R1的第二端接地，所述第三电解电容EC3的正极连接+5PV电压，所述第三电解电容EC3的负极接地，所述第二电容C2的第一端连接+5PV电压，所述第二电容C2的第二端接地。
所述AD采样控制电路包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、三极管Q1，所述第二电阻R2的第一端连接第一温度传感器CN1的2脚，所述第一温度传感器CN1的2脚连接+5V电压，所述第二电阻R2的第二端连接端口adBom，所述第三电阻R3的第一端连接所述第二电阻R2的第一端，所述第三电阻R3的第二端连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的基极连接第四电阻R4的第一端，所述第四电阻R4的第二端连接+5.7V电压，所述第五电阻R5的第一端连接三极管Q1的基极，所述第五电阻R5的第二端接地，所述第六电阻R6的第一端连接所述三极管Q1的集电极，所述第六电阻R6的第二端连接第二温度传感器CN2的2脚，所述第二温度传感器CN2的1脚连接+5V电压，所述第七电阻R7的第一端连接所述第二温度传感器CN2的2脚，所述第七电阻R7的第二端连接端口adTop。所述三极管Q1采用NPN型三极管8050。所述第三电阻R3和所述第六电阻R6采用1％精度的10K电阻。所述第二电阻R2和所述第七电阻R7采用阻值为1KΩ的电阻。所述第四电阻R4采用阻值为4.7KΩ的电阻。所述第五电阻R5采用阻值为2KΩ的电阻。
本申请中的掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路具体工作原理如下：
5V电压隔离电路：+5.7V电源经过第一电解电容EC1滤波后，分别通过第一二极管D1和第二二极管D2降压约0.7V后，分为+5V和+5PV两路分别给芯片、AD和其他元器件供电。+5V回路的第二电解电容EC2在工作时起滤波作用，掉电后起储能作用。第一电容C1起滤波作用，第一电阻R1控制回路放电速度，可以根据放电时间长短要求，适当调整。当电路掉电后，第一二极管D1和第二二极管D2反向隔离，第二电解电容EC2存储的电能可以完全用在给芯片记忆使用，不会消耗到其它电路上。此时可以根据实际要求，通过调节第二电解电容EC2电容容量和第一电阻R1阻值搭配，调节PCBA掉电记忆时长。
AD采样控制电路：上电后，当+5.7V处电压升高时，三极管Q1导通，CN1温度传感器端子的一侧接+5V，另一侧通过1％精度的10K的第三电阻R3分压，经过三极管Q1到GND，此时端口adBom采集到的AD值和实际温度的值一致。第二电阻R2是限流电阻，起保护芯片端口的作用。掉电后，当+5.7V处电压下降后，AD的放电回路被三极管Q1截止，+5V处的电压不会通过AD采集回路放电。
第二温度传感器CN2温度传感器或类似检测回路在不同应用场景可以删去或者增加一路或者多路，工作原理相同。
本实施例所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，AD采样控制电路上电后，当+5.7V处电压升高时，三极管Q1导通，CN1温度传感器端子的一侧接+5V，另一侧通过1％精度的10K第三电阻R3分压，经过三极管Q1到GND，此时端口adBom采集到的AD值和实际温度的值一致。第二电阻R2是限流电阻，起保护芯片端口的作用。掉电后，当+5.7V处电压下降后，AD的放电回路被三极管Q1截止，+5V处的电压不会通过AD采集回路放电。本新型的AD采样电路采集到的AD值和实际温度相同，且具有低功耗、低成本等优点。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。
Claims (6)
1.一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于，包括：
5V电压隔离电路和AD采样控制电路；
所述5V电压隔离电路包括第一电解电容EC1、第二电解电容EC2、第三电解电容EC3、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2，所述第一电解电容EC1的正极连接+5.7V电源，所述第一电解电容EC1的负极接地，+5.7V电源经过所述第一二极管D1降压为+5PV电压，+5.7V电源经过所述第二二极管D2降压为+5V电压，所述第二电解电容EC2的正极连接+5V电压，所述第二电解电容EC2的负极接地，所述第一电容C1的第一端连接+5V电压，所述第一电容C1的第二端接地，所述第一电阻R1的第一端连接+5V电压，所述第一电阻R1的第二端接地，所述第三电解电容EC3的正极连接+5PV电压，所述第三电解电容EC3的负极接地，所述第二电容C2的第一端连接+5PV电压，所述第二电容C2的第二端接地；
所述AD采样控制电路包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、三极管Q1，所述第二电阻R2的第一端连接第一温度传感器CN1的2脚，所述第一温度传感器CN1的2脚连接+5V电压，所述第二电阻R2的第二端连接端口adBom，所述第三电阻R3的第一端连接所述第二电阻R2的第一端，所述第三电阻R3的第二端连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的基极连接第四电阻R4的第一端，所述第四电阻R4的第二端连接+5.7V电压，所述第五电阻R5的第一端连接三极管Q1的基极，所述第五电阻R5的第二端接地，所述第六电阻R6的第一端连接所述三极管Q1的集电极，所述第六电阻R6的第二端连接第二温度传感器CN2的2脚，所述第二温度传感器CN2的1脚连接+5V电压，所述第七电阻R7的第一端连接所述第二温度传感器CN2的2脚，所述第七电阻R7的第二端连接端口adTop。
2.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述三极管Q1采用NPN型三极管8050。
3.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述第三电阻R3和所述第六电阻R6采用1％精度的10K电阻。
4.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述第二电阻R2和所述第七电阻R7采用阻值为1KΩ的电阻。
5.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述第四电阻R4采用阻值为4.7KΩ的电阻。
6.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述第五电阻R5采用阻值为2KΩ的电阻。
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| CN201720703500.0U CN206894619U (zh) | 2017-06-16 | 2017-06-16 | 一种掉电记忆产品中使用的低功耗ad采样电路 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN110333453A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-10-15 | 浙江合众新能源汽车有限公司 | 一种隔离高压采样控制电路及其控制方法 |
-
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