CN206894522U - 一种忆阻器开关电源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种忆阻器开关电源,包括整流电路1、高频变压器电路2、整流滤波电路3、忆阻器控制单元4、抗干扰电路5和忆阻器RM;所述整流电路1包括二极管整流桥K、电解电容C1、独石电容C2;所述高频变压器电路2包括单输入双输出的高频变压器T1、电阻R1、独石电容C3、二极管D1;所述整流滤波电路3包括整流二极管D1、整流二极管D2、电解电容C4、电解电容C5;所述忆阻器控制单元4包括集成运放U1、锯齿波发生器、锁存器、PI控制器;所述抗干扰电路5包括压敏电阻TZ、保险丝FU、滤波电感L、电解电容C6、独石电容C7;所述整流电路1与单输入双输出的高频变压器T1的初级N11相连;所述单输入双输出的高频变压器T1的初级N11经过忆阻器RM接地;所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N21与整流滤波电路3相连;所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N22作为反馈电压UFB与忆阻器控制单元4相连;所述忆阻器控制单元4的输出端与忆阻器的控制端G相连。本实用新型充分利用了忆阻器的优良特性,降低了开关电源开关管部分的功率损耗,削弱了高频变压器换流时反向冲击电流对电路的影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及电力电子的技术领域,特别涉及一种忆阻器开关电源。
背景技术
电源是各类电子设备运作的能量来源,直接影响到设备的正常工作。虽然线性电源的效果不错,但是体积大的问题没有得到很好的解决。开关电源作为高频电源,具有工作频率高,效率高的特点,但是现有的开关电源都是采用MOS管,受到工作频率过高耗能较大以及MOS管换流时引起的反向冲击电流等缺点,一直是研究者们想要解决的难点。随着惠普实验室成功制作出第一个忆阻器,越来越多的科技工作者投身于忆阻器的应用研究。由于忆阻器有着特有的电阻随电流变化特征以及它的集成度高、功耗小的特点,运用于开关电源,可以解决开关电源的开关器件的功耗较高的问题,进一步提升开关电源的工作效率。同时,忆阻器的变阻特性可以降低反向冲击电流对电路的影响。
发明内容
为了解决在背景技术中提及的当前开关电源存在的问题,本实用新型公开了一种忆阻器开关电源,包括整流电路1、高频变压器电路2、整流滤波电路3、忆阻器控制单元4、抗干扰电路5和忆阻器RM,其特征在于,所述整流桥电路1包括二极管整流桥K、电解电容C1、独石电容C2;所述高频变压器电路2包括单输入双输出的高频变压器T1、电阻R1、独石电容C3、二极管D1;所述整流滤波电路3包括整流二极管D1、整流二极管D2、电解电容C4、电解电容C5;所述忆阻器控制单元4包括集成运放U1、锯齿波发生器、锁存器、PI控制器;所述抗干扰电路5包括压敏电阻TZ、保险丝FU、滤波电感L、电解电容C6、独石电容C7。
所述整流电路1的电解电容C1和独石电容C2并联后与二极管整流桥K相连;所述整流桥电路1输出与单输入双输出的高频变压器T1的初级N11相连。
所述高频变压器电路2中的电阻R1、电解电容C3和二极管D1并联后与所述单输入双输出的高频变压器T1的初级N11相连;所述单输入双输出的高频变压器T1的初级N11经过忆阻器RM接地;所述高频变压器3的次级N21与整流滤波电路3相连,所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N22作为反馈电压UFB与忆阻器控制单元4相连。
所述整流滤波电路3的二极管D2与电解电容C4串联后接地,Z端作为正15V的输出口。所述整流滤波电路3的二极管D3与电解电容C5串联后接地,F端作为负15V的输出口。
所述忆阻器控制单元4中的集成运放U1的正相端接所述锯齿波发生器;所述忆阻器控制单元4中的集成运放U1的反向端接所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N22;所述集成运放U1的输出端与忆阻器RM的控制端G相连。
