CN206313282U - 皮秒脉宽电光调q激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种皮秒脉宽电光调Q激光器,涉及固体激光技术领域。所述激光器包括从泵浦源沿光轴依次设置的泵浦耦合系统、45°反射镜、增益介质、1/4波片、Q开关和后镜;所述增益介质朝向1/4波片的端面为布儒斯特角,所述增益介质朝向45°反射镜的端面镀半透半反膜。本实用新型在缩短腔长的基础上,采用加压调Q的方式,即保证了百皮秒量级的脉冲输出,又能长时间稳定可靠的运行,便于产品化、大规模生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及固体激光技术领域,尤其涉及一种皮秒脉宽电光调Q激光器。
背景技术
皮秒脉宽电光调Q激光器:百皮秒量级的脉冲激光器,在激光测距、激光雷达、激光加工、激光探测和激光医疗等领域有着广泛的应用。
目前该类型的激光器主要通过削波或者短腔退压调Q的方式来实现,削波的方法要求极短的时间内打开开关;短腔退压调Q利用退压调Q的方式节省腔内器件从而达到缩短腔长输出窄脉宽的目的。现有技术存在的不足体现为:削波方法虽然能实现百皮秒的激光输出,但是由于该方法对电路方面要求苛刻,稳定性差;而短腔退压调Q的方式,需要在Q开关上持续施加高压,会缩短Q开关的使用寿命,长期稳定性不佳。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种皮秒脉宽电光调Q激光器,从而解决现有技术中存在的前述问题。
为了实现上述目的,本实用新型所述皮秒脉宽电光调Q激光器,所述激光器包括从泵浦源沿光轴依次设置的泵浦耦合系统、45°反射镜、增益介质、1/4波片、Q开关和后镜;所述增益介质朝向1/4波片的端面为布儒斯特角,所述增益介质朝向45°反射镜的端面镀半透半反膜。
优选地,所述后镜是谐振腔0度全反镜。
优选地,所述Q开关为电光调Q器件。
优选地,所述Q开关加压调Q器件。
优选地,所述泵浦耦合系统为泵浦二极管激光的准直聚焦系统。
优选地,所述泵浦源为单二极管bar条或二极管阵列或光纤耦合二极管激光器。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型在缩短腔长的基础上,采用加压调Q的方式,即保证了百皮秒量级的脉冲输出,又能长时间稳定可靠的运行,便于产品化、大规模生产。
附图说明
图1是皮秒脉宽电光调Q激光器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例
本实施例所述皮秒脉宽电光调Q激光器,所述激光器包括从泵浦源7开始沿光轴依次设置的泵浦耦合系统6、45°反射镜5、增益介质4、1/4波片3、Q开关2和后镜1;所述增益介质4朝向45°反射镜5的端面为布儒斯特角,所述增益介质4朝向1/4波片3的端面镀半透半反膜,所述增益介质4等效于输出镜使用,这样省去了在墙内再插入偏振片和输出镜,更有利于激光器结构的紧凑。
(一)所述后镜1是谐振腔0度全反镜。
(二)所述Q开关2为电光调Q器件;本实施例中所述Q开关2加压调Q器件,有利于保持调Q开关的使用寿命。
(三)所示1/4波片3是加压调Q的必须器件,起相位延迟作用。
所示增益介质4是激光增益介质,例如:Nd:YAG晶体、Nd:YLF晶体、Nd:YVO4晶体等等,起粒子数反转作用,储存能量。增益介质4镀膜作为输出镜使用,可以有效减小静态光输出,提高调Q动态光的输出能量。
所示45°反射镜5是分光器件,即能透过泵浦光,又能反射所输出的激光。
(四)所述泵浦耦合系统6为泵浦二极管激光的准直聚焦系统。
所述泵浦源7是泵浦光发光源,为单二极管bar条或二极管阵列或光纤耦合二极管激光器。
从泵浦源7发出的光依次经过泵浦耦合系统6、45°反射镜5、增益介质4、1/4波片3、Q开关2后,被后镜1全反射后,再依次经过Q开关2和1/4波片3,最后被增益介质4反射。
通过采用本实用新型公开的上述技术方案,得到了如下有益的效果:
本实用新型在缩短腔长的基础上,采用加压调Q的方式,即保证了百皮秒量级的脉冲输出,又能长时间稳定可靠的运行,便于产品化、大规模生产。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种皮秒脉宽电光调Q激光器,其特征在于,所述激光器包括从泵浦源(7)沿光轴依次设置的泵浦耦合系统(6)、45°反射镜(5)、增益介质(4)、1/4波片(3)、Q开关(2)和后镜(1);
所述增益介质(4)朝向1/4波片(3)的端面为布儒斯特角,所述增益介质(4)朝向45°反射镜(5)的端面镀半透半反膜。
2.根据权利要求1所述皮秒脉宽电光调Q激光器,其特征在于,所述后镜(1)是谐振腔0度全反镜。
3.根据权利要求1所述皮秒脉宽电光调Q激光器,其特征在于,所述Q开关(2)为电光调Q器件。
4.根据权利要求1所述皮秒脉宽电光调Q激光器,其特征在于,所述Q开关(2)加压调Q器件。
5.根据权利要求1所述皮秒脉宽电光调Q激光器,其特征在于,所述泵浦耦合系统(6)为泵浦二极管激光的准直聚焦系统。
6.根据权利要求1所述皮秒脉宽电光调Q激光器,其特征在于,所述泵浦源(7)为单二极管bar条或二极管阵列或光纤耦合二极管激光器。
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CN201621354125.5U CN206313282U (zh) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | 皮秒脉宽电光调q激光器 |
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Publications (1)
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CN206313282U true CN206313282U (zh) | 2017-07-07 |
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CN201621354125.5U Active CN206313282U (zh) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | 皮秒脉宽电光调q激光器 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108767649A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-11-06 | 清华大学 | 非谐振亚纳秒脉冲激光器 |
CN111029893A (zh) * | 2019-05-09 | 2020-04-17 | 长春理工大学 | 双波长交替调q单纵模输出群脉冲激光器及激光输出方法 |
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2016
- 2016-12-09 CN CN201621354125.5U patent/CN206313282U/zh active Active
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