CN206348813U8 - 取像装置 - Google Patents

Abstract

一种取像装置包括成像单元及光接收器。成像单元包括电极、配置于电极上的发光层以及配置于发光层上的第一介电层。物体的至少一部分接触第一介电层的一部份，以使发光层发出对应于所述第一介电层的所述部份的影像光束。光接收器配置于影像光束的传递路径上。

Description

取像装置

技术领域

[0001]本实用新型是有关于一种取像装置，尤其是指一种用于识别生物特征的一种取像 装置。

背景技术

[0002]生物辨识的种类包括脸部、声音、虹膜、视网膜、静脉和指纹辨识等，由于每个人的 指纹都是独一无二的，且指纹不易随着年龄或身体健康状况而变化，因此指纹辨识系统已 成为目前最普及的一种生物辨识系统。依照感测方式的不同，指纹辨识系统还可分为光学 式、电容式、超音波式及热感应式等。

[0003]光学式指纹辨识系统包括取像装置及处理单元。熟知的取像装置包括光源、光接 收器以及透光压板。光源用以发出光束，以照射按压在透光压板上的手指。手指的指纹是由 多条不规则的凸纹（即指纹的凸部）与凹纹（即指纹的凹部)所组成。当手指按压透光压板 时，凸^纹接触透光压板，而凹纹不接触透光压板。传统的光学式指纹辨识器波峰是暗的，波 谷是亮的。藉此，在光接收器的光接收面上形成为明暗交错的指纹影像。光接收器将指纹影 像转换为对应的影像信息，并将影像信息输入至处理单元。处理单元可利用算法计算对应 于指纹的影像信息，进而对用户的身份进行辨识。然而，在上述的取像过程中，指纹的凸纹 与凹纹均会反射光束，当被凸纹反射的光束的光强度与被凹纹反射的光束的光强度差异不 大时，光接收器取得的指纹影像的对比度不高，而不利于使用者的身份辨识。 实用新型内容

[0004]本实用新型提供一种取像装置，能够取得质量良好的影像，以利于辨识。

[0005]本实用新型一实施例的取像装置包括成像单元及光接收器，成像单元包括电极、 配置于电极上的发光层及配置于发光层上的第一介电层。物体的至少一部分接触第一介电 层的一部份，以使发光层发出对应于所述第一介电层的所述部份的影像光束。光接收器配 置于影像光束的传递路径上。

[0006]本实用新型另一实施例的取像装置包括成像单元、光接收器、导电组件及激发源， 成像单元包括载有至少一电极的透明基板、配置于所述至少一电极上的发光层以及配置于 发光层上的第一介电层。物体的至少一部分接触第一介电层的一部份，以使发光层发出对 应于第一介电层的部份的影像光束，而光接收器配置于影像光束的传递路径上。导电组件 配置在成像单元的第一介电层上以定义出至少一不与物体接触的非取像区域，激发源电性 连接于导电组件与电极之间。

[0007] 在本实用新型的一实施例中，上述的取像装置更包括激发源。激发源输出能量至 成像单元的电极及物体，其中能量能使发光层发光。

[0008] 在本实用新型的一实施例中，上述的激发源为电源，且电源与成像单元的电极以 及物体电性连接。

[0009] 在本实用新型的一实施例中，上述的取像装置更包括导电组件。导电组件配置于 成像单元的第一介电层上且具有暴露第一介电层的开口，其中电源与导电组件电性连接， 而物体通过导电组件与电源电性连接。

[0010] 在本实用新型的一实施例中，上述的取像装置更包括导电组件。导电组件整合于 成像单元的第一介电层中，且具有用于接触物体的感测区域。电源与导电组件电性连接，而 物体通过导电组件与电源电性连接。