所述抗干扰电路5中的压敏电阻TZ和保险丝FU分别接交流电输入端;所述抗干扰电路5中的滤波电感L与并联的电解电容C6和独石电容C7串联,输出端与整流桥K输入端相连。
进一步,所述忆阻器RM的受控端G没有得到信号时,忆阻器的忆阻值呈现为低阻状态,此时高频变压器T1产生正向电压。
进一步,所述忆阻器RM得到受控端G信号时,忆阻器的忆阻值随着电流的增加而快速增大表现为高阻状态,此时高频变压器T1通过续流二极管D1、电容C3、电阻R1产生反向电压,这样就顺利实现了电压调整,得到正负15V的电流电源。
进一步,所述高频变压器3的次级N22端反馈电压UFB与所述忆阻器控制单元4的锯齿波发生器经集成运放U1比较。
进一步,当反馈电压UFB升高时,忆阻器控制单元4的占空比减小,经过所述锁存器后输入到所述PI控制器,从而控制忆阻器的导通与截止,控制变压器N21和N22输出电压降低,形成一个负反馈电路,维持输出电压的稳定。
进一步,所述抗干扰电路5中的压敏电阻TZ和保险丝FU,防止短路以及过流。
进一步,当电路过流或短路时,所述压敏电阻TZ的阻值会增大,从而抑制大电流;所述保险丝FU会随电流过大自动熔断,从而保护整个电路。
进一步,所述抗干扰电路5中的滤波电感L与并联的电解电容C6和独石电容C7串联主要是抑制输入电压波动带来的电压干扰。
本实用新型有益效果在于:与当前开关电源相比,
1、解决了使用MOS管存在工作频率过高、耗能较大的缺点,降低了开关管部分的功率损耗;
2、减小了高频变压器换流时引起的反向冲击电流。
附图说明
图1为忆阻器开关电源结构框图。
图2为忆阻器开关电源电路图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的优势,下面结合附图1和附图2,进一步说明忆阻器开关电源的实施方式,并非对本实用新型保护范围的限制。
本实施例中,一种忆阻器开关电源,包括整流电路1、高频变压器电路2、整流滤波电路3、忆阻器控制单元4、抗干扰电路5和忆阻器RM,其特征在于,所述整流桥电路1包括二极管整流桥K、电解电容C1、独石电容C2;所述高频变压器电路2包括单输入双输出的高频变压器T1、电阻R1、独石电容C3、二极管D1;所述整流滤波电路3包括整流二极管D1、整流二极管D2、电解电容C4、电解电容C5;所述忆阻器控制单元4包括集成运放U1、锯齿波发生器、锁存器、PI控制器;所述抗干扰电路5包括压敏电阻TZ、保险丝FU、滤波电感L、电解电容C6、独石电容C7。
本实施例中,所述整流电路1的电解电容C1和独石电容C2并联后与二极管整流桥K相连;所述整流桥电路1输出与单输入双输出的高频变压器T1的初级N11相连。
本实施例中,所述高频变压器电路2中的电阻R1、电解电容C3和二极管D1并联后与所述单输入双输出的高频变压器T1的初级N11相连,所述单输入双输出的高频变压器T1的初级N11经过忆阻器RM接地;所述高频变压器3的次级N21与整流滤波电路3相连;所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N22作为反馈电压UFB与忆阻器控制单元4相连。
本实施例中,所述整流滤波电路3的二极管D2与电解电容C4串联后接地,Z端作为正15V的输出口;所述整流滤波电路3的二极管D3与电解电容C5串联后接地,F端作为负15V的输出口。
本实施例中,所述忆阻器控制单元4中的集成运放U1的正相端接所述锯齿波发生器;所述忆阻器控制单元4中的集成运放U1的反向端接所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N22;所述集成运放U1的输出端与忆阻器RM的控制端G相连。
本实施例中,所述抗干扰电路5中的压敏电阻TZ和保险丝FU分别接交流电输入端;所述抗干扰电路5中的滤波电感L与并联的电解电容C6和独石电容C7串联,输出端与整流桥K输入端相连。
本实施例中,所述忆阻器RM的受控端G没有得到信号时,忆阻器的忆阻值表现为低阻状态,此时高频变压器T1产生正向电压。
本实施例中,所述忆阻器RM得到受控端G信号时,忆阻器的忆阻值随着电流的增加而快速增大表现为高阻状态,此时单输入双输出的高频变压器T1通过续流二极管D1、电容C3、电阻R1产生反向电压,这样就顺利实现了电压调整,得到正负15V的电流电源。
