CN206211512U - 一种过温保护电路及充电桩 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种过温保护电路及充电桩。该过温保护电路包括温度上升率检测电路和关断信号输出电路,温度上升率检测电路的输出点连接至关断信号输出电路的输入端。该过温保护电路通过检测温度的变化率来实现过温保护的目的,当温度上升很快时,即温度变化率大并大于某一预设的变化率,该过温保护电路便输出关断信号,使PWM芯片停止工作。
Description
技术领域
本实用新型涉及保护电路领域,尤其涉及一种过温保护电路及充电桩。
背景技术
对于一些大功率电源模块,比如充电桩,过温保护非常重要。当前的过温保护的方案大多是温度超过一定阈值时,过温保护电路输出关断信号,从而使PWM芯片部分或完全停止工作,然而,过温保护电路为了检测温度的准确性,对采用信号做了滤波延迟处理。如果所检测的温度上升得很快,过温保护电路输出关断信号时,实际温度已经会超过其阈值很多了,这样的滞后性会导致某些温度较高的半导体器件过热烧坏。
实用新型内容
为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供一种过问保护电路及充电桩。该过温保护电路通过检测温度的变化率来实现过温保护的目的,当温度上升很快时,即温度变化率大并大于某一预设的变化率,该过温保护电路便输出关断信号,使PWM芯片停止工作。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种过温保护电路,包括温度上升率检测电路和关断信号输出电路,温度上升率检测电路的输出点连接至关断信号输出电路的输入端;
温度上升率检测电路包括电压输入端、第一电阻、基准源、三极管、第二电阻、热敏电阻、电容、P沟道MOS管、第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管,电压输入端连接至第一电阻的输入端,第一电阻的输出端连接至基准源的K脚,基准源的R脚连接至第二电阻的输入端,第二电阻的输出端连接至热敏电阻的输入端,热敏电阻的输出端接地,基准源的A脚分别连接至热敏电阻的输入端和P沟道MOS管的栅极,P沟道MOS管的漏极和电压输入端之间连接有电容,P沟道MOS管的源极连接至第一N沟道MOS管的漏极,第一N沟道MOS管的源极连接至热敏电阻的输出端,第一N沟道MOS管的栅极和漏极短接,第一N沟道MOS管的栅极连接至第二N沟道MOS管的栅极,第二N沟道MOS的漏极连接至第一N沟道MOS管的漏极,第二N沟道MOS管的源极和电压输入端之间连接有第三电阻,第二N沟道MOS管和第三电阻的公共端连接至关断信号输出电路的输入端;三极管的栅极连接第一电阻和基准源的公共端、源极连接第一电阻的输入端、漏极连接基准源的R脚;
关断信号输出电路包括比较器,比较器的同相输入端连接至温度上升率检测电路的输出端、反相输入端为接收基准Vref信号的输入端、输出端为关断信号的输出端;比较器的同相输入端和输出端之间并联有第四电阻。
一种充电桩,包括上述的过温保护电路。
本实用新型具有如下有益效果:该过温保护电路通过检测温度的变化率来实现过温保护的目的,当温度上升很快时,即温度变化率大并大于某一预设的变化率,该过温保护电路便输出关断信号,使PWM芯片停止工作。
附图说明
图1为本实用新型提供的过温保护电路的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。
实施例一
如图1所示,一种过温保护电路,包括温度上升率检测电路和关断信号输出电路,温度上升率检测电路的输出点连接至关断信号输出电路的输入端。
温度上升率检测电路包括电压输入端VCC、第一电阻R1、基准源U1、三极管Q1、第二电阻R2、热敏电阻RT、电容C1、P沟道MOS管Q2、第一N沟道MOS管Q3和第二N沟道MOS管Q4,电压输入端VCC连接至第一电阻R1的输入端,第一电阻R1的输出端连接至基准源U1的K脚,基准源U1的R脚连接至第二电阻R2的输入端,第二电阻R2的输出端连接至热敏电阻RT的输入端,热敏电阻RT的输出端接地,基准源U1的A脚分别连接至热敏电阻RT的输入端和P沟道MOS管Q2的栅极,P沟道MOS管Q2的漏极和电压输入端VCC之间连接有电容C1,P沟道MOS管Q2的源极连接至第一N沟道MOS管Q3的漏极,第一N沟道MOS管Q3的源极连接至热敏电阻RT的输出端,第一N沟道MOS管Q3的栅极和漏极短接,第一N沟道MOS管Q3的栅极连接至第二N沟道MOS管Q4的栅极,第二N沟道MOS的漏极连接至第一N沟道MOS管Q3的漏极,第二N沟道MOS管Q4的源极和电压输入端VCC之间连接有第三电阻R3,第二N沟道MOS管Q4和第三电阻R3的公共端连接至关断信号输出电路的输入端;三极管Q1的栅极连接第一电阻R1和基准源U1的公共端、源极连接第一电阻R1的输入端、漏极连接基准源U1的R脚。
关断信号输出电路包括比较器U2,比较器U2的同相输入端连接至温度上升率检测电路的输出端、反相输入端为接收基准Vref信号的输入端、输出端为关断信号的输出端;比较器U2的同相输入端和输出端之间并联有第四电阻R4。
其工作原理如下:
