CN206421900U - 磁集成式三相电抗器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种磁集成式三相电抗器，包括上轭铁芯、中轭铁芯、下轭铁芯，所述上轭铁芯、中轭铁芯及下轭铁芯分别与夹件组合装配，所述上轭铁芯与中轭铁芯间设有上芯柱，所述中轭铁芯与下轭铁芯间设有下芯柱，所述上芯柱上绕制有网侧线圈，所述下芯柱上绕制有逆变侧线圈，所述网侧线圈与逆变侧线圈通过中轭铁芯连接于一体，所述上芯柱采用无取向硅钢片叠加而成，所述下芯柱采用硅钢片叠加而成。将逆变侧电感和网侧电感集成在一起，而且上芯柱与下芯柱采用不同的硅钢片叠加而成，既简化了系统结构，又有效地减小了体积和重量。
Description
技术领域
本实用新型属于电抗器技术领域，涉及一种三相电抗器，具体涉及一种用于大功率、低开关频率光伏逆变器LCL滤波单元中的磁集成式三相电抗器。
背景技术
磁集成式三相电抗器是光伏逆变器的核心器件，用于逆变器的逆变侧和网侧之间，并与其相配套的电容组成了LCL滤波电路，起到了滤波、储能的作用。传统的LCL滤波电路是由逆变侧电感(L)、电容(C)、网侧电感(L)组成，体积大，而且电抗器本身的材料使用较多，客户安装时，操作比较复杂。而且三相电抗器引出母排多采用纯铝材料，与用户的铜排对接时容易产生电化学腐蚀的问题。
实用新型内容
本实用新型解决了现有技术的不足，提供一种磁集成式三相电抗器，将逆变侧电感和网侧电感在磁路与结构上集成在一起，有效的减小了体积，降低了成本，而且还克服了三相电抗器引出母排与用户的铜排对接时容易产生电化学腐蚀的问题。
本实用新型所采用的技术方案是：一种磁集成式三相电抗器，包括上轭铁芯、中轭铁芯、下轭铁芯，所述上轭铁芯、中轭铁芯及下轭铁芯分别与夹件组合装配，所述上轭铁芯与中轭铁芯间设有上芯柱，所述中轭铁芯与下轭铁芯间设有下芯柱，所述上芯柱上绕制有网侧线圈，所述下芯柱上绕制有逆变侧线圈，所述网侧线圈与逆变侧线圈通过中轭铁芯连接于一体，所述网侧线圈上端引出第一引出母排，所述网侧线圈下端与逆变侧线圈上端分别引出第二引出母排，所述逆变侧线圈下端引出第三引出母排，所述第一引出母排，第二引出母排及第三引出母排均由纯铝母排与纯铜母排转接而成，且第二引出母排的勾形铜母排通过螺栓连接有连接母排，且所述网侧线圈与逆变侧线圈通过连接母排实现电连接。
优选地，所述上芯柱采用无取向硅钢片叠加而成，所述无取向硅钢片厚度为0.35mm，型号为B35A250。
优选地，所述下芯柱采用硅钢片叠加而成，所述硅钢片的厚度为0.23mm，型号为B23P090。
相较于现有技术，本实用新型具有的有益效果：将逆变侧电感和网侧电感集成在一起，而且上芯柱与下芯柱采用不同的硅钢片叠加而成，既简化了系统结构，又有效地减小了体积和重量，降低了电抗器的材料成本，而且还克服了三相电抗器引出母排与用户的铜排对接时容易产生电化学腐蚀的问题。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图；
图2是本实用新型引出母排结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
一种磁集成式三相电抗器，参考图1及图2，包括上轭铁芯1、中轭铁芯2、下轭铁芯3，所述上轭铁芯1、中轭铁芯2及下轭铁芯3分别与夹件6组合装配，所述上轭铁芯1与中轭铁芯2间设有上芯柱9，所述中轭铁芯2与下轭铁芯3间设有下芯柱10，所述上芯柱9上绕制有网侧线圈4，所述下芯柱10上绕制有逆变侧线圈5，且所述网侧线圈4与逆变侧线圈5通过中轭铁芯2连接于一体，网侧线圈4与逆变侧线圈5在磁路与结构上集成在一起，有效的减小了体积，降低了成本。所述网侧线圈4上端引出第一引出母排7，所述网侧线圈4下端与逆变侧线圈5上端分别引出第二引出母排11，所述逆变侧线圈5下端引出第三引出母排12，所述第一引出母排7，第二引出母排11及第三引出母排12均由纯铝母排13及纯铜母排14转接而成，且第二引出母排11的纯铜母排14通过螺栓连接有连接母排8，且所述网侧线圈4与逆变侧线圈5通过连接母排8电连接。所述第一引出母排7与第三引出母排12的纯铜母排14均与用户铜排对接，避免了铜铝对接的电化学腐蚀问题，在绕组焊接部分采用纯铝母排13与绕组铝带焊接，避免了引出排与绕组之间铜铝焊接。
