CN206209430U - 基于stm32开发的多路温度控制系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于STM32开发的多路温度控制系统,单片机温度信号采集端连接有多路温度传感器接口;单片机CAN收发器接口通过CAN电平转换器与CAN通信接口连接;单片机异步收发器接口通过电平转换芯片与RS232接口连接;单片机输出控制端通过光电耦合器与负载驱动单元输入端连接;直流24V电源输入接口通过5V电源转换器再经3.3V电源转换器与单片机的电源输入端连接;负载驱动单元由负载电源接口、稳压电路、MOS开关控制电路、电流检测传感器电路和负载接入端口组成;电流检测传感器电路的模拟电压输出端与单片机的A/D接口连接。本实用新型优点在于接口丰富,能够实现多路温度采集和控制;数据处理速度快。
Description
技术领域
本实用新型涉及多路温度控制系统,尤其是涉及基于STM32开发的多路温度控制系统。
背景技术
传统的温度控制系统多采用单片机单路采集控制,传统的单片机温度控制系统所存在的不足是:单片机处理速度慢,端口数量有限,不能进行复杂温控运算,拓展功能少,通信方式简单。
发明内容
本实用新型目的在于提供一种基于STM32开发的多路温度控制系统。
为实现上述目的,本实用新型采取下述技术方案:
本实用新型所述基于STM32开发的多路温度控制系统,包括单片机,所述单片机温度信号采集端连接有多路温度传感器接口;单片机的CAN收发器接口通过CAN电平转换器与CAN通信接口连接;单片机的异步收发器接口通过电平转换芯片与RS232接口连接;单片机的输出控制端通过光电耦合器与负载驱动单元输入端连接;直流24V电源输入接口通过5V电源转换器再经3.3V电源转换器与单片机的电源输入端连接;所述负载驱动单元由负载电源接口、稳压电路、MOS开关控制电路、电流检测传感器电路和负载接入端口组成;所述电流检测传感器电路的模拟电压输出端与单片机的A/D接口连接。
所述电流检测传感器电路由电流传感变送器U1组成;所述MOS开关控制电路由场效应管Q2和IGBT驱动器U2组成;所述稳压电路由瞬态抑制二极管D1、稳压二极管D2和三极管Q1组成;所述场效应管Q2的栅极分别与稳压二极管D5的负极连接、通过电阻R5与所述IGBT驱动器U2的输出端连接,所述二极管D5的正极与IGBT驱动器U2的接地端连接;场效应管Q2的漏极一路与所述电流传感变送器U1的被测电路电流负极接口相连接,另一路经电阻R3、电源指示发光二极管D3与所述负载电源接口相连接,场效应管Q2的源极接地;电流传感变送器U1的电源输入端与3.3V直流电源连接并经电容C3接地,电流传感变送器U1的模拟电压输出端经电容C4接地,所述单片机的A/D接口与电流传感变送器U1的模拟电压输出端连接;所述三极管Q1的集电极分别与所述瞬态抑制二极管D1正极和负载电源接口连接;三极管Q1的基极经电阻R2、电阻R1与瞬态抑制二极管D1正极连接,所述瞬态抑制二极管D1负极接地;三极管Q1的发射极一路与IGBT驱动器U2的电源输入端连接,另一路经电容C2、电容C1与瞬态抑制二极管D1正极连接,在所述电阻R2和电阻R1的连接点与所述电容C2和电容C1的连接点之间连接有稳压二极管D2。
本实用新型优点在于接口丰富,能够实现多路温度采集和控制;数据处理速度快,能够处理更复杂温度控制算法;扩展通信功能丰富,能够运用串口、CAN总线等通信方式进行数据传输。负载输出端能够实现负载范围的宽幅输入,从12V到24V之间的电压输入均可实现;能够控制大功率负载,最大能够控制10A的负载电流输出;通过MOS开关控制电路实现快速开关精准控制;在负载运行的过程中,通过读取电流传感变送器的输出端AD_IN电压,实现监控负载电流的状态。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理结构框图。
图2是图1中所述负载驱动单元的电路原理图。
图3是本实用新型所述单片机的内部程序流程框图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例作详细说明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述实施例。
如图1、2所示,本实用新型所述基于STM32开发的多路温度控制系统,包括单片机(STM32103RB),所述单片机温度信号采集端连接有多路温度传感器接口;单片机的CAN收发器接口通过CAN电平转换器与CAN通信接口连接;单片机的异步收发器接口(UART)通过电平转换芯片(MAX3232)与RS232接口连接;单片机的输出控制端通过光电耦合器与负载驱动单元1输入端连接;直流24V电源输入接口通过5V电源转换器再经3.3V电源转换器与单片机的电源输入端连接;所述负载驱动单元1由直流12V/24V负载电源接口、稳压电路2、MOS开关控制电路3、电流检测传感器电路4和负载接入端口组成;所述电流检测传感器电路4的模拟电压输出端与单片机的A/D接口连接。
