CN206865148U - 电源处理电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型一种电源处理电路，其特征在于，包括：防反接模块；所述防反接模块包括N沟道增强型MOS场效应管、第一电阻和第二电阻。上述电源处理电路，在电源极性正确时，电流起始时通过N沟道增强型MOS场效应管内的二极管导通，源极电压接近0V；两个电阻分压后，为栅极提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二极管给替代了，从而产生的压降也很小，发热小，损耗也小；电源反接时，场效应管内的二极管未到击穿电压不导通；分压电阻无电流流过无法提供栅极电压，也不导通；从而起到保护作用。

Description

电源处理电路

技术领域

本实用新型涉及电源领域，特别是涉及一种电源处理电路。

背景技术

对于设备使用时有可能发生电源反接的情况，以前常常采用二极管进行防反接保护，其电路简单，成本较低，适用于小电流，对成本要求比较严的产品。但是二极管导通时会存在一定的压降，当电路有较大的电流时，会有一定的发热量。

实用新型内容

基于此，有必要针对二极管防反接电路在导通时的压降和发热问题，提供一种电源处理电路。

一种电源处理电路，包括：防反接模块；所述防反接模块设有输入端、接地端、第一输出端和第二输出端；所述防反接模块的输入端用于连接输入电源；所述防反接模块的接地端用于接地；所述防反接模块的第一输出端和第二输出端分别用于连接电源负载；所述防反接模块包括N沟道增强型MOS场效应管、第一电阻和第二电阻；所述第一电阻的第一端对应为所述防反接模块的输入端和第一输出端；所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端接在一起，所述第二电阻的第二端对应为所述防反接模块的第二输出端；所述N沟道增强型MOS场效应管的漏极对应为所述防反接模块的接地端；所述N沟道增强型MOS场效应管的源极接所述第二电阻的第二端；所述N沟道增强型MOS场效应管的栅极与所述第一电阻的第二端接在一起。

上述电源处理电路，在电源极性正确时，电流起始时通过N沟道增强型MOS场效应管内的二极管导通，源极电压接近0V；两个电阻分压后，为栅极提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二极管给替代了，从而产生的压降也很小，发热小，损耗也小；电源反接时，场效应管内的二极管未到击穿电压不导通；分压电阻无电流流过无法提供栅极电压，也不导通，从而起到保护作用。

在其中一个实施例中，还包括电流保护模块；所述电流保护模块具有第一端和第二端；

在其中一个实施例中，所述防反接模块的输入端通过所述电流保护模块接所述输入电源；所述电流保护模块的第一端接所述输入电源；所述电流保护模块的第二端接所述防反接模块的输入端。

在其中一个实施例中，所述电流保护模块包括保险丝，所述保险丝的两端对应为所述电流保护模块的第一端和第二端。

在其中一个实施例中，所述保险丝是自恢复保险丝。

在其中一个实施例中，还包括电压保护模块；所述电压保护模块设有第一端和第二端；所述电压保护模块的第一端接所述输入电源；所述电压保护模块的第二端接地。

在其中一个实施例中，所述电压保护模块包括单向瞬态抑制二极管；所述单向瞬态抑制二极管的负极、正极分别对应为所述电压保护模块的第一端和第二端。

在其中一个实施例中，所述电压保护模块包括双向瞬态抑制二极管；所述双向瞬态抑制二极管的两端对应为所述电压保护模块的第一端和第二端。

在其中一个实施例中，还包括滤波模块；所述滤波模块设有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；所述防反接模块的第一输出端和第二输出端分别通过所述滤波模块接所述电源负载；所述滤波模块的第一输入端接所述防反接模块的第一输出端；所述滤波模块的第二输入端接所述防反接模块的第二输出端；所述滤波模块的第一输出端、第二输出端分别接所述电源负载。

在其中一个实施例中，所述滤波模块包括滤波器BNX002；所述滤波器BNX002的B端对应为所述滤波模块的第一输入端；所述滤波器BNX002的PSG端对应为所述滤波模块的第二输入端；所述滤波器BNX002的CB端对应为所述滤波模块的第一输出端；所述滤波器BNX002的CG端对应为所述滤波模块的第二输出端。

在其中一个实施例中，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相等。

附图说明

图1为本实用新型电源处理电路一实施例的电路示意图；

图2为本实用新型电源处理电路又一实施例的电路示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参阅图1，是本实用新型电源处理电路一实施例的电路示意图。

