CN206271860U - 一种椭圆形双极化基站天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种椭圆形双极化基站天线，包括介质基板、反射地板、第一同轴线和第二同轴线，所述介质基板的下表面设有第一椭圆形辐射单元、第二椭圆形辐射单元、第三椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元，介质基板的上表面设有第一椭圆弧形馈电单元和第二椭圆弧形馈电单元；所述第一椭圆形辐射单元和第三椭圆形辐射单元相互对称形成第一天线结构，所述第二椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元相互对称形成第二天线结构；所述第一同轴线分别与第三椭圆形辐射单元、第二椭圆弧形馈电单元相连，所述第二同轴线分别与第二椭圆形辐射单元、第一椭圆弧形馈电单元相连。本实用新型性能优良、结构简单、加工方便、加工成本低，且调节简单方便。

Description

一种椭圆形双极化基站天线

技术领域

本实用新型涉及一种双极化基站天线，尤其是一种椭圆形双极化基站天线，属于无线移动通信技术领域。

背景技术

在现代移动通信系统中，基站天线是通信设备之间电信号与空间辐射电磁波的转换器，其性能好坏将直接影响整个系统的整体性能，因此基站天线在整个通信系统中具有剧组轻重的地位。现代基站天线可以使得移动通信网络覆盖范围更加广阔，通信容量更大，而且速率更高，双极化基站天线可以增加容量且满足其他性能指标。

随着现代电信技术的不断发展，移动通信已在已进入第四代移动通信网络(4G网络)，而且第五代移动通信(5G网络)也在研发中。在目前的新一代移动通信体制下，多种通信标准要求基站天线可以实现多系统共用，以此节省基站的数量，减少网络建设成本。目前已存的通信系统频带范围基本都在1.71GHz-2.69GHz频段内，以此需要一种能够完全覆盖1.71GHz-2.69GHz频段的基站天线，并且要求各项指标都具有稳定的宽带特性，例如驻波比带宽(VSWR<1.5)、半功率波瓣宽度满足65°±5°、增益、隔离度、交叉极化比等等，同时基站天线的成本控制和结构简单也很重要。

据调查与了解，目前公开的现有技术如下：

1)2013年温定良等人发表在IEEE ANTENNASAND PROPAGATION上题为“ABroadband±45°Dual-Polarized Antenna With Y-Shaped Feeding Lines”的文章，其通过使用Y型馈电节点来实现很宽的阻抗带宽。

2)2013年罗宇等人发表在IEEEANTENNASAND PROPAGATION上题为“OrientalCrown-Shaped Differentially Fed Dual-Polarized Multidipole Antenna”的文章，其通过使用共面带状线馈电结构，并通过在4个倾斜的介质面上各印制一对长偶极子与一对短偶极子，实现了宽阻抗带宽和稳定方向图，因此获得了较宽的阻抗带宽和稳定的辐射方向图。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的缺陷，提供了一种椭圆形双极化基站天线，该天线性能优良、结构简单、加工方便、加工成本低，且调节简单方便。

本实用新型的目的可以通过采取如下技术方案达到：

一种椭圆形双极化基站天线，包括介质基板、反射地板、第一同轴线和第二同轴线，所述反射地板位于介质基板下方，所述第一同轴线和第二同轴线位于介质基板与反射地板之间，其特征在于：所述介质基板的下表面设有第一椭圆形辐射单元、第二椭圆形辐射单元、第三椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元，介质基板的上表面设有第一椭圆弧形馈电单元和第二椭圆弧形馈电单元；

所述第一椭圆形辐射单元和第三椭圆形辐射单元相互对称形成第一天线结构，所述第二椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元相互对称形成第二天线结构；

所述第一同轴线分别与第三椭圆形辐射单元、第二椭圆弧形馈电单元相连，所述第二同轴线分别与第二椭圆形辐射单元、第一椭圆弧形馈电单元相连。

作为一种优选方案，所述第一椭圆形辐射单元、第二椭圆形辐射单元、第三椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元以圆周方式依次排布在介质基板的下表面。

作为一种优选方案，所述介质基板的下表面还设有第一寄生单元、第二寄生单元、第三寄生单元和第四寄生单元，所述第一寄生单元位于第一椭圆形辐射单元与第二椭圆形辐射单元之间，所述第二寄生单元位于第二椭圆形辐射单元与第三椭圆形辐射单元之间，所述第三寄生单元位于第三椭圆形辐射单元与第四椭圆形辐射单元之间，所述第四寄生单元位于第四椭圆形辐射单元与第一椭圆形辐射单元之间。

