CN206134721U - 一种全光谱csp封装装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种全光谱CSP封装装置，包括承载基体、LED芯片和荧光膜，所述承载基体水平设置且两端上表面分别设置有焊盘，所述LED芯片设置在所述承载基体上，所述荧光膜设置在所述承载基体上且覆盖所述LED芯片，所述LED芯片包括一组第一LED芯片和两组第二LED芯片，一组第一LED芯片水平设置在所述承载基体上表面中心位置，两组第二LED芯片分别水平设置在所述承载基体上表面且位于一组第一LED芯片的两侧。本实用新型的有益效果在于，提供的一种全光谱CSP封装装置，其具有结构简单、安全可靠且节能环保的特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED照明领域，尤其涉及一种全光谱CSP封装装置。
背景技术
从人类发展至今，照明光源经历了火光、油灯、白炽灯、荧光灯，直到目前的(LED)半导体照明。但这些照明光源，在照明的光谱方面均存在缺陷，这种存在缺陷的照明光不能满足人类健康照明的需求；我们都知道，最好的照明光是自然光，因此，追求自然光照明一直是照明行业的愿景。
实用新型内容
鉴于现有技术中存在的上述问题，本实用新型的主要目的在于提供一种结构简单、安全可靠且节能环保的全光谱CSP封装装置。
为了达到上述目的，本实用新型提供了一种全光谱CSP封装装置，包括承载基体、LED芯片和荧光膜，所述承载基体水平设置且两端上表面分别设置有焊盘，所述LED芯片设置在所述承载基体上，所述荧光膜设置在所述承载基体上且覆盖所述LED芯片，所述LED芯片包括一组第一LED芯片和两组第二LED芯片，一组第一LED芯片水平设置在所述承载基体上表面中心位置，两组第二LED芯片分别水平设置在所述承载基体上表面且位于一组第一LED芯片的两侧。
进一步的，所述一组第一LED芯片包括多个水平均匀设置的第一LED芯片，所述两组第二LED芯片中每组第二LED芯片均包括多个水平均匀的第二LED芯片。
进一步的，多个所述第一LED芯片以及多个所述第二LED芯片的下表面均设置有芯片电极，所述芯片电极下表面设置有锡膏层，所述第一LED芯片和第二LED芯片均通过芯片电极以及锡膏层设置在所述承载基体上表面设置的电极焊点上。
进一步的，所述第二LED芯片为LED蓝光芯片，所述LED蓝光芯片的主波长为450nm～480nm。
进一步的，所述第一LED芯片的主波长大于620nm。
进一步的，所述荧光膜由荧光粉和硅构成。
进一步的，所述荧光膜通过高温压合在所述承载基体上方。
进一步的，所述承载基体由铝、铜、陶瓷或玻纤板中的一种构成，所述承载基体的形状为正方形、矩形或圆形中的一种。
进一步的，所述第一LED芯片的发光功率与所述第二LED芯片的发光功率的比例为1：(3～10)；当单颗第一LED芯片和单颗第二LED芯片的功率相同时，所述第一LED芯片的数量和第二LED芯片的数量的比例为1：(3～10)。
本实用新型具有以下优点和有益效果，本实用新型提供一种全光谱CSP封装装置，其可解决目前窄光谱照明的缺陷，尤其是保护人的视觉；该全光谱CSP封装装置的优点在于：1)可降低视觉疲劳；2)可提高眼睛变色能力，降低色弱风险；3)蓝光的光谱相对比例较低，可降低对视网膜黄斑区的伤害；4)可减少视网膜微循环短期障碍，血供障碍造成的眼睛干湿疲劳；这种接近自然光中可见光谱的照明，是最理想的健康照明之光。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的全光谱CSP封装装置的结构示意图；
图2为图1中A位置的放大结构示意图；
图3为本实用新型实施例提供的全光谱CSP封装装置的截面结构示意图；
图4为图3中B位置的放大结构示意图；
图5为本实用新型实施例提供的全光谱CSP封装装置的实测光谱曲线图；
图6为本实用新型实施例提供的全光谱CSP封装装置的实测光谱曲线图与自然光光谱曲线图的对比示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面将参照附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。
如图1至图6所示：本实用新型实施例提供的一种全光谱CSP(Chip ScalePackage，无封装芯片)封装装置，包括承载基体100、LED芯片和荧光膜200，承载基体100水平设置且两端上表面分别设置有焊盘103，LED芯片设置在承载基体100上，荧光膜200设置在承载基体100上且覆盖LED芯片，LED芯片包括一组第一LED芯片和两组第二LED芯片，一组第一LED芯片水平设置在承载基体100上表面中心位置，两组第二LED芯片分别水平设置在承载基体上表面且位于一组第一LED芯片的两侧；一组第一LED芯片包括多个水平均匀设置的第一LED芯片101，两组第二LED芯片中每组第二LED芯片均包括多个水平均匀的第二LED芯片102；多个第一LED芯片101以及多个第二LED芯片102的下表面均设置有芯片电极106，芯片电极106下表面设置有锡膏层105，第一LED芯片101和第二LED芯片102均通过芯片电极106以及锡膏层105设置在承载基体100上表面设置的电极焊点104上；具体为：第一LED芯片101为LED红光芯片，第二LED芯