CN206319081U - 一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置 - Google Patents
一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206319081U CN206319081U CN201621426206.1U CN201621426206U CN206319081U CN 206319081 U CN206319081 U CN 206319081U CN 201621426206 U CN201621426206 U CN 201621426206U CN 206319081 U CN206319081 U CN 206319081U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- measuring equipment
- temperature
- temperature measuring
- crystal growth
- volatile matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，所述的测温装置设置于晶体生长炉炉腔之上的炉体盖上，所述的测温装置之测温仪通过安装孔密封设置于炉体盖中，测温仪之测温探头朝向熔汤，所述炉体盖底部对应于测温仪测温探头设置清理装置，所述清理装置一侧设置开口并通过气管连通气源；所述测温仪与清理装置之间设置石英窗口。本实用新型把测温装置设置在晶体生长炉的炉体盖上，对晶体生长炉内部的热场进行非接触式测温，实现温度的闭环控制；在设置有测温仪的石英窗口前端设置清理装置，避免了测温仪被挥发物附着形成的隔层干扰导致的测温误差问题，达到及时掌握和控制晶体的生长情况，提高晶体生长质量。
Description
技术领域
本实用新型属于晶体加工设备技术领域，具体涉及一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置。
背景技术
提拉法晶体生长是先将原料加热至熔点后熔化形成熔液，再利用籽晶种接触到熔液表面，通过籽晶种与熔液的固液界面上因温度差而形成过冷凝结的方式，使坩埚内熔液开始在晶种表面凝固并生长和籽晶种相同晶体结构的单晶，提拉杆把籽晶种以极缓慢的速度往上拉升，随着籽晶种的向上拉升，熔液逐渐凝固于晶种的固液界面上，进而形成一轴对称的单晶晶体棒。由于籽晶种在凝固熔液长晶过程中需要伴随以一定的转速旋转，同时坩埚也在旋转，故无法设置测温热偶，导致生长过程中，极难控制熔液的温度，也就难以掌控炉内工况条件，致使影响了长晶质量。
传统的晶体生长炉多采用在炉体上开设测温视窗以肉眼观察，凭经验判断熔液的温度和长晶情况借以调整熔液的温度和籽晶种的向上拉升速度达到控制，而对于挥发较强的长晶材料，测温视窗的观察镜片很快就被挥发物附着遮挡，肉眼不能清除观察到炉体内熔液的温度和长晶情况，一旦导致观察判断出问题，就难以控制熔液的温度和长晶情况，导致长晶失败，浪费原料，想要采用凭经验判断来控制晶体生长炉的温度和长晶情况的方法来生产出高质量的晶体显然是不可能的，因此对于使用者来说，在生长过程中不能及时掌握和控制晶体的生长情况成为了一直困扰该方法生长晶的难题。
因此，需要一种能有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，达到在生长过程中不能及时掌握和控制晶体的生长情况目的。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，达到能对晶体生长炉内部的热场进行精确的监测。
本实用新型的目的是这样实现的：所述的测温装置设置于晶体生长炉炉腔之上的炉体盖上，所述的测温装置之测温仪通过安装孔密封设置于炉体盖中，测温仪之测温探头朝向熔汤，所述炉体盖底部对应于测温仪测温探头设置清理装置，所述清理装置一侧设置开口并通过气管连通气源；所述测温仪与清理装置之间设置石英窗口。
本实用新型把测温装置设置在晶体生长炉的炉体盖上，对晶体生长炉内部的热场进行非接触式测温，解决了晶体生长炉在长晶过程中，始终处于动态，难以安装直接接触式的测温电偶的弊端，实现温度的闭环控制，温度控制范围可达±2℃；在设置有测温仪的石英窗口前端设置清理装置，在控制装置的控制下定时或不定时对附着到石英窗口上的挥发物进行清除，自然落回熔融坩埚内，重复利用，使测温探头则始终处于高灵敏状态，避免了测温仪被挥发物附着形成的隔层干扰导致的测温误差问题，达到及时掌握和控制晶体的生长情况，降低出现晶体残次品概率，提高晶体生长质量，增加生产效率目的。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的使用状态示意图；
图中标号： 1~炉膛，2~炉体盖， 3~密封结构件，4~测温仪，5~清理装置，6~石英窗口， 7~密封圈，8~清扫室，9~气管，10~ 固定组件。
具体实施方式
根据附图1~2所示的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，所述的测温装置设置于炉膛1之上的炉体盖2上，所述的测温装置之测温仪4通过安装孔密封设置于炉体盖2中，测温仪4之测温探头朝向熔汤，所述炉体盖2底部对应于测温仪4测温探头4设置清理装置5，所述清理装置5一侧设置开口并通过气管9连通气源；所述测温仪4与清理装置之间设置石英窗口6。
所述炉体盖2设有安装通孔，且安装通孔呈倒置的凸字形，所述安装通孔设置在炉体盖2的中心与边缘位置之间，密封圈7配合石英窗口6通过 固定组件10压紧设置在安装通孔的肩部上，所述测温仪4与安装通孔之间通过固定组件10密封固定配合设置。
所述的清理装置5包括气管9、清扫室8和密封结构件3，所述清扫室8一端同轴连接炉体盖2的安装通孔，另一端朝向炉膛1的原料熔液面，气管9一端穿过炉体盖2后与处于炉腔内的清扫室8连接，另一端连通气源。
所述清扫室8为底部设置开口的“U”型结构，即底部设置测温通孔。
所述清扫室8之轴向纵截面呈圆弧形，圆弧中心设置测温通孔。
所述清理装置8之轴向纵截面呈对称的“L”形，其折角呈90°。
所述的石英窗口6的材料为石英。
所述的测温仪4为非接触红外测温仪。
所述的气管9通过密封结构件3与炉体盖2密封配合。
所述的气管9上设有电磁阀。
本实用新型的工作方式：预先在晶体生长炉1的控制装置中设定电磁阀的启动，当炉膛1开始长晶工作后，向清扫室8内通入氢气或惰性气体，由排气口，形成流动的气体，气体充满清扫室8内壁和石英窗口6，把进入到石英窗口6上的挥发物向外吹，避免挥发物沉积在石英窗口6上形成干扰层，影响测温仪4测温数据的准确性，使测温探头则始终处于高灵敏状态。
Claims (10)
1.一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，所述的测温装置设置于晶体生长炉（1）炉腔之上的炉体盖（2）上，所述的测温装置之测温仪（4）通过安装孔密封设置于炉体盖（2）中，测温仪（4）之测温探头朝向熔汤，其特征在于：所述炉体盖（2）底部对应于测温仪（4）测温探头（4）设置清理装置（5），所述清理装置（5）一侧设置开口并通过气管（9）连通气源；所述测温仪（4）与清理装置之间设置石英窗口（6）。
2.根据权利要求1所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述炉体盖（2）设有安装通孔，且安装通孔呈倒置的凸字形，所述安装通孔设置在炉体盖（2）的中心与边缘位置之间，密封圈（7）配合石英窗口（6）通过 固定组件（10）压紧设置在安装通孔的肩部上，所述测温仪（4）与安装通孔之间通过固定组件（10）密封固定配合设置。
