CN206660329U - 一种硼中子俘获治疗装置 - Google Patents

Abstract

一种硼中子俘获治疗装置，包括DT中子发生器、中子慢化装置和中子准直装置，所述DT中子发生器水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置安装在中子慢化装置另一侧，中子慢化装置包括壳体、石墨层、铅层和重水层，壳体为矩形壳体，石墨层位于壳体内一侧切位于DT中子发生器端，铅层位于石墨层与重水层之间，重水层紧邻铅层且位于中子准直装置一侧，所述中子准直装置包括准直管、液压伸缩连接头、碳化硼挡板、碳化硼吸收层和端盖。DT中子发生器通过中子慢化装置可以有效的提高中子的慢化效率，并通过中子准直装置的调束，硼中子俘获治疗的效果更佳。

Description

一种硼中子俘获治疗装置

技术领域

本实用新型涉及一种治疗装置，尤其涉及一种硼中子俘获治疗装置。

背景技术

硼中子俘获治疗（BNCT）通过在肿瘤细胞内的原子核反应来摧毁癌细胞，它的原理是这样的：先给病人注射一种含硼的特殊化合物。这种化合物与癌细胞有很强的亲和力，进入人体后，迅速聚集于癌细胞内，而其他组织内分布很少。这种含硼化合物对人体无毒无害，对癌症也无治疗作用。这时，用一种超热中子射线进行照射，这种射线对人体的损伤不大，但中子与进入癌细胞里的硼能发生很强的核反应，释放出一种杀伤力极强的射线，这种射线的射程很短，只有一个癌细胞的长度。所以只杀死癌细胞，不损伤周围组织。这种有选择的只杀死形状复杂的癌细胞而不损伤正常组织的技术，称为硼中子俘获治疗技术。

在硼中子俘获治疗(BNCT) 中，肿瘤位置的中子通量需要大于109cm-2s-1，快中子所占比例要求小于3％。高产额D-T 中子发射器具有价格低、体积小、可移动、关断后无辐射等优点，是BNCT 最佳的候选中子源。但是其中子能量为14MeV，需要慢化后才能用于BNCT。

随着产额为1012n/s 的D-T 中子发生器的出现，14MeV 中子的慢化成为研究热点。目前，常用的中子慢化材料是铅、水、重水、石蜡以及聚乙烯等，其缺点是慢化效率低，即使D-T 中子发生器的产额提高到10¹³n/s，也达不到BNCT 的要求。

实用新型内容

本实用新型正是针对现有技术存在的不足，提供了一种硼中子俘获治疗装置。

为解决上述问题，本实用新型所采取的技术方案如下：

一种硼中子俘获治疗装置，包括DT中子发生器、中子慢化装置和中子准直装置，所述DT中子发生器水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置安装在中子慢化装置另一侧，中子慢化装置包括壳体、石墨层、铅层和重水层，壳体为矩形壳体，石墨层位于壳体内一侧切位于DT中子发生器端，铅层位于石墨层与重水层之间，重水层紧邻铅层且位于中子准直装置一侧，所述中子准直装置包括准直管、液压伸缩连接头、碳化硼挡板、碳化硼吸收层和端盖，准直管为矩形管腔，准直管外壁上水平均匀设有通槽，液压伸缩连接头安装在通槽上，碳化硼挡板竖直安装在通槽中且与液压伸缩连接头连接，碳化硼吸收层位于准直管内壁，端盖安装在准直管两端。

进一步的，所述中子慢化装置的壳体上设有重水补充口。

进一步的，所述准直管一端设有抽真空管。

进一步的，所述中子准直管的液压伸缩连接头与外部液压装置连接。

本实用新型与现有技术相比较，本实用新型的实施效果如下：

本实用新型所述的一种硼中子俘获治疗装置，DT中子发生器通过中子慢化装置可以有效的提高中子的慢化效率，当DT中子发生器的产额高于1.05×10¹²n/s时，可以使热中子通量大于于1.0×10⁹n/s，且快中子的比例小于3%，满足硼中子俘获治疗的需要，同时，通过中子准直装置的调束，硼中子俘获治疗的效果更佳。

附图说明

图1为本实用新型所述的一种硼中子俘获治疗装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合具体的实施例来说明本实用新型的内容。

如图1所示为本实用新型所述的一种硼中子俘获治疗装置的结构示意图，所述的一种硼中子俘获治疗装置，包括DT中子发生器10、中子慢化装置20和中子准直装置30，所述DT中子发生器10水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置30安装在中子慢化装置20另一侧，中子慢化装置20包括壳体21、石墨层22、铅层23和重水层24，壳体21为矩形壳体21，石墨层22位于壳体21内一侧切位于DT中子发生器10端，铅层23位于石墨层22与重水层24之间，重水层24紧邻铅层23且位于中子准直装置30一侧，所述中子准直装置30包括准直管31、液压伸缩连接头32、碳化硼挡板33、碳化硼吸收层34和端盖35，准直管31为矩形管腔，准直管31外壁上水平均匀设有通槽，液压伸缩连接头32安装在通槽上，碳化硼挡板33竖直安装在通槽中且与液压伸缩连接头32连接，碳化硼吸收层34位于准直管31内壁，端盖35安装在准直管31两端。

所述的一种硼中子俘获治疗装置，DT中子发生器10通过中子慢化装置20可以有效的提高中子的慢化效率，当DT中子发生器10的产额高于1.05×10¹²n/s时，可以使热中子通量大于于1.0×10⁹n/s，且快中子的比例小于3%，满足硼中子俘获治疗的需要，同时，通过中子准直装置30的调束，硼中子俘获治疗的效果更佳。

所述中子慢化装置20的壳体21上设有重水补充口25，及时补充重水，保证中子慢化装置20对快中子的慢化效果。

所述准直管31一端设有抽真空管36，可将准直管31抽成真空环境，提高中子的准直性。

所述中子准直管31的液压伸缩连接头32与外部液压装置连接，便于根据需求，通过液压伸缩连接头32控制碳化硼挡板33的伸缩，调节中子准直装置30对中子的准直效果。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种硼中子俘获治疗装置，其特征是：包括DT中子发生器（10）、中子慢化装置（20）和中子准直装置（30），所述DT中子发生器（10）水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置（30）安装在中子慢化装置（20）另一侧，中子慢化装置（20）包括壳体（21）、石墨层（22）、铅层（23）和重水层（24），壳体（21）为矩形壳体（21），石墨层（22）位于壳体（21）内一侧切位于DT中子发生器（10）端，铅层（23）位于石墨层（22）与重水层（24）之间，重水层（24）紧邻铅层（23）且位于中子准直装置（30）一侧，所述中子准直装置（30）包括准直管（31）、液压伸缩连接头（32）、碳化硼挡板（33）、碳化硼吸收层（34）和端盖（35），准直管（31）为矩形管腔，准直管（31）外壁上水平均匀设有通槽，液压伸缩连接头（32）安装在通槽上，碳化硼挡板（33）竖直安装在通槽中且与液压伸缩连接头（32）连接，碳化硼吸收层（34）位于准直管（31）内壁，端盖（35）安装在准直管（31）两端。

2.根据权利要求1所述的一种硼中子俘获治疗装置，其特征是，所述中子慢化装置（20）的壳体（21）上设有重水补充口（25）。

3.根据权利要求1所述的一种硼中子俘获治疗装置，其特征是，所述准直管（31）一端设有抽真空管（36）。

4.根据权利要求1所述的一种硼中子俘获治疗装置，其特征是，所述中子准直管（31）的液压伸缩连接头（32）与外部液压装置连接。