一种电源处理电路，包括防反接模块300；所述防反接模块300设有输入端、接地端、第一输出端和第二输出端；所述防反接模块300的输入端用于连接输入电源；所述防反接模块300的接地端用于接地；所述防反接模块300的第一输出端和第二输出端分别用于连接电源负载；所述防反接模块300包括N沟道增强型MOS场效应管Q1(需要说明的是，图1中把N沟道增强型MOS场效应管Q1内部的二极管D3也示出)、第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一电阻R1的第一端对应为所述防反接模块300的输入端和第一输出端；所述第一电阻R1的第二端和所述第二电阻R2的第一端接在一起，所述第二电阻R2的第二端对应为所述防反接模块300的第二输出端；所述N沟道增强型MOS场效应管Q1的漏极对应为所述防反接模块300的接地端；所述N沟道增强型MOS场效应管Q1的源极接所述第二电阻R2的第二端；所述N沟道增强型MOS场效应管Q1的栅极与所述第一电阻R1的第二端接在一起。

上述电源处理电路，在电源极性正确时，电流起始时通过N沟道增强型MOS场效应管Q1内的二极管D3导通，源极电压接近0V；第一电阻R1和第二电阻R2分压后，为栅极提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二极管D3给替代了，从而产生的压降也很小，发热小，损耗也小；电源反接时，场效应管内的二极管D3未到击穿电压不导通；分压电阻无电流流过无法提供栅极电压，也不导通，从而起到保护作用。

在另外一个实施例中，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值可以相等。

参阅图2，是本实用新型电源处理电路又一实施例的电路示意图。

一种电源处理电路，包括电压保护模块100、电流保护模块200、防反接模块300和滤波模400。

所述电压保护模块100设有第一端和第二端；所述电压保护模块100的第一端接输入电源；所述电压保护模块100的第二端接地。

具体地，在本实施例中，所述电压保护模块100包括单向瞬态抑制二极管D1；所述单向瞬态抑制二极管D1的负极、正极分别对应为所述电压保护模块100的第一端和第二端。

如果输入电源是5V，可选6.5V一7V击穿的单向瞬态抑制二极管D1。在正常工作时，单向瞬态抑制二极管D1不工作，相当开路；当工作电压中有瞬间高压脉冲时，单向瞬态抑制二极管D1在高压脉冲作用瞬间被箝位于9V左右。这瞬间9V电压对5V工作的电路是安全的。当高压脉冲过去后，单向瞬态抑制二极管D1又相当开路。

由此可见，在输入电源电压正常时(或略有波动时)单向瞬态抑制二极管D1不工作，也不损耗电路。在有瞬间高压脉冲时，它吸收了瞬间大电流而箝位在比工作电源略高的电压上保护了电路。它可以反复使用，有很长的使用寿命。

在另外一个实施例中，所述电压保护模块100包括双向瞬态抑制二极管；所述双向瞬态抑制二极管的两端对应为所述电压保护模块100的第一端和第二端。

单向瞬态抑制二极管，可以对正瞬间高压脉冲箝位。双向瞬态抑制二极管可以对正、反瞬间高压脉冲箝位。双向瞬态抑制二极管相当于两个单向瞬态抑制二极管反相串联在一起。不论正负瞬态高压脉冲都可以获得保护，并且不影响电路的正常工作。

所述电流保护模块200具有第一端和第二端；所述电流保护模块200的第一端接所述输入电源；所述电流保护模块200的第二端接所述防反接模块300的输入端。

具体地，所述电流保护模块200包括保险丝F1，所述保险丝F1的两端对应为所述电流保护模块200的第一端和第二端。保险丝F1可以起到过载保护作用，当电路中的电流过大时，保险丝F1自身熔断切断电流。

在另外一个实施例中，所述保险丝F1是自恢复保险丝。自恢复保险丝采用高分子有机聚合物在高压、高温，硫化反应的条件下，搀加导电粒子材料后，经过特殊的工艺加工而成。普通保险丝过流保护，仅能保护一次，烧断了需要更换，而自恢复保险丝具有过流过热保护，自动恢复双重功能。

所述防反接模块300设有输入端、接地端、第一输出端和第二输出端；所述防反接模块300的接地端用于接地；所述防反接模块300包括N沟道增强型MOS场效应管Q1(需要说明的是，图2中把N沟道增强型MOS场效应管Q1内部的二极管D3也示出)、第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一电阻R1的第一端对应为所述防反接模块300的输入端和第一输出端；所述第一电阻R1的第二端和所述第二电阻R2的第一端接在一起，所述第二电阻R2的第二端对应为所述防反接模块300的第二输出端；所述N沟道增强型MOS场效应管Q1的漏极对应为所述防反接模块300的接地端；所述N沟道增强型MOS场效应管Q1的源极接所述第二电阻R2的第二端；所述N沟道增强型MOS场效应管Q1的栅极与所述第一电阻R1的第二端接在一起。