[0011] 在本实用新型的一实施例中，上述的能量包括电能。

[0012] 在本实用新型的一实施例中，上述的成像单元更包括第二介电层，第二介电层配 置于发光层与电极之间。

[0013] 在本实用新型的一实施例中，上述的取像装置更包括镜头，镜头配置于成像单元 与光接收器之间，影像光束穿过镜头，以成像于光接收器的光接收面上。

[0014] 在本实用新型的一实施例中，上述的取像装置更包括棱镜，成像单元配置于棱镜 上，棱镜偏折影像光束，以使影像光束传递至光接收器的光接收面上。

[0015]在本实用新型的一实施例中，上述的成像单元直接配置于光接收器上而与光接收 器接触。

[0016] 在本实用新型的一实施例中，上述的取像装置更包括导光层，导光层覆盖光接收 器的光接收面，成像单元配置于导光层上。

[0017] 在本实用新型的一实施例中，上述的取像装置更包括反射组件，相对于成像单元 倾斜设置。反射组件反射影像光束，以使影像光束传递至光接收器的光接收面上。

[0018]_在本实用新型的一实施例中，上述的取像装置更包括配置于成像单元上的提示单 元，提示单元包括朝远离成像单元的方向依序堆叠的第一导电图案、第一介电图案、发光图 案、第二介电图案、第二导电图案以及绝缘图案。

[0019] 在本实用新型的一实施例中，上述的第一介电层包括表面硬化处理层。

[0020] 在本实用新型的一实施例中，上述的成像单元更包括第二介电层。第二介电层配 置于发光层与电极之间，第一介电层的硬度大于第二介电层的硬度。

[0021] 在本实用新型的一实施例中，上述的发光层为发光材料与介电材料的混合层。

[0022] 基于上述，本实用新型一实施例的取像装置包括成像单元及光接收器，成像单元 包括电极、配置于电极上的发光层及配置于发光层上的第一介电层。物体的至少一部分接 触第一介电层的一部份，以使对应于物体的至少一部分的发光层的一部分被激发，而发出 对应于物体的至少一部分的影像光束。同时间，物体的另一部分不会接触第一介电层的另 一部份，与第一介电层的另一部份对应的发光层的另一部分不会发光。藉此，光接收器能接 收到对比度高的物体的至少一部分的影像，而有助于辨识。

[0023] 为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附 图式作详细说明如下。

附图说明

[0024]图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图。

[0025]图2是图1的部份结构放大示意图。

[0026]图3是本实用新型的另一种实施例的结构示意图。

[0027]图4是本实用新型的第三种实施例的结构示意图。

[0028]图5是本实用新型的第四种实施例的结构示意图。

[0029]图6是本实用新型的第五种实施例的结构示意图。

[0030]图7是本实用新型的第六种实施例的结构示意图。

[0031]图8是本实用新型的第七种实施例的结构示意图。

[0032]图9是本实用新型的第八种实施例的结构示意图。

[0033]图10是图9中的提示单元的俯视示意图。

[0034] 其中：1:物体；la、lb、lc:物体的一部份；100、100A〜100G:取像装置；110:成像单 兀；112:电极；114:发光层；114a、114b:发光层的一部分；116:第一介电层；116a、116b:第一 介电层的一部份；118:第二介电层；120:激发源；130:透光基板；140:光接收器；140a:光接 收面；15〇:处理单元；160:导电组件；160a:开口； 170:镜头；180:棱镜；180a、180b:平面； 180c:斜面；ig〇:反射组件；192:导光层；192a:上表面；192b:下表面;200:提示单元;201:第 一导电图案；2〇2:第一介电图案;203:发光图案；204:第二介电图案；205:第二导电图案； 206:绝缘图案;d:方向；L:影像光束;L’ ：提示光束。

具体实施方式

[G035]图1为本实用新型一种实施例的取像装置的示意图，图2为图1中所示实施例的取 像装置的部份结构放大示意图。请参照图1及图2,取像装置100用以取得物体1的至少一部 份la的影像。在正常的使用情况下，物体1为生物，而物体1的至少一部份la为所述生物的生 物特征（biometric characteristic)。举例而言，在本实施例中，物体1例如为手指、掌纹 等，而物体1的至少一部份la例如为指纹的凸部。然而，本实用新型不限于此，根据其它实施 例，若物体1为生物，则物体1的至少一部份la也可为其它适当的生物特征。此外，本实用新 型也不限制物体1必需为生物。在不正常的使用情况下，物体1也可能是伪造物，例如：伪手 指等。

[0036] 请参照图1及图2,取像装置100包括成像单元110。成像单元110包括电极112、配置 于电极112上的发光层114以及配置于发光层114上的第一介电层116。电极112为透光电极。 在本实施例中，成像单元110可进一步包括第二介电层118。第二介电层118位于发光层114 与电极112之间。电极112、第二介电层118、发光层114以及第一介电层116沿着指向物体1的 方向d依序排列。发光层114受到对应的激发源120的作用会发光。发光层114的材料可为无 机材料、有机材料或其组合。更进一步地说，在本实施例中，发光层114可为发光材料与介电 材料的混合层。此外，在本实施例中，第一介电层116可经硬化处理而包括表面硬化层，或者 配置一表面硬化层在第一介电层116上。第一介电层116的硬度可大于第二介电层118的硬 度。藉此，物体1按压取像装置1〇〇时，取像装置1〇〇不易受损。再者，在一可行的实施例中，所 述的第一介电层116远离第二介电层118上可形成一保护层（图未示），用以保护第一介电层 116。在本实施例中，发光层114例如为电激发光(electroluminescence，EL)层，但本实用新 型不以此为限。如图1所示，在本实施例中，成像单元11〇可选择性地形成在透光基板130上， 但本实用新型不限于此，在其它实施例中，成像单元110也可形成在其它适当构件上，以下 将于后续段落中配合其它图式举例说明。

[0037] 在本实用新型的任一实施例中的其它可行的具体方案中，所述的透光基板130是 可以是在远离第一介电层116的表面上形成连续或非连续配置的微结构层（图未示出），这 些微结构层可以是呈椭圆状或者是三角形状等。

[0038] 取像装置100包括激发源120。激发源12〇用以输出能量至成像单元110的电极H2 与物体1。当物体1的至少一部分la接触第一介电层116的一部份life时，激发源120输出的 能量会针对与第一介电层116的一部份116a对应的发光层114的一部分114a作用，以使发光 层114的一部分114a发出影像光束L。在本实施例中，第一介电层II6的一部份116a与发光层 114的一部分114a在方向d上可重叠，但本实用新型不以此为限。

[0039] 取像装置1〇〇包括光接收器140。光接收器140配置于影像光束L的传递路径上。影 像光束L可成像在光接收器140的光接收面140a上。光接收器140的光接收面140a接收影像 光束L后，光接收器140能将影像光束L转换为对应物体1的至少一部分la的影像信息。所述 影像信息为电讯号。在本实施例中，取像装置100可进一步包括处理单元150。处理单元150 与光接收器140电性连接。处理单元lf50能根据所述影像信息辨识物体1的身份。在本实施例 中，光接收器140可为具有二维感测数组的光接收器，例如:电荷耦合组件(charge-coupled device;CCD)、互补金属氧化物半导体组件（complementary metal oxide semiconductor; CMOS)等，但本实用新型不以此为限，此外，光接收器140也可以经由一胶材黏附于透光基板 130的下方，或者是跟透光基板130间形成一光束传输路径(如图1至图3所示，透光基板130 与光接收器140之间具有一间隙），合理地予以陈明上述内容。

[0040] 在本实施例中，激发源120例如为电源。所述电源可输出直流电、交流电或其组合。 物体1的至少一部分la例如为指纹的凸部。当物体1的至少一部分la (例如：指纹的凸部)接 触第一介电层II6的一部份116a时，第一介电层116的一部份116a与电极112之间会形成回 路，而使对应于第一介电层116的一部份116a的发光层114的一部分114a发出影像光束L。物 体1的至少一部分la (例如:指纹的凸部)接触第一介电层116时，物体1的另一部分lb (例如： 指纹的凹部)不会接触第一介电层116，与物体1的另一部分lb (例如:指纹的凹部)对应的第 一介电层116的另一部份lieb和电极112之间不会形成回路，而发光层114的另一部分114b 不会发光。藉此，发光层114发出的影像光束L得以反应出物体1的至少一部分la (例如:指纹 的凸部)的影像，进而使光接收器140接收到对比度高的物体1的至少一部分1 a的影像。