电压输入端VCC是整个过温保护电路的供电电源,当电压输入端VCC通过第一电阻R1给基准源U1(TL431)供电时,基准源U1内部的电路工作起来,产生2.5V的基准电压。三极管Q1导通,Vbe=0.7V,使得基准源U1的R脚有电压,当基准源U1的R脚电压Vr大于基准电压2.5V时,基准源U1会导通,其K脚电压Vk减小,而K脚和R脚两端电压等于三极管Q1的PN结电压,即Vkr=Vbe=0.7V是个固定值。当Vk减小时,势必Vr减小,Vr一旦减小,基准源U1会关断,K脚电压Vk上升,Vr又增大。这样的负反馈,形成最终的结果是基准源U1的R脚电压Vr稳定在同基准源U1一样的电压2.5V,即R脚和A脚两端电压Vra=2.5V,流过第二电阻R2的电流I1=2.5V/R2,便可以得到一个固定的恒流源I1。
热敏电阻RT负责温度的采用,温度升高,其电阻减小。温度变化量dt同热敏电阻RT的阻值变化量dRT成正比例。由于电流I1固定,热敏电阻RT的变化量会体现在热敏电阻RT两端的电压上,即dRT的变压大,热敏电阻RT两端的电压变化量dU=I1×dRT也变大。电压变化量dU被送到P沟道MOS管Q2的栅极,当栅极电压发生变化时,源极电压也跟随变化。P沟道MOS管Q2的源极通过电容C1接到电压输入端VCC,P沟道MOS管Q2的源极电压的变化即是电容C1两端电压的变化。依据电容的充放电公式,可知电容C1上的电流Ic=C×(dU/dt),C为电容量常数,将DU=I1×dRT代入得到Ic=C×Ic×(dRT/dt),而将热敏电阻RT的阻值变化与温度变化关系dRT=K×dT代入得到电流Ic=K×C×I1×(dT/dt),K为转换系数,其中K、C和I1均为固定值,电流IC可简化成Ic=K1×(dT/dt),K1=K×C×I1。
从上式可以看出,电容C1上的电流Ic便是温度的变化率乘以一个固定系数K1。温度变化的越快,电流Ic越大,这样便实现了,通过检测电流Ic的大小来判断温度变化率的大小。
第一N沟道MOS管Q3和第二N沟道MOS管Q4构成电流镜像电路。由于,第一N沟道MOS管Q3的栅漏短路,第一N沟道MOS管Q3进入恒流区,其栅源电压Vgs正比例于漏极电流Id3,第二N沟道MOS管Q4的Vgs与第一N 沟道MOS管Q3的Vgs一样,第二N沟道MOS管Q4也会进入恒流区,且其漏极电流Id4=Id3,这样便实现了第一N沟道MOS管Q3漏极电流的镜像。
由于C1、Q2、Q3的串联关系,电流Ic便是第一N沟道MOS管Q3的漏极电流,即Id4=Id3=Ic,第二N沟道MOS管Q4的漏源电压Vds= VCC- Id4×R3 ,将电流Ic的公式代入后得到Vds=VCC-K1×R3×(dT/dt),R3为第三电阻R4的阻值。
有上述可知,当温度变化率乐大,即温度上升越快时,第二N沟道MOS管Q4的Vds便越小,将第二N沟道MOS管Q4的Vds电压值送到比较器U2,同基准Vref比较,得到过温关断信号。
实现原理如下:
当温度上升很快时,温度变化率大,第二N沟道MOS管Q4的Vds减小,当小于基准Vref,比较器U2输出TRI由高电平翻转成低电平,将此低电平TRI信号送到PWM芯片,实现对电源PWM芯片的关断,实现了温度上升快,关断电源PWM芯片。
实施例二
一种充电桩,包括实施例一所述的过温保护电路。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种过温保护电路,包括温度上升率检测电路和关断信号输出电路,温度上升率检测电路的输出点连接至关断信号输出电路的输入端;
温度上升率检测电路包括电压输入端、第一电阻、基准源、三极管、第二电阻、热敏电阻、电容、P沟道MOS管、第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管,电压输入端连接至第一电阻的输入端,第一电阻的输出端连接至基准源的K脚,基准源的R脚连接至第二电阻的输入端,第二电阻的输出端连接至热敏电阻的输入端,热敏电阻的输出端接地,基准源的A脚分别连接至热敏电阻的输入端和P沟道MOS管的栅极,P沟道MOS管的漏极和电压输入端之间连接有电容,P沟道MOS管的源极连接至第一N沟道MOS管的漏极,第一N沟道MOS管的源极连接至热敏电阻的输出端,第一N沟道MOS管的栅极和漏极短接,第一N沟道MOS管的栅极连接至第二N沟道MOS管的栅极,第二N沟道MOS的漏极连接至第一N沟道MOS管的漏极,第二N沟道MOS管的源极和电压输入端之间连接有第三电阻,第二N沟道MOS管和第三电阻的公共端连接至关断信号输出电路的输入端;三极管的栅极连接第一电阻和基准源的公共端、源极连接第一电阻的输入端、漏极连接基准源的R脚;
关断信号输出电路包括比较器,比较器的同相输入端连接至温度上升率检测电路的输出端、反相输入端为接收基准Vref信号的输入端、输出端为关断信号的输出端;比较器的同相输入端和输出端之间并联有第四电阻。
2.一种充电桩,其特征在于,包括如权利要求1所述的过温保护电路。
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CN107919650A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-04-17 | 深圳市凌康技术股份有限公司 | 一种过温保护电路 |
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CN110014930A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-16 | 郑州宇通客车股份有限公司 | 一种充电连接保护方法及装置 |
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