CN206498202U - 一种二阶高次谐波滤波单元 - Google Patents
一种二阶高次谐波滤波单元 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种二阶高次谐波滤波单元,其特征是:包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路,还包括熔断器F,熔断器F的一端与火线相连,所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。与现有技术相比,改变本实用新型的二阶高次谐波吸收电路中L1、C1、L2、C2的值可以吸收某特定频率的高次谐波,适应于特定场合对某频率段的特征高次谐波进行吸收。
Description
技术领域
本实用新型涉及高次谐波滤波技术领域,具体地说是一种二阶高次谐波滤波单元。
背景技术
滤波电路常用于滤去整流输出电压中的纹波,一般由电抗元件组成,如在负载电阻两端并联电容器C或与负载串联电感器L,以及由电容,电感组成的各种复式滤波电路。
目前高次谐波滤波技术主要基于LC单调谐吸收原理设计,对高次谐波的吸收效果一般,且无法实现针对特定场合进行特征高次谐波的吸收。
实用新型内容
为克服上述现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种二阶高次谐波滤波单元,适用于特定场合对特征高次谐波的吸收。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种二阶高次谐波滤波单元,其特征是:包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路,还包括熔断器F,熔断器F的一端与火线相连,所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。
优选地,所述二阶高次谐波吸收电路包括并联连接的电容器C1、电感线圈 L1和电阻R1,所述电容器C1、电感线圈L1和电阻R1的一端连接熔断器F,另一端连接电容器C2,电容器C2的另一端连接电感线圈L2,电感线圈L2的另一端接零线。
优选地,所述过电压保护电路包括压敏电阻RV1和TVS管D1,压敏电阻RV1和TVS管D1并联在熔断器F和零线之间。
优选地,所述RC电路为一阶RC电路,包括电阻R2和电容器C3,电阻R2和电容器C3并联在熔断器F和零线之间。
优选地,还包括指示电路和过压吸收元件,所述指示电路包括电阻R3和发光二极管LED1,所述过压吸收元件为稳压管D2,电阻R3的一端连接在电容C2和电感线圈L2之间,另一端连接并联连接的发光二极管LED1和稳压管D2,发光二极管LED1和稳压管D2的另一端接零线。
优选地,所述电感线圈L1和L2线圈材料为非晶合金。
本实用新型的有益效果是:与现有技术相比,本实用新型由C1、L1、R1、 C2、L2组成的二阶高次谐波吸收电路,改变L1、C1、L2、C2的值可以吸收某特定频率的高次谐波,适应于特定场合对某频率段的特征高次谐波进行吸收。
L1和L2是由非晶合金材料设计的电感线圈,具有很低的线圈内阻,降低元器件的体积,增强谐波吸收效果。
由TVS管D1和压敏电阻RV1组成的过电压吸收电路,可以吸收电网的浪涌、脉冲群、尖峰电压。
由C3和R2组成的电路可以对高频谐波形成低阻抗回路,对整个频带内的高次谐波具有吸收作用,其中R2为C3的泄放电阻。
附图说明
图1是本实用新型的结构图。
图2是本实用新型的电路图。
具体实施方式
如图1,2所示,本实用新型的一种二阶高次谐波滤波单元,其特征是:包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路,还包括熔断器F,熔断器F的一端与火线相连,所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。
其中所述二阶高次谐波吸收电路包括并联连接的电容器C1、电感线圈L1和电阻R1,所述电容器C1、电感线圈L1和电阻R1的一端连接熔断器F,另一端连接电容器C2,电容器C2的另一端连接电感线圈L2,电感线圈L2的另一端接零线;所述过电压保护电路包括压敏电阻RV1和TVS管D1,压敏电阻RV1和TVS 管D1并联在熔断器F和零线之间;所述RC电路为一阶RC电路,包括电阻R2 和电容器C3,电阻R2和电容器C3并联在熔断器F和零线之间。
由C1、L1、R1、C2、L2组成的二阶高次谐波吸收电路,改变L1、C1、L2、 C2的值可以吸收某特定频率的高次谐波,适应于特定场合对某频率段的特征高次谐波进行吸收。
由TVS管D1和压敏电阻RV1组成的过电压吸收电路,可以吸收电网的浪涌、脉冲群、尖峰电压。
由C3和R2组成的电路可以对高频谐波形成低阻抗回路,对整个频带内的高次谐波具有吸收作用,其中R2为C3的泄放电阻。
优选地,本实用新型还包括指示电路和过压吸收元件,所述指示电路包括电阻R3和发光二极管LED1,所述过压吸收元件为稳压管D2,电阻R3的一端连接在电容C2和电感线圈L2之间,另一端连接并联连接的发光二极管LED1和稳压管 D2,发光二极管LED1和稳压管D2的另一端接零线。指示电路用于指示电感线圈的电流情况,过压吸收元件为发光二极管LED1提供过压保护。
优选地,L1和L2是由非晶合金材料设计的电感线圈,非晶合金材料具有很低的线圈内阻,同时降低元器件的体积,增加谐波吸收效果。
以上所述只是本实用新型的优选实施方式,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也被视为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种二阶高次谐波滤波单元,其特征是:包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路,还包括熔断器F,熔断器F的一端与火线相连,所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。
2.根据权利要求1所述的一种二阶高次谐波滤波单元,其特征是:所述二阶高次谐波吸收电路包括并联连接的电容器C1、电感线圈L1和电阻R1,所述电容器C1、电感线圈L1和电阻R1的一端连接熔断器F,另一端连接电容器C2,电容器C2的另一端连接电感线圈L2,电感线圈L2的另一端接零线。
3.根据权利要求1所述的一种二阶高次谐波滤波单元,其特征是:所述过电压保护电路包括压敏电阻RV1和TVS管D1,压敏电阻RV1和TVS管D1并联在熔断器F和零线之间。
4.根据权利要求1所述的一种二阶高次谐波滤波单元,其特征是:所述RC电路为一阶RC电路,包括电阻R2和电容器C3,电阻R2和电容器C3并联在熔断器F和零线之间。
5.根据权利要求2所述的一种二阶高次谐波滤波单元,其特征是:还包括指示电路和过压吸收元件,所述指示电路包括电阻R3和发光二极管LED1,所述过压吸收元件为稳压管D2,电阻R3的一端连接在电容C2和电感线圈L2之间,另一端连接并联连接的发光二极管LED1和稳压管D2,发光二极管LED1和稳压管D2的另一端接零线。
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