作为一种优选方案，所述第一椭圆弧形馈电单元包括依次相连的第一微带部分和第一椭圆弧形延伸部分，所述第二椭圆弧形馈电单元包括依次相连的第二微带部分、第三微带部分、第四微带部分和第二椭圆弧形延伸部分；所述第一椭圆弧形延伸部分用于耦合激励第二椭圆形辐射单元，所述第二椭圆弧形延伸部分用于耦合激励第三椭圆形辐射单元。

作为一种优选方案，所述介质基板上开设有第一开孔、第二开孔、第三开孔和第四开孔，所述第二微带部分通过第一开孔与第三微带部分相连，所述第三微带部分通过第二开孔与第四微带部分相连，所述第一同轴线的外导体与第三椭圆形辐射单元相焊接，第一同轴线的内导体通过第三开孔与第二微带部分相焊接，所述第二同轴线的外导体与第二椭圆形辐射单元相焊接，第二同轴线的内导体通过第四开孔与第一微带部分相焊接。

作为一种优选方案，所述第一椭圆形辐射单元、第二椭圆形辐射单元、第三椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元的内部具有一椭圆形状的挖空区域，该挖空区域上设有宽度相同的第一横条、第二横条、第三横条、第四横条和第五横条。

作为一种优选方案，还包括第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱和第二支撑柱位于介质基板与反射地板之间。

作为一种优选方案，所述反射地板的四周均设有与反射地板垂直的翻边。

作为一种优选方案，所述反射地板和翻边均采用铜片制成。

作为一种优选方案，所述第一同轴线和第二同轴线均采用阻抗为50Ω的同轴线。

本实用新型相对于现有技术具有如下的有益效果：

1、本实用新型的椭圆形双极化基站天线在介质基板的下表面设置四个椭圆形辐射单元，这四个椭圆形辐射单元两两对称形成两个天线结构，使天线具有性能良好、结构简单、加工成本低的优点，同时在介质基板的上表面设置两个椭圆弧形馈电单元，不仅能够调节阻抗匹配，而且与四个椭圆辐射单元一起实现了稳定的天线方向图带宽。

2、本实用新型的椭圆形双极化基站天线在介质基板下表面还设置四个寄生单元，由于四个椭圆形辐射单元以圆周方式排布，而每个寄生单元设置在相邻的两个椭圆形辐射单元之间，在所需的频带范围(1.71GHz-2.69GHz)内出现两个谐振点，其中第一个谐振点有椭圆辐射单元控制，第二个谐振点由寄生单元控制。

3、本实用新型的椭圆形双极化基站天线布局合理，四个椭圆形辐射单元分布在介质基板的下表面，两个椭圆弧形馈电单元分布在介质基板的上表面，使这两个椭圆弧形馈电单元既能调节阻抗匹配，又可以参与辐射。

附图说明

图1为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的立体结构示意图。

图2为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的椭圆形辐射单元、椭圆弧形馈电单元与同轴线焊接的立体结构示意图。

图3为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的介质基板下表面结构示意图。

图4为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的介质基板上表面结构示意图。

图5为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的S参数电磁仿真曲线。

图6为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的驻波比(VSWR)的电磁仿真曲线。

图7为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的增益的电磁仿真曲线。

图8为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的水平面半功率波瓣宽度的电磁仿真曲线。

图9为本实用新型的椭圆形双极化基站天线的垂直面半功率波瓣宽度的电磁仿真曲线。

图10为本实用新型的椭圆形双极化基站天线在1.7GHz时的交叉极化比的电磁仿真曲线。

图11为本实用新型的椭圆形双极化基站天线在2.2GHz时的交叉极化比的电磁仿真曲线。

图12为本实用新型的椭圆形双极化基站天线在.7GHz时的交叉极化比的电磁仿真曲线。

其中，1-介质基板，2-反射地板，3-第一同轴线，4-第二同轴线，5-第一支撑柱，6-第二支撑柱，7-翻边，8-第一椭圆形辐射单元，9-第二椭圆形辐射单元，10-第三椭圆形辐射单元，11-第四椭圆形辐射单元，12-第一寄生单元，13-第二寄生单元，14-第三寄生单元，15-第四寄生单元，16-第一横条，17-第二横条，18-第三横条，19-第四横条，20-第五横条，21-第一椭圆弧形馈电单元，22-第二椭圆弧形馈电单元，23-第一微带部分，24-第一椭圆弧形延伸部分，25-第二微带部分，26-第三微带部分，27-第四微带部分，28-第二椭圆弧形延伸部分，29-第一开孔，30-第二开孔，31-第三开孔，32-第四开孔。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例1：