[0041] 激发源12〇所输出的能量种类以及输出能量至物体1的方式有许多种。以下以激发 源120所输出能量为电能、通过导电组件160将电能传递至物体1的方式为例说明。举例而 言，在本实施例中，取像装置100还包括导电组件160。导电组件160配置于成像单元110的第 一介电层116上且具有暴露第一介电层116的开口 160a。换言之，在本实施例中，导电组件 160可呈框型，但本实用新型不限于此，在其它实施例中，导电组件160也可呈其它适当形 状。在本实施中，如图1所示，导电组件160可选择性地配置于第一介电层116的上方。然而， 本实用新型不限于此，图3为本实用新型另一实施例的取像装置的结构示意图。在图3的取 像装置100G中，导电组件160可整合在第一介电层116内。导电组件160及第一介电层116可 与发光层114的同一表面接触。这样的设置可以降低取像装置l〇〇G的整体厚度(图未绘示）。 在任一实施例中，导电组件160所在的位置形成一个非感测区域，第一介电层116不被导电 组件160覆盖的区域形成感测区域，当用户手指或手掌碰触所述的感测区域时，导电组件 ie〇可视为一第二电极，所述的感测区可以是一个平坦的表面也可以是一个曲面。其中，导 电组件16〇与第一介电层116电性连接。激发源120与导电组件160及成像单元110的电极112 电性连接。当物体1的至少一部分la接触第一介电层116的一部份116a时，物体1的另一部分 1C同时接触导电组件160。此时，激发源120便可通过导电组件160将能量(例如：电能)传递 至与第一介电层116接触的物体1的至少一部分la上，以使对应于物体1的至少一部分la的 发光层114的一部分114a发出影像光束L，进而取得物体1的至少一部分la的影像信息。需说 明的是，激发源120所输出的能量种类以及传递能量至物体1的方式可有许多种，激发源120 所输出的能量种类不限于电能，例如是磁能，可以在所述的激发源120再连接于一能量转换 单元（图未绘示），用以先将磁能转换成电能再通过所述的能量转换单元将电能转换成光 能，或者是其它方式的能量(如动能)转换成电能后再通过此类的能量转换单元将其转换成 光能。传递电能至物体1的方式也不限于通过导电组件160的方式，在其它实施例中，激发源 120所输出的能量种类以及传递能量至物体1的方式也可依实际需求做其它适当设计。

[0042]图4为本实用新型第三种实施例的取像装置的结构示意图，图4的取像装置100A与 前述的取像装置100类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。取像装置 100A与取像装置100的主要差异在于:取像装置i〇〇A还包括镜头170。以下主要说明此差异， 两者相同或相对应处，还请参照前述说明。

[0043]请参照图4,取像装置100A包括成像单元110及光接收器140。成像单元110包括电 极II2、配置于电极112上的发光层114及配置于发光层114上的第一介电层116。物体1的至 少一部分la接触第一介电层116的一部份116a，以使发光层116a发出对应于第一介电层116 的一部份life的影像光束L。光接收器140配置于影像光束L的传递路径上。与取像装置100 不同的是，取像装置100A还包括镜头170。镜头170配置于成像单元110与光接收器140之间。 影像光束L穿过镜头17〇,以成像于光接收器140的光接收面140a上。利用镜头170,光接收器 140能接收到质量更佳的物体1的至少一部份la的影像，而有助于辨识物体丄。

[0044] 图5为本实用新型第四种实施例的取像装置的结构示意图，图5的取像装置100B与 前述的取像装置100A类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。取像装 置100B与取像装置100A的主要差异在于:取像装置l〇〇B的成像单元110是配置在棱镜180 上，而非配置于透光基板130上。以下主要说明此差异，两者相同或相对应处，还请参照前述 说明。