片102为LED蓝光芯片，同时，LED红光芯片的规格0620，共有20个，为一组且均匀水平设置在承载基体100上表面的中心轴线位置，且20个LED红光芯片的连接方式为4并5串，LED蓝光芯片的规格为0620，共有80个，平均分为两组，每组LED蓝光芯片为40个，分别对称设置在承载基体100上表面的且位于LED蓝光芯片的两侧，每组LED蓝光芯片均按4并10串的方式连接，同时承载基体上的LED蓝光芯片和LED红光芯片串接在一起，串接后的LED蓝光芯片和LED红光芯片的正负极通过承载基体100上的电路连接到承载基体100上表面两端的焊盘103上；上述LED红光芯片和LED蓝光芯片的配置比例为：LED红光芯片的总功率与LED蓝光芯片的功率比为1：(3～10)，且当单颗LED蓝光芯片和单颗LED红光芯片的功率相同时，LED红光芯片的数量和LED蓝光芯片的数量比例为1：(3～10)；上述LED红光芯片和LED蓝光芯片，当其功率均为0.2W时，上述LED全光谱光源的功率可达到15～20W，如果需要制作更大功率的LED全光谱光源，可按上述LED红光芯片和LED蓝光芯片的配比增加芯片数量或加大单颗芯片的功率即可。
需要重点说明的是，承载基体上的电路设计属于精密设计，所有LED芯片的电极，都是通过锡膏与承载基体电路上的电极焊点连接在一起。具体过程分为：全光谱CSP封装装置设计——>承载基体电路设计——>承载基体制作——>承载基体印锡膏——>(按要求)放置芯片——>烘烤——>测试——>荧光膜压合——>模切——>测试。
作为上述实施例的优选实施方式，LED蓝光芯片的主波长为450nm～480nm，LED红光芯片的主波长分别为650nm～660nm(10个)和680nm～700nm(10个)。
作为上述实施例的优选实施方式，承载基体由铝、铜、陶瓷或玻纤板中的一种构成，承载基体的形状为正方形、矩形或圆形中的一种。
根据上述的技术方案，设计承载基体上的电路，承载基体上表面两侧的电路设计为4并10串，中间的电路设计为4并5串，两侧的电路与中间的电路为串联连接。选择等同功率的LED蓝光芯片(80颗)和LED红光芯片(20颗)，LED蓝光芯片设置在承载基体的两侧(如图1)，LED红光芯片设置在承载基体的中间(如图1)。再通过热压工艺，将荧光膜压合在承载基体上。这种CSP封装光源，通电后可得到如图5的光谱，这种连续光谱，接近自然光中(400～700nm)的可见光谱，如图6所示，这种光谱图接近自然光可见光部分的光谱，其光谱的具体特征如下：
(1)波长在460～480nm范围的相对光谱比例大于0.30；
(2)波长在600～620nm范围的相对光谱比例大于0.60；
(3)波长在650～680nm范围的相对光谱比例大于0.65；
(4)波长在680～700nm范围的相对光谱比例大于0.70。
最后应说明的是：以上的各实施例仅用于说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或全部技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种全光谱CSP封装装置，其特征在于：包括承载基体、LED芯片和荧光膜，所述承载基体水平设置且两端上表面分别设置有焊盘，所述LED芯片设置在所述承载基体上，所述荧光膜设置在所述承载基体上且覆盖所述LED芯片，所述LED芯片包括一组第一LED芯片和两组第二LED芯片，一组第一LED芯片水平设置在所述承载基体上表面中心位置，两组第二LED芯片分别水平设置在所述承载基体上表面且位于一组第一LED芯片的两侧。
2.根据权利要求1所述的全光谱CSP封装装置，其特征在于，一组第一LED芯片包括多个水平均匀设置的第一LED芯片，每组第二LED芯片均包括多个水平均匀的第二LED芯片。
3.根据权利要求2所述的全光谱CSP封装装置，其特征在于，多个所述第一LED芯片以及多个所述第二LED芯片的下表面均设置有芯片电极，所述芯片电极下表面设置有锡膏层，所述第一LED芯片和第二LED芯片均通过芯片电极以及锡膏层设置在所述承载基体上表面设置的电极焊点上。
4.根据权利要求3所述的全光谱CSP封装装置，其特征在于，所述第二LED芯片为LED蓝光芯片，所述LED蓝光芯片的主波长为450nm～480nm。
5.根据权利要求3所述的全光谱CSP封装装置，其特征在于，所述第一LED芯片的主波长大于620nm。
6.根据权利要求1所述的全光谱CSP封装装置，其特征在于，所述荧光膜由荧光粉和硅构成。
7.根据权利要求6所述的全光谱CSP封装装置，其特征在于，所述荧光膜通过高温压合在所述承载基体上方。
8.根据权利要求1所述的全光谱CSP封装装置，其特征在于，所述承载基体由铝、铜、陶瓷或玻纤板中的一种构成，所述承载基体的形状为正方形、矩形或圆形中的一种。
9.根据权利要求2所述的全光谱CSP封装装置，其特征在于，所述第一LED芯片的发光功率与所述第二LED芯片的发光功率的比例为1：(3～10)；当单颗第一LED芯片和单颗第二LED芯片的功率相同时，所述第一LED芯片的数量和第二LED芯片的数量的比例为1：(3～10)。
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2016
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