如图1-图4所示，本实施例的椭圆形双极化基站天线包括介质基板1、反射地板2、第一同轴线3、第二同轴线4、第一支撑柱5和第二支撑柱6；

所述介质基板1由PCB板制成，所述反射地板2位于介质基板1的下方，其四周均设有与反射地板2垂直的翻边7，所述反射地板2和翻边7采用金属材料制成，金属材料优选采用铜片，所述第一同轴线3、第二同轴线4、第一支撑柱5和第二支撑柱6位于介质基板1与反射地板2之间，其中第一同轴线3和第二同轴线4用于传输信号，阻抗均为50Ω；所述第一支撑柱5和第二支撑柱6用来支撑介质基板1。

所述介质基板1的下表面设有第一椭圆形辐射单元8、第二椭圆形辐射单元9、第三椭圆形辐射单元10、第四椭圆形辐射单元11、第一寄生单元12、第二寄生单元13、第三寄生单元14和第四寄生单元15；

所述第一椭圆形辐射单元8、第二椭圆形辐射单元9、第三椭圆形辐射单元10和第四椭圆形辐射单元11以圆周方式依次排布在介质基板1的下表面，第一椭圆形辐射单元8和第三椭圆形辐射单元10相互对称形成第一天线结构，第二椭圆形辐射单元9和第四椭圆形辐射单元11相互对称形成第二天线结构；在本实施例中，所述第一椭圆形辐射单元8、第二椭圆形辐射单元9、第三椭圆形辐射单元10和第四椭圆形辐射单元11的内部具有一椭圆形状的挖空区域，该挖空区域上设有宽度相同的第一横条16、第二横条17、第三横条18、第四横条19和第五横条20，这些横条可以增加电流的路径，进而改善反射系数S11/S22；

所述第一寄生单元12位于第一椭圆形辐射单元8与第二椭圆形辐射单元9之间，所述第二寄生单元13位于第二椭圆形辐射单元9与第三椭圆形辐射单元10之间，所述第三寄生单元14位于第三椭圆形辐射单元10与第四椭圆形辐射单元11之间，所述第四寄生单元15位于第四椭圆形辐射单元11与第一椭圆形辐射单元8之间，这四个寄生单元用来扩展高频带宽；

所述介质基板1的上表面设有第一椭圆弧形馈电单元21和第二椭圆弧形馈电单元22，所述第一椭圆弧形馈电单元21用于给第二天线结构馈电，包括依次相连的第一微带部分23和第一椭圆弧形延伸部分24；所述第二椭圆弧形馈电单元22用于给第一天线结构馈电，包括依次相连的第二微带部分25、第三微带部分26、第四微带部分27和第二椭圆弧形延伸部分28；其中，第一椭圆弧形延伸部分24用于耦合激励第二椭圆形辐射单元9，所述第二椭圆弧形延伸部分28用于耦合激励第三椭圆形辐射单元10。

所述介质基板1上开设有第一开孔29、第二开孔30、第三开孔31和第四开孔32，所述第二微带部分25通过第一开孔29与第三微带部分26相连，所述第三微带部分26通过第二开孔30与第四微带部分27相连；

所述第一同轴线3分别与第三椭圆形辐射单元10、第二椭圆弧形馈电单元22相连，具体方式为：第一同轴线3的外导体与第三椭圆形辐射单元10相焊接，第一同轴线3的内导体通过第三开孔31与第二微带部分25相焊接；

所述第二同轴线4分别与第二椭圆形辐射单元9、第一椭圆弧形馈电单元21相连，具体方式为：第二同轴线4的外导体与第二椭圆形辐射单元9相焊接，第二同轴线4的内导体通过第四开孔32与第一微带部分23相焊接。

如图5所示，为本实施例的椭圆形双极化基站天线的S参数电磁仿真曲线(S11指输入端口1的回波损耗，S22指输出端口2的回波损耗，S12指反向传输系数，即隔离度)，可以看到本实施例的椭圆形双极化基站天线的S11参数、S22参数在所要求的的频段(1.71GHz-2.69GHz频段)内小于-15dB，而S12参数小于-25dB，在1.75GHz和2.5GHz频率处分别出现了一个谐振点，其中第一个谐振点有椭圆辐射单元控制，第二个谐振点由寄生单元控制。

如图6所示，为本实施例的椭圆形双极化基站天线的驻波比(VSWR)的电磁仿真曲线(port1指输入端口1的驻波比，port2指输出端口2的驻波比)，可以看到，两个端口的驻波比在所要求的的频段(1.71GHz-2.69GHz频段)内小于1.5。

如图7所示，为本实施例的椭圆形双极化基站天线的增益的电磁仿真曲线(port1指输入端口1的增益，port2指输出端口2的增益)，可以看到，两个端口的增益在所要求的的频段内均大于8dB。

如图8和图9所示，分别为本实施例的椭圆形双极化基站天线的水平面半功率波瓣宽度的电磁仿真曲线(port1指输入端口1的水平面半功率波瓣宽度，port2指输出端口2的水平面半功率波瓣宽度)和垂直面半功率波瓣宽度的电磁仿真曲线(port1指输入端口1的垂直面半功率波瓣宽度，port2指输出端口2的垂直面半功率波瓣宽度)，可以看到，在所要求的频段(1.71GHz-2.69GHz频段)内，两个端口的波瓣宽度均在60°～70°之间。

如图10、图11、图12所示，分别说明本实施例的椭圆形双极化基站天线在1.7GHz、2.2GHz、2.7GHz时交叉极化比完全符合基站天线的要求。

综上所述，本实用新型的椭圆形双极化基站天线在介质基板的下表面设置四个椭圆形辐射单元，这四个椭圆形辐射单元两两对称形成两个天线结构，使天线具有性能良好、结构简单、加工成本低的优点，同时在介质基板的上表面设置两个椭圆弧形馈电单元，不仅能够调节阻抗匹配，而且与四个椭圆辐射单元一起实现了稳定的天线方向图带宽。

以上所述，仅为本实用新型专利较佳的实施例，但本实用新型专利的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型专利所公开的范围内，根据本实用新型专利的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都属于本实用新型专利的保护范围。

Claims (10)

1.一种椭圆形双极化基站天线，包括介质基板、反射地板、第一同轴线和第二同轴线，所述反射地板位于介质基板下方，所述第一同轴线和第二同轴线位于介质基板与反射地板之间，其特征在于：所述介质基板的下表面设有第一椭圆形辐射单元、第二椭圆形辐射单元、第三椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元，介质基板的上表面设有第一椭圆弧形馈电单元和第二椭圆弧形馈电单元；

所述第一椭圆形辐射单元和第三椭圆形辐射单元相互对称形成第一天线结构，所述第二椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元相互对称形成第二天线结构；

所述第一同轴线分别与第三椭圆形辐射单元、第二椭圆弧形馈电单元相连，所述第二同轴线分别与第二椭圆形辐射单元、第一椭圆弧形馈电单元相连。

2.根据权利要求1所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：所述第一椭圆形辐射单元、第二椭圆形辐射单元、第三椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元以圆周方式依次排布在介质基板的下表面。

3.根据权利要求2所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：所述介质基板的下表面还设有第一寄生单元、第二寄生单元、第三寄生单元和第四寄生单元，所述第一寄生单元位于第一椭圆形辐射单元与第二椭圆形辐射单元之间，所述第二寄生单元位于第二椭圆形辐射单元与第三椭圆形辐射单元之间，所述第三寄生单元位于第三椭圆形辐射单元与第四椭圆形辐射单元之间，所述第四寄生单元位于第四椭圆形辐射单元与第一椭圆形辐射单元之间。

4.根据权利要求1所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：所述第一椭圆弧形馈电单元包括依次相连的第一微带部分和第一椭圆弧形延伸部分，所述第二椭圆弧形馈电单元包括依次相连的第二微带部分、第三微带部分、第四微带部分和第二椭圆弧形延伸部分；所述第一椭圆弧形延伸部分用于耦合激励第二椭圆形辐射单元，所述第二椭圆弧形延伸部分用于耦合激励第三椭圆形辐射单元。

5.根据权利要求4所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：所述介质基板上开设有第一开孔、第二开孔、第三开孔和第四开孔，所述第二微带部分通过第一开孔与第三微带部分相连，所述第三微带部分通过第二开孔与第四微带部分相连，所述第一同轴线的外导体与第三椭圆形辐射单元相焊接，第一同轴线的内导体通过第三开孔与第二微带部分相焊接，所述第二同轴线的外导体与第二椭圆形辐射单元相焊接，第二同轴线的内导体通过第四开孔与第一微带部分相焊接。

6.根据权利要求1所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：所述第一椭 圆形辐射单元、第二椭圆形辐射单元、第三椭圆形辐射单元和第四椭圆形辐射单元的内部具有一椭圆形状的挖空区域，该挖空区域上设有宽度相同的第一横条、第二横条、第三横条、第四横条和第五横条。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：还包括第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱和第二支撑柱位于介质基板与反射地板之间。

8.根据权利要求1-6任一项所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：所述反射地板的四周均设有与反射地板垂直的翻边。

9.根据权利要求8所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：所述反射地板和翻边均采用铜片制成。

10.根据权利要求1-6任一项所述的一种椭圆形双极化基站天线，其特征在于：所述第一同轴线和第二同轴线均采用阻抗为50Ω的同轴线。