本实施例中,忆阻器的电阻值改变是随电流增大不断增加,不会使得电流发生突变,从而抑制了反向中冲击电流的作用。
本实施例中,所述高频变压器3的次级N22端反馈电压UFB与所述忆阻器控制单元4的锯齿波发生器经集成运放U1比较;当反馈电压UFB升高时,忆阻器控制单元4的占空比减小,经过所述锁存器后输入到所述PI控制器,从而控制忆阻器的导通与截止,控制单输入双输出高频变压器T1的N21和N22输出电压降低,形成一个负反馈电路,维持输出电压的稳定。
本实施例中,所述抗干扰电路5中的压敏电阻TZ和保险丝FU,防止短路以及过流;当电路过流或短路时,所述压敏电阻TZ的阻值会增大抑制大电流,而所述保险丝FU会随电流过大自动熔断,从而保护电路;所述抗干扰电路5中的滤波电感L与并联的电解电容C6和独石电容C7串联主要是抑制输入电压波动带来的电压干扰。
综上所述,本实用新型充分利用了忆阻器的优良特性,降低了开关电源开关管部分的功率损耗,减小了高频变压器换流时反向冲击电流对电路的影响。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式,但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种忆阻器开关电源,包括整流电路1、高频变压器电路2、整流滤波电路3、忆阻器忆阻器控制单元4、抗干扰电路5和忆阻器RM,其特征在于,所述整流电路1包括二极管整流桥K、电解电容C1、独石电容C2;所述高频变压器电路2包括单输入双输出的高频变压器T1、电阻R1、独石电容C3、二极管D1;所述整流滤波电路3包括整流二极管D1、整流二极管D2、电解电容C4、电解电容C5;所述忆阻器控制单元4包括集成运放U1、锯齿波发生器、锁存器、PI控制器;所述抗干扰电路5包括压敏电阻TZ、保险丝FU、滤波电感L、电解电容C6、独石电容C7。
2.根据权利要求1所述的一种忆阻器开关电源,其特征在于,所述整流电路1的电解电容C1和独石电容C2并联后与二极管整流桥K相连;所述整流桥电路1输出与单输入双输出的高频变压器T1的初级N11相连。
3.根据权利要求1所述的一种忆阻器开关电源,其特征在于,所述高频变压器电路2中的电阻R1、电解电容C3和二极管D1并联后与所述单输入双输出的高频变压器T1的初级N11相连,所述单输入双输出的高频变压器T1的初级N11经过忆阻器RM接地;所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N21与整流滤波电路3相连,所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N22作为反馈电压UFB与忆阻器控制单元4相连。
4.根据权利要求1所述的一种忆阻器开关电源,其特征在于,所述整流滤波电路3的二极管D2与电解电容C4串联后接地,Z端作为正15V的输出口;所述整流滤波电路3的二极管D3与电解电容C5串联后接地,F端作为负15V的输出口。
5.根据权利要求1所述的一种忆阻器开关电源,其特征在于,所述忆阻器控制单元4中的集成运放U1的正相端接所述锯齿波发生器;所述忆阻器控制单元4中的集成运放U1的反向端接所述单输入双输出的高频变压器T1的次级N22;所述集成运放U1的输出端与锁存器的前端相连;所述锁存器的输出与PI控制器相连;所述PI控制器与忆阻器RM的控制端G相连,控制忆阻器RM的电阻值。
6.根据权利要求1所述的一种忆阻器开关电源,其特征在于,所述抗干扰电路5中的压敏电阻TZ和保险丝FU分别接交流电输入端;所述抗干扰电路5中的滤波电感L与并联的电解电容C6和独石电容C7串联。
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CN108539972A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-09-14 | 天津大学 | 一种带有忆阻负载的Boost变换器电路 |
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