如图2所示,所述电流检测传感器电路由电流传感变送器U1(ACS722LLCTR)组成;所述MOS开关控制电路由场效应管Q2(IRFB4410ZPBF)和IGBT驱动器U2(TLP351)组成;所述稳压电路由瞬态抑制二极管D1(SM6T33CA)、稳压二极管D2和三极管Q1组成;所述场效应管Q2的栅极分别与稳压二极管D5的负极连接、通过电阻R5与所述IGBT驱动器U2的输出端连接,所述二极管D5的正极与IGBT驱动器U2的接地端连接;场效应管Q2的漏极一路与所述电流传感变送器U1的被测电路电流负极接口相连接,另一路经电阻R3、电源指示发光二极管D3与所述直流12V/24V负载电源接口相连接,场效应管Q2的源极接地;电流传感变送器U1的电源输入端与3.3V直流电源连接并经电容C3接地,电流传感变送器U1的模拟电压输出端经电容C4接地,所述单片机的A/D接口与电流传感变送器U1的模拟电压输出端连接;所述三极管Q1的集电极分别与所述瞬态抑制二极管D1正极和直流12V/24V负载电源接口连接;三极管Q1的基极经电阻R2、电阻R1与瞬态抑制二极管D1正极连接,所述瞬态抑制二极管D1负极接地;三极管Q1的发射极一路与IGBT驱动器U2的电源输入端连接,另一路经电容C2、电容C1与瞬态抑制二极管D1正极连接,在所述电阻R2和电阻R1的连接点与所述电容C2和电容C1的连接点之间连接有稳压二极管D2。
本实用新型工作原理简述如下:
如图1所示,读取11路温度传感器接口所传递的温度数据;在单片机(stm32)内部,将读取温度值与目标温度值进行比较,通过算法,确定负载输出可调占空比的大小;通过光电耦合器输出至MOS开关控制电路3,最终加载到负载端;负载有电流流经之后,再通过电流传感变送器U1转换为电压信号,通过单片机(stm32)的A/D端口输入转换出负载电流的大小,从而判断负载工作是否正常;整个系统的目标温度、传感器对应负载的个数可以根据实际需求,灵活配置。
Claims (2)
1.一种基于STM32开发的多路温度控制系统,其特征在于:包括单片机,所述单片机温度信号采集端连接有多路温度传感器接口;单片机的CAN收发器接口通过CAN电平转换器与CAN通信接口连接;单片机的异步收发器接口通过电平转换芯片与RS232接口连接;单片机的输出控制端通过光电耦合器与负载驱动单元输入端连接;直流24V电源输入接口通过5V电源转换器再经3.3V电源转换器与单片机的电源输入端连接;所述负载驱动单元由负载电源接口、稳压电路、MOS开关控制电路、电流检测传感器电路和负载接入端口组成;所述电流检测传感器电路的模拟电压输出端与单片机的A/D接口连接。
2.根据权利要求1所述基于STM32开发的多路温度控制系统,其特征在于:所述电流检测传感器电路由电流传感变送器U1组成;所述MOS开关控制电路由场效应管Q2和IGBT驱动器U2组成;所述稳压电路由瞬态抑制二极管D1、稳压二极管D2和三极管Q1组成;所述场效应管Q2的栅极分别与稳压二极管D5的负极连接、通过电阻R5与所述IGBT驱动器U2的输出端连接,所述二极管D5的正极与IGBT驱动器U2的接地端连接;场效应管Q2的漏极一路与所述电流传感变送器U1的被测电路电流负极接口相连接,另一路经电阻R3、电源指示发光二极管D3与所述负载电源接口相连接,场效应管Q2的源极接地;电流传感变送器U1的电源输入端与3.3V直流电源连接并经电容C3接地,电流传感变送器U1的模拟电压输出端经电容C4接地,所述单片机的A/D接口与电流传感变送器U1的模拟电压输出端连接;所述三极管Q1的集电极分别与所述瞬态抑制二极管D1正极和负载电源接口连接;三极管Q1的基极经电阻R2、电阻R1与瞬态抑制二极管D1正极连接,所述瞬态抑制二极管D1负极接地;三极管Q1的发射极一路与IGBT驱动器U2的电源输入端连接,另一路经电容C2、电容C1与瞬态抑制二极管D1正极连接,在所述电阻R2和电阻R1的连接点与所述电容C2和电容C1的连接点之间连接有稳压二极管D2。
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CN106371475A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-02-01 | 安图实验仪器(郑州)有限公司 | 基于stm32开发的多路温度控制系统 |
CN110888371A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-17 | 深圳联钜自控科技有限公司 | 一种温控系统光耦隔离的多集型可编程逻辑控制器电路 |
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