所述上芯柱9采用无取向硅钢片叠加而成，所述的无取向硅钢片厚度为0.35mm，型号为B35A250，因为网侧电感4中通过50Hz的基波电流，所以上芯柱9采用价格低廉的无取向硅钢片B35A250。
所述下芯柱10采用硅钢片叠加而成，所述硅钢片的厚度为0.23mm，型号为B23P090。因为所述逆变侧电感5中通过的电流除了50Hz的基波电流下以外，还有大量的高频电流成分，所以下芯柱10采用高磁导率、低损耗取向硅钢片B23P090。
所述电抗器上芯柱9、下芯柱10均采用多气隙结构，即芯柱由n段铁饼和(n-1)段空气隙组成，气隙均匀分布在芯柱之中，可以有效的减小气隙磁通的衍射，降低铁芯边缘效应和噪音。
所述网侧线圈4的绕制方法采用在上芯柱9上直接绕制，即铝箔直接绕制在上芯柱上，简化了线圈的绕制工艺，铝箔与上芯柱9成为一整体，易于电抗器整体装配。
所述逆变侧线圈5的绕制方法采用在下芯柱10上直接绕制，即铝箔直接绕制在下芯柱10上，简化了线圈的绕制工艺，铝箔与下芯柱10成为一整体，易于电抗器整体装配。
上述实施例，只是本实用新型的较佳实施例，并非用来限制本实用新型的实施范围，故凡以本实用新型权利要求所述内容所做的等同变化，均应包括在本实用新型权利要求范围之内。
Claims (3)
1.磁集成式三相电抗器，包括上轭铁芯(1)、中轭铁芯(2)、下轭铁芯(3)，所述上轭铁芯(1)、中轭铁芯(2)及下轭铁芯(3)分别与夹件6组合装配，其特征在于，所述上轭铁芯(1)与中轭铁芯(2)间设有上芯柱(9)，所述中轭铁芯(2)与下轭铁芯(3)间设有下芯柱(10)，所述上芯柱(9)上绕制有网侧线圈(4)，所述下芯柱(10)上绕制有逆变侧线圈(5)，所述网侧线圈(4)与逆变侧线圈(5)通过中轭铁芯(2)连接于一体，所述网侧线圈(4)上端引出第一引出母排(7)，所述网侧线圈(4)下端与逆变侧线圈(5)上端分别引出第二引出母排(11)，所述逆变侧线圈(5)下端引出第三引出母排(12)，所述第一引出母排(7)，第二引出母排(11)及第三引出母排(12)均由纯铝母排(13)及纯铜母排(14)转连而成，且第二引出母排(11)的纯铜母排(14)通过螺栓连接有连接母排(8)，且所述网侧线圈(4)与逆变侧线圈(5)通过连接母排(8)电连接。
2.根据权利要求1所述的磁集成式三相电抗器，其特征之于，所述上芯柱(9)采用无取向硅钢片叠加而成，所述无取向硅钢片厚度为0.35mm，型号为B35A 250。
3.根据权利要求2所述的磁集成式三相电抗器，其特征之于，所述下芯柱(10)采用硅钢片叠加而成，所述硅钢片的厚度为0.23mm，型号为B23P090。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201621480431.3U CN206421900U (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 磁集成式三相电抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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| CN201621480431.3U Active CN206421900U (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 磁集成式三相电抗器 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN206421900U (zh) |
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2016
- 2016-12-30 CN CN201621480431.3U patent/CN206421900U/zh active Active
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