3.根据权利要求2所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述的清理装置（5）包括气管（9）、清扫室（8）和密封结构件（3），所述清扫室（8）一端同轴连接炉体盖（2）的安装通孔，另一端朝向晶体生长炉（1）的原料熔液面，气管（9）一端穿过炉体盖（2）后与处于炉腔内的清扫室（8）连接，另一端连通气源。
4.根据权利要求3所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述清扫室（8）为底部设置开口的“U”型结构，即底部设置测温通孔。
5.根据权利要求3所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述清扫室（8）为底部设置开口的“U”型结构，即底部设置测温通孔。
6.根据权利要求3所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述清扫室（8）之轴向纵截面呈圆弧形，圆弧中心设置测温通孔。
7.根据权利要求3所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述清理装置（8）之轴向纵截面呈对称的“L”形，其折角呈90°。
8.根据权利要求1所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述的石英窗口（6）的材料为石英。
9.根据权利要求1或2所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述的测温仪（4）为非接触测温仪。
10.根据权利要求4所述的有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置，其特征在于：所述的气管（9）通过密封结构件（3）与炉体盖（2）密封配合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621426206.1U CN206319081U (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621426206.1U CN206319081U (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206319081U true CN206319081U (zh) | 2017-07-11 |
Family
ID=59259440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201621426206.1U Active CN206319081U (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206319081U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113201790A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-08-03 | 中科汇通(内蒙古)投资控股有限公司 | 一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置 |
| CN114754586A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-07-15 | 眉山博雅新材料股份有限公司 | 一种高温炉 |
-
2016
- 2016-12-23 CN CN201621426206.1U patent/CN206319081U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113201790A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-08-03 | 中科汇通(内蒙古)投资控股有限公司 | 一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置 |
| CN114754586A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-07-15 | 眉山博雅新材料股份有限公司 | 一种高温炉 |
| CN114754586B (zh) * | 2022-05-12 | 2023-02-17 | 眉山博雅新材料股份有限公司 | 一种高温炉 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN206319081U (zh) | 一种有效防止挥发物干扰的提拉法单晶生长炉用测温装置 | |
| CN106435714A (zh) | 一种多晶硅溶液液面距定位方法 | |
| CN106087036A (zh) | 一种直拉单晶炉 | |
| CN104099660B (zh) | 大公斤数蓝宝石晶体的旋转扩肩稳定拉升法 | |
| CN206052206U (zh) | 一种蓝宝石单晶炉 | |
| TWI435961B (zh) | 氧化矽玻璃坩堝的製造方法 | |
| CN102181925A (zh) | 直拉法生长IC级低Fe含量硅单晶的生长工艺与装置 | |
| CN201463538U (zh) | 组合坩埚 | |
| CN205893452U (zh) | 基于电阻炉的晶体自动化生长装置 | |
| CN104152984B (zh) | 一种用于定向生长蓝宝石单晶的可重复使用坩埚 | |
| KR101841550B1 (ko) | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 성장 방법 | |
| CN102531350B (zh) | 氧化硅玻璃坩埚的制造方法 | |
| TWI417259B (zh) | 氧化矽玻璃坩堝的製造方法 | |
| CN102531346B (zh) | 氧化硅玻璃坩埚的制造方法 | |
| CN204058648U (zh) | 一种用于定向生长蓝宝石单晶的可重复使用坩埚 | |
| CN104894637B (zh) | 一种晶体的生长装置及生长方法 | |
| KR101496248B1 (ko) | 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치 | |
| CN206319080U (zh) | 一种可有效防止炉内污染的提拉法晶体生长炉 | |
| CN102719883A (zh) | 一种半导体级单晶硅生产工艺 | |
| CN105803518B (zh) | 类提拉法单晶生长装置及方法 | |
| CN207877928U (zh) | 一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置 | |
| KR20150005385A (ko) | 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 방법 | |
| CN205329208U (zh) | 一种直拉单晶硅的Sb掺杂装置 | |
| KR101744924B1 (ko) | 직접적인 온도 측정수단을 구비한 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법 | |
| CN218756152U (zh) | 一种单晶炉液口距定位装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |