CN206727891U - 一种单mos管单运放组成的全波整流电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种单MOS管单运放组成的全波整流电路及装置，属于整流电路领域。其包括整流电路信号输入端、整流电路信号输出端，还包括一个运算放大器和一个MOS晶体管：所述运算放大器的同向输入端经第二电阻R2连接所述整流电路信号输入端，运算放大器的反向输入端经第三电阻R3连接所述整流电路信号输入端，运算放大器的输出端接整流电路信号输出端，运算放大器的输出端与反向输入端之间并联连接有第四电阻R4和MOS晶体管。本实用新型设计仅使用一个MOS晶体管和一个运算放大器及四个电阻组成了整流电路，可对交流输入电压进行整流，输出直流电压，使全波整流电路的设计更加简单，更加高效。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种整流电路，具体地说是一种单MOS管单运放组成的全波整流电路。
背景技术
整流电路是把交流电能转换成为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成。整流电路的作用是将交流降压电路输出的电压较低的交流电转换成单向脉动性直流电，这就是交流电的整流过程，整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压。习惯上称单向脉动性直流电压。通常整流电路又分为半波整流电路、全波整流电路以及桥式整流电路。半波整流电路输出的电压只有半周，半波整流电路只是滤去了交流电的半周，没有改变单向脉冲性直流电中的交流成分的频率；全波整流和桥式整流电路相同，对输入交流电压的正、负半周都进行了整流。
发明内容
本实用新型的技术任务是针对现有技术的不足，提供一种单MOS管单运放组成的全波整流电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，包括整流电路信号输入端、整流电路信号输出端，还包括一个运算放大器和一个MOS晶体管：
所述运算放大器的同向输入端经第二电阻R2连接所述整流电路信号输入端，运算放大器的反向输入端经第三电阻R3连接所述整流电路信号输入端，运算放大器的输出端接整流电路信号输出端，运算放大器的输出端与反向输入端之间并联连接有第四电阻R4和MOS晶体管。
可选地，所述MOS晶体管的源极接运算放大器的反向输出端，其栅极接地，其漏极接运算放大器的输出端。
可选地，所述运算放大器的同向输入端经第一电阻R1后接地。
可选地，所述MOS管为耗尽型NMOS管。
可选地，所述运算放大器型号为OPA2251。
可选地，所述第一电阻R1的阻值为195 K。
可选地，所述第二电阻R2和第三电阻R3的阻值相等。
可选地，所述第二电阻R2和第三电阻R3的阻值为22 K。
可选地，所述第四电阻R4的阻值是第一电阻R1阻值的两倍。
本实用新型的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，与现有技术相比所产生的有益效果是：
能接近理想二极管的整流性能；作用是将交流电压全波整流成直流电压，与传统的半波整流相比，此全波整流电路也将交流电的负半轴部分进行了整流，大大提高了整流效率，与传统的桥式全波整流电路相比，仅用了单个MOS晶体管，添加了一个运算放大器，简化了全波整流电路，扩展了整流电路学习人员的学习方向。
附图说明
附图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图1，对本实用新型的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路作以下详细说明。
如附图1所示，本实用新型的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，包括整流电路信号输入端Vin、整流电路信号输出端Vout，还包括一个运算放大器和一个MOS晶体管。
运算放大器型号为OPA2251，运算放大器的同向输入端一路经第一电阻R1后接地，另一路经第二电阻R2连接至整流电路信号输入端Vin，运算放大器的反向输入端经第三电阻R3连接至整流电路信号输入端Vin，运算放大器的输出端接整流电路信号输出端Vout，运算放大器的输出端与反向输入端之间并联连接有第四电阻R4和MOS晶体管。
MOS管为耗尽型NMOS管，MOS晶体管的源极接运算放大器的反向输出端，其栅极接地，其漏极接运算放大器的输出端。
上述第一电阻R1的阻值为195 K，第二电阻R2和第三电阻R3的阻值相等，为22 K，第四电阻R4的阻值是第一电阻R1阻值的两倍，为390 K。
以下对本实用新型的电路原理进行说明：
在交流电压输入正半波期间内，MOS晶体管的体二极管导通，此电路便成了同相放大器，运算放大器输出为正，输出直流电压与输入交流电压正半波部分同相；在交流电压输入负半波期间内，MOS晶体管的体二极管处于截止状态，此通路可以看做成开路状态，所以输出直流电压与输出交流电压负半波部分反相。且MOS晶体管的耐压性远远的高于二极管，所以可以对较高幅值的交流电进行全波整流。由此，电路便完成了对交流输入电压的整流。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (9)
1.一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，包括整流电路信号输入端、整流电路信号输出端，其特征在于，还包括一个运算放大器和一个MOS晶体管：
所述运算放大器的同向输入端经第二电阻R2连接所述整流电路信号输入端，运算放大器的反向输入端经第三电阻R3连接所述整流电路信号输入端，运算放大器的输出端接整流电路信号输出端，运算放大器的输出端与反向输入端之间并联连接有第四电阻R4和MOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，其特征在于，所述MOS晶体管的源极接运算放大器的反向输出端，其栅极接地，其漏极接运算放大器的输出端。
3.根据权利要求1或2所述的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，其特征在于，所述运算放大器的同向输入端经第一电阻R1后接地。
4.根据权利要求1或2所述的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，其特征在于，所述MOS管为耗尽型NMOS管。
5.根据权利要求1或2所述的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，其特征在于，所述运算放大器型号为OPA2251。
6.根据权利要求3所述的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，其特征在于，所述第一电阻R1的阻值为195 K。
7.根据权利要求1或2所述的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，其特征在于，所述第二电阻R2和第三电阻R3的阻值相等。
8.根据权利要求6所述的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，其特征在于，所述第二电阻R2和第三电阻R3的阻值为22 K。
9.根据权利要求3所述的一种单MOS管单运放组成的全波整流电路，其特征在于，所述第四电阻R4的阻值是第一电阻R1阻值的两倍。
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Publications (1)
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN113472335A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-01 | 电子科技大学 | 一种交流信号的单向导通电路 |
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2017
- 2017-04-19 CN CN201720413109.7U patent/CN206727891U/zh active Active
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