[0045] 请参照图5,取像装置100B包括成像单元110及光接收器140。成像单元110包括电 极112、配置于电极112上的发光层114及配置于发光层114上的第一介电层116。物体1的至 少一部分la接触第一介电层II6的一部份i16a，以使发光层116a发出对应于第一介电层116 的一部份liea的影像光束L。光接收器140配置于影像光束L的传递路径上。与取像装置100A 不同的是，取像装置100B包括棱镜180。成像单元110配置于棱镜18〇上，而棱镜18〇偏折影像 光束L，以使影像光束L传递至光接收器140的光接收面140a上。详言之，棱镜180具有相垂直 的两平面180a、l8〇b以及与两平面180a、180b连接的斜面180c。成像单元110配置于棱镜180 的斜面ISOc上，以方便物体1按压。棱镜180两平面180a、180b反射及/或折射来自斜面18〇(： 的影像光束L，以使影像光束L传递至光接收器140的光接收面140a。棱镜180的外型不限于 直角三角形柱体，在其它实施例中，棱镜180也可以是其它多边形柱体。 ^〇46]图6为本实用新型第五种实施例的取像装置的结构示意图。图6的取像装置100C与 前述的取像装置100A类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。取像装 置100C与取像装置100A的主要差异在于:取像装置i〇〇c还包括反射组件19〇。以下主要说明 此差异，两者相同或相对应处，还请参照前述说明。

[0047]请参照图6,取像装置100C包括成像单元110及光接收器140。成像单元110包括电 极112、配置于电极112上的发光层114及配置于发光层114上的第一介电层116。物体1的至 少一部分la接触第一介电层II6的一部份life，以使发光层116a发出对应于第一介电层116 的一部份116a的影像光束L。光接收器140配置于影像光束L的传递路径上。与取像装置100A 不同的是，取像装置100C还包括反射组件190。反射组件190反射影像光束L，以使影像光束L 传递至光接收器140的光接收面140a。反射组件190能改变影像光束L的传递路径，而使取像 装置100A构件的设置位置更具弹性，进而实现体积小的取像装置1 〇〇a。

[0048]图7为本实用新型第六种实施例的取像装置的结构示意图。图7的取像装置100D与 前述的取像装置100类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。取像装置 100D与取像装置1〇〇的主要差异在于:取像装置100D的成像单元110是配置在导光层192上， 而非配置在透光基板130上。以下主要说明此差异，两者相同或相对应处，还请参照前述说 明。

[0049]请参照图7,取像装置100D包括成像单元110及光接收器140。成像单元110包括电 极112、配置于电极II2上的发光层114及配置于发光层114上的第一介电层116。物体1的至 少一部分la接触第一介电层II6的一部份116a，以使发光层116a发出对应于第一介电层116 的一部份116a的影像光束L。光接收器140配置于影像光束L的传递路径上。与取像装置1〇〇 不同的是，取像装置100D还包括导光层192。导光层192的材质可为绝缘材料，但不以此为 限。导光层192形成于光接收器140上且覆盖光接收器140的光接收面140a。成像单元110配 置于导光层1似上。导光层192的上表面ig2a与下表面192b可分别与成像单元110的电极112 以及光接收器140的光接收面140a接触。导光层192的厚度薄且可引导影像光束L成像于光 接收面140a，有助于取像装置100D的薄型化。其中，导光层192靠近第二电极112的内表面上 也同样可以配置至少一反射片或者是微结构层（图未示出），这些反射片或微结构层可以一 体成形地连续配置在导光层192的内部或者是通过一胶材贴附于导光层192的外部上，或者 是彼此交错的配置在所述导光层192的内部及/或外表面上。

[0050]图8为本实用新型第七种实施例的取像装置的结构示意图，图8的取像装置10服与 前述的取像装置100D类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。取像装 置100E与取像装置100D的主要差异在于:取像装置i〇〇E的成像单元110直接配置于光接收 器140的光接收面140a上，而非配置于导光层192上。以下主要说明此差异，两者相同或相对 应处，还请参照前述说明。

[0051]请参照图8,取像装置100E包括成像单元110及光接收器140。成像单元11〇包括电 极112、配置于电极112上的发光层114及配置于发光层114上的第一介电层116。物体1的至 少一部分la接触第一介电层II6的一部份life，以使发光层U6a发出对应于第一介电层^6 的一部份life的影像光束L。光接收器140配置于影像光束L的传递路径上。与取像装置1〇〇 不同的是，成像单元110直接配置于光接收器140上，而与光接收器140直接接触。