在电源极性正确时，电流起始时通过N沟道增强型MOS场效应管Q1内的二极管D3导通，源极电压接近0V；第一电阻R1和第二电阻R2分压后，为栅极提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二极管D3给替代了，从而产生的压降也很小，发热小，损耗也小；电源反接时，场效应管内的二极管D3未到击穿电压不导通；分压电阻无电流流过无法提供栅极电压，也不导通，从而起到保护作用。

所述滤波模块400设有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；所述滤波模块400的第一输入端接所述防反接模块300的第一输出端；所述滤波模块400的第二输入端接所述防反接模块300的第二输出端；所述滤波模块400的第一输出端、第二输出端分别接电源负载。

具体地，所述滤波模块400包括滤波器BNX002；所述滤波器BNX002的B端对应为所述滤波模块400的第一输入端；所述滤波器BNX002的PSG端对应为所述滤波模块400的第二输入端；所述滤波器BNX002的CB端对应为所述滤波模块400的第一输出端；所述滤波器BNX002的CG端对应为所述滤波模块400的第二输出端。

可以理解，滤波器的型号不限于BNX002。

上述电源处理电路，通过设置电压保护模块100、电流保护模块200、防反接模块300和滤波模块400，对输入电源进行处理，实现了防过压、防过流、防反接和滤波功能，有效地保护了电源负载。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电源处理电路，其特征在于，包括：防反接模块；

所述防反接模块设有输入端、接地端、第一输出端和第二输出端；

所述防反接模块的输入端用于连接输入电源；所述防反接模块的接地端用于接地；所述防反接模块的第一输出端和第二输出端分别用于连接电源负载；

所述防反接模块包括N沟道增强型MOS场效应管、第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的第一端对应为所述防反接模块的输入端和第一输出端；所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端接在一起，所述第二电阻的第二端对应为所述防反接模块的第二输出端；所述N沟道增强型MOS场效应管的漏极对应为所述防反接模块的接地端；所述N沟道增强型MOS场效应管的源极接所述第二电阻的第二端；所述N沟道增强型MOS场效应管的栅极与所述第一电阻的第二端接在一起。

2.根据权利要求1所述的电源处理电路，其特征在于，还包括电流保护模块；所述电流保护模块具有第一端和第二端；

所述防反接模块的输入端通过所述电流保护模块接所述输入电源；所述电流保护模块的第一端接所述输入电源；所述电流保护模块的第二端接所述防反接模块的输入端。

3.根据权利要求2所述的电源处理电路，其特征在于，所述电流保护模块包括保险丝，所述保险丝的两端对应为所述电流保护模块的第一端和第二端。

4.根据权利要求3所述的电源处理电路，其特征在于，所述保险丝是自恢复保险丝。

5.根据权利要求1所述的电源处理电路，其特征在于，还包括电压保护模块；所述电压保护模块设有第一端和第二端；

所述电压保护模块的第一端接所述输入电源；所述电压保护模块的第二端接地。

6.根据权利要求5所述的电源处理电路，其特征在于，所述电压保护模块包括单向瞬态抑制二极管；所述单向瞬态抑制二极管的负极、正极分别对应为所述电压保护模块的第一端和第二端。

7.根据权利要求5所述的电源处理电路，其特征在于，所述电压保护模块包括双向瞬态抑制二极管；所述双向瞬态抑制二极管的两端对应为所述电压保护模块的第一端和第二端。

8.根据权利要求1所述的电源处理电路，其特征在于，还包括滤波模块；

所述滤波模块设有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；

所述防反接模块的第一输出端和第二输出端分别通过所述滤波模块接所述电源负载；

所述滤波模块的第一输入端接所述防反接模块的第一输出端；所述滤波模块的第二输入端接所述防反接模块的第二输出端；所述滤波模块的第一输出端、第二输出端分别接所述电源负载。

9.根据权利要求8所述的电源处理电路，其特征在于，所述滤波模块包括滤波器BNX002；所述滤波器BNX002的B端对应为所述滤波模块的第一输入端；所述滤波器BNX002的PSG端对应为所述滤波模块的第二输入端；所述滤波器BNX002的CB端对应为所述滤波模块的第一输出端；所述滤波器BNX002的CG端对应为所述滤波模块的第二输出端。

10.根据权利要求1至9任一项所述的电源处理电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相等。