[0052]图9为本实用新型第八种实施例的取像装置的结构示意图。图9的取像装置i〇〇F与 前述的取像装置100类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。取像装置 100F与取像装置100的主要差异在于:取像装置100F更包括提示单元200。以下主要说明此 差异，两者相同或相对应处，还请参照前述说明。

[0053]请参照图9,取像装置l〇〇F包括成像单元110及光接收器140。成像单元11〇包括电 极112、配置于电极112上的发光层114及配置于发光层114上的第一介电层116。物体1的至 少一部分la接触第一介电层116的一部份116a，以使发光层116a发出对应于第一介电层116 的一部份116a的影像光束L。光接收器140配置于影像光束L的传递路径上。

[00M] 与取像装置100不同的是，取像装置l〇〇F更包括配置于成像单元110上的提示单元 200。 提示单元200包括朝远离成像单元11〇的方向（即与方向d平行或重叠的方向）依序堆叠 第一导电图案2〇1、第一介电图案202、发光图案203、第二介电图案204、第二导电图案205以 及绝缘图案2〇6。发光图案203受到第一导电图案201与第二导电图案205之间的电压差的作 用，而发出提示光束L’。提示光束L’向用户所在处(即物体1所在处)传递。更进一步地说，在 本实施例中，第一导电图案201可为反射电极，而第二导电图案205可为透光电极。发光图案 203发出的部分的提示光束L’可被第一导电图案201反射并穿过第二导电图案205,以传递 至使用者眼中，但本实用新型不以此为限。

[0055]图10为图9中所示实施例的提示单元的俯视示意图，请参照图9及图10,当取像装 置100F开启时，提示单元200发出提示光束L’，以提醒用户正确的按压位置。在本实施例中， 第一导电图案201、第一介电图案202、发光图案203、第二介电图案204、第二导电图案205以 及绝缘图案206可重合，且可以皆呈椭圆环状图形，以定义出正确按压区域（即图9中被绝缘 图案2〇6圈起的椭圆形区域）。然而，本实用新型不限于此，在其它实施例中，第一导电图案 201、 第一介电图案202、发光图案203、第二介电图案204、第二导电图案205以及绝缘图案 206不一定要重合;所述正确按压区域也不一定要设计为椭圆环状图形，在其它实施例中， 所述正确按压区域也可设计为其它适当形状。此外，上述提示单元200也可应用在图2至图8 的任一实施例中，于此便不再逐一说明。将提示单元200应用在图2至图8的任一实施例而构 成的取像装置也在本实用新型所欲保护的范畴内。

[0056]综上所述，本实用新型一实施例的取像装置包括成像单元及光接收器，成像单元 包括电极、配置于电极上的发光层及配置于发光层上的第一介电层。物体的至少一部分接 触第一介电层的一部份时，对应于物体的至少一部分的发光层的一部分会被激发，而发出 对应于物体的至少一部分的影像光束。同时间，物体的另一部分不会接触第一介电层的另 一部份，与所述第一介电层的另一部份对应的发光层的另一部分不会发光。藉此，光接收器 能接收到对比度高的物体的至少一部分的影像，有助于辨识。

[0057]虽然本实用新型已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何所属 技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与 润饰，故本实用新型的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (25)

1. I. 一种取像装置，包括一成像单元，其特征在于， 该成像单元包括： 一电极； 一发光层，配置于该电极上；以及 一第一介电层，配置于该发光层上；以及 一光接收器，其中一物体的至少一部份接触该第一介电层的一部份，以使该发光层发 出对应于该第一介电层的该部份的一影像光束，而该光接收器配置于该影像光束的传递路 径上。
2. 2.根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，还包括:一激发源，输出一能量至该成 像单元的该电极及该物体，其中该能量能使该发光层发光。
3. 3. 根据权利要求2所述的取像装置，其特征在于，该激发源为一电源且与该成像单元的 该电极以及该物体电性连接。
4. 4. 根据权利要求3所述的取像装置，其特征在于，还包括:一导电组件，配置于该成像单 元的该第一介电层上且具有暴露该第一介电层的一开口，其中该电源与该导电组件电性连 接，而该物体通过该导电组件与该电源电性连接。
5. 5. 根据权利要求3所述的取像装置，其特征在于，还包括:一导电组件，整合于该成像单 元的该第一介电层中，且具有用于接触该物体的一感测区域，其中该电源与该导电组件电 性连接，而该物体通过该导电组件与该电源电性连接。
6. 6. 根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，还包括:一第二介电层，配置于该发光 层与该电极之间。
7. 7.根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，还包括:一镜头，配置于该成像单元与 该光接收器之间，其中该影像光束穿过该镜头以成像于该光接收器的一光接收面上。
8. 8.根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，还包括:一棱镜，其中该成像单元配置 于该棱镜上，而该棱镜偏折该影像光束，以使该影像光束传递至该光接收器的一光接收面 上。
9. 9.根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，该成像单元直接配置于该光接收器上 而与该光接收器接触。
10. 10.根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，还包括:一导光层，覆盖该光接收器 的一光接收面，其中该成像单元配置于该导光层上。 II. 根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，还包括:一反射组件，相对于该成像 单元倾斜设置，反射该影像光束，以使该影像光束传递至该光接收器的一光接收面上。
11. 12.根据权利要求1至11项中任一项权利要求所述的取像装置，其特征在于，还包括： 一提不单兀，配置于该成像单元上，该提示单元包括： 一第一导电图案； 一第一介电图案； 一发光图案； 一第二介电图案； 一第二导电图案；以及 一绝缘图案，其中该第一导电图案、该第一介电图案、该发光图案、该第二介电图案、该 第二导电图案； 以及该绝缘图案朝远离该成像单元的方向依序堆叠。
12. 13. 根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，该第一介电层包括表面硬化处理层。
13. 14. 根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，还包括:一第二介电层，配置于该发 光层与该电极之间，其中该第一介电层的硬度大于该第二介电层的硬度。
14. 15. 根据权利要求1所述的取像装置，其特征在于，该发光层为发光材料与介电材料的 混合层。
15. 16. —种取像装置，用以取得一物体的影像，包括 一成像单元，其特征在于，该成像单元包括： 一载有至少一电极的透明基板； 一发光层，配置于该电极上；以及 一第一介电层，配置于该发光层上； 一光接收器，其中该物体的至少一部分接触该第一介电层的一部份，以使该发光层发 出对应于该第一介电层的该部份的一影像光束，而该光接收器配置于该影像光束的传递路 径上；以及 一导电组件，配置在该成像单元的第一介电层上以定义出至少一不与物体接触的非取 像区域;以及 一激发源，电性连接于该导电组件与该电极之间。
16. 17. 根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，还包括:一第二介电层，配置于该发 光层与该电极之间。
17. 18.根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，还包括:一镜头，配置于该成像单元 与该光接收器之间，其中该影像光束穿过该镜头以成像于该光接收器的一光接收面上。
18. 19. 根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，还包括:一棱镜，其中该成像单元配 置于该棱镜上，而该棱镜偏折该影像光束，以使该影像光束传递至该光接收器的一光接收 面上。
19. 20. 根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，该成像单元直接配置于该光接收器 上而与该光接收器接触。
20. 21. 根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，还包括:一导光层，覆盖该光接收器 的一光接收面，其中该成像单元配置于该导光层上。
21. 22. 根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，还包括:一反射组件，相对于该成像 单元倾斜设置，反射该影像光束，以使该影像光束传递至该光接收器的一光接收面上。
22. 23.根据权利要求16至22项中任一项权利要求所述的取像装置，其特征在于，还包括： 一提不单元，配置于该成像单元上，该提示单元包括： 一第一导电图案； 一第一介电图案； 一发光图案； 一第二介电图案； 一第二导电图案；以及 一绝缘图案，其中该第一导电图案、该第一介电图案、该发光图案、该第二介电图案、该 第二导电图案以及该绝缘图案朝远禺该成像单兀的万向依序堆叠。
23. 24. 根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，该第一介电层包括表面硬化处理 层。
24. 25. 根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，还包括:一第二介电层，配置于该发 光层与该电极之间，其中该第一介电层的硬度大于该第二介电层的硬度。
25. 26. 根据权利要求16所述的取像装置，其特征在于，该发光层为发光材料与介电材料的 混合层。