CN206117648U - 一种新型高集成度t/r组件 - Google Patents
一种新型高集成度t/r组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206117648U CN206117648U CN201621153659.1U CN201621153659U CN206117648U CN 206117648 U CN206117648 U CN 206117648U CN 201621153659 U CN201621153659 U CN 201621153659U CN 206117648 U CN206117648 U CN 206117648U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- radio frequency
- pcb board
- cavity
- circuit
- frequency pcb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000010354 integration Effects 0.000 title claims abstract description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种新型高集成度T/R组件，由两个8通道模块对接组合而成，所述8通道模块包括用于安置器件的腔体，安装于腔体内的射频PCB板，在射频PCB板正面方向与之平行地固定安装于腔体上的盖板，在射频PCB板背面方向与之平行地安置于腔体内的并与射频PCB板电性连接的低频PCB板，设置于射频PCB板上的射频微波电路，分别设置于腔体侧面并均与射频微波电路连接的天线射频接口和馈电网络射频接口，以及设置于低频PCB板上的电源转换电路和时序控制电路。本实用新型采用射频和低频电路分离的构架，降低了电路实现难度，提高可生产性，同时利用多层PCB提高了TR组件布线集成度，并且低频PCB板同时还作为射频微波电路的屏蔽盖板，提高了外围构件的集成度。
Description
技术领域
本实用新型涉及T/R组件，具体地讲，是涉及一种新型高集成度T/R组件。
背景技术
随着现代科技对有源相控阵雷达的要求越来越高，实现有源相控阵雷达的关键在于其有源阵面，而有源阵面含有数量众多T/R组件。作为有源相控阵雷达核心部件之一的T/R组件不但要求集成度高、一致性好、体积小，更重要是需要可生产性好，成本低，以便满足大量使用需要。
通常集成度高的TR组件都采用LTCC，将微波、控制以及供电电路都集成在多层陶瓷基板上。由于LTCC生产所需的原材料成本较高，制作工艺复杂，导致LTCC成本居高不下。同时LTCC热膨胀系数与TR组件腔体相差较大，使用时需要先装配在过渡载板上，导致TR组件生产工艺复杂。
实用新型内容
针对上述现有技术的不足，本实用新型提供一种可生产性高、成本低的新型高集成度T/R组件。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种新型高集成度T/R组件，由两个8通道模块对接组合而成，所述8通道模块包括用于安置器件的腔体，安装于腔体内的射频PCB板，在射频PCB板正面方向与之平行地固定安装于腔体上的盖板，在射频PCB板背面方向与之平行地安置于腔体内的并与射频PCB板电性连接的低频PCB板，设置于射频PCB板上的射频微波电路，分别设置于腔体侧面并均与射频微波电路连接的天线射频接口和馈电网络射频接口，以及设置于低频PCB板上的电源转换电路和时序控制电路，其中，所述盖板和低频PCB板与腔体构成气密性封装。
进一步地，为了便于连接，所述两个8通道模块中一个设有与时序控制电路连接的TR控制接口，用于外接控制信号，另一个设有与电源转换电路连接的TR电源接口，用于外接电源；所述TR控制接口和TR电源接口均安置于腔体侧面。
具体地，所述射频微波电路包括均设置射频PCB板上且安置于同一水平面的并通过金丝焊接依次连接的TR驱动芯片、射频电路、移相器芯片、功放芯片、低噪放芯片和环形器，其中，由TR驱动芯片通过馈电网络射频接口接入两路信号，并由环形器通过天线射频接口输出8路信号。
进一步地，所述射频PCB板和低频PCB板通过板间连接器连通。
更进一步地，所述射频PCB板上还设有负责控制和供电的幅相控制芯片。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型采用射频和低频电路分离的构架，降低了电路实现难度，提高可生产性，同时利用多层PCB提高了TR组件布线集成度，并且低频PCB板在板载控制和供电电路同时还作为射频微波电路的屏蔽盖板，提高了外围构件的集成度，并通过电磁仿真减小了二者的距离，提高了空间集成度，而且本实用新型结构简单，设计巧妙，成本低廉，易于生产，具有广泛的应用前景，适合推广应用。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图。
图2为本实用新型的单个模块（去盖）示意图。
图3为图2中A-A的剖面图。
图4为本实用新型的侧面视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例
如图1至图4所示，该新型高集成度T/R组件，由两个8通道模块1对接组合而成，所述8通道模块包括用于安置器件的腔体2，安装于腔体内的射频PCB板3，在射频PCB板正面方向与之平行地固定安装于腔体上的盖板4，在射频PCB板背面方向与之平行地安置于腔体内的并与射频PCB板电性连接的低频PCB板5，设置于射频PCB板上的射频微波电路，分别设置于腔体侧面并均与射频微波电路连接的天线射频接口6和馈电网络射频接口7，以及设置于低频PCB板上的电源转换电路和时序控制电路，其中，所述盖板和低频PCB板与腔体构成气密性封装。所述天线射频接口通过SMP双阴接头与外部天线连接，所述馈电网络射频接口通过SMP双阴接头与外部馈电网络连接。
进一步地，为了便于连接，所述两个8通道模块中一个设有与时序控制电路连接的TR控制接口8，用于外接控制信号，另一个设有与电源转换电路连接的TR电源接口9，用于外接电源；所述TR控制接口和TR电源接口均安置于腔体侧面。
具体地，所述射频微波电路包括均设置射频PCB板上且安置于同一水平面的并通过金丝焊接依次连接的TR驱动芯片11、射频电路12、移相器芯片13、功放芯片14、低噪放芯片15和环形器16，其中，由TR驱动芯片通过馈电网络射频接口接入两路信号，并由环形器通过天线射频接口输出8路信号。所述射频PCB板和低频PCB板通过板间连接器17连通。进一步地，所述射频PCB板上还设有负责控制和供电的幅相控制芯片18。本实用新型主要在于组件结构和电路布局的改进，其涉及的电路原理（如射频微波电路、电源转换电路和时序控制电路）均为现有技术，在此不再赘述。
本实用新型通过射频PCB板和低频PCB板将射频微波电路和低频电路分离，射频PCB板上安置的电路主要用于射频微波的处理和传输，低频PCB板上安置的电路主要用于控制和供电，如此有效降低了电路实现难度，提高了可生产性，并提高了布线集成度，并且低频PCB板同时作为射频微波电路的屏蔽盖板，通过电磁仿真减小了两者之间的距离，提高了空间集成度。
上述实施例仅为本实用新型的优选实施例，并非对本实用新型保护范围的限制，但凡采用本实用新型的设计原理，以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化，均应属于本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种新型高集成度T/R组件，其特征在于，由两个8通道模块对接组合而成，所述8通道模块包括用于安置器件的腔体，安装于腔体内的射频PCB板，在射频PCB板正面方向与之平行地固定安装于腔体上的盖板，在射频PCB板背面方向与之平行地安置于腔体内的并与射频PCB板电性连接的低频PCB板，设置于射频PCB板上的射频微波电路，分别设置于腔体侧面并均与射频微波电路连接的天线射频接口和馈电网络射频接口，以及设置于低频PCB板上的电源转换电路和时序控制电路，其中，所述盖板和低频PCB板与腔体构成气密性封装。
2.根据权利要求1所述的一种新型高集成度T/R组件，其特征在于，所述两个8通道模块中一个设有与时序控制电路连接的TR控制接口，用于外接控制信号，另一个设有与电源转换电路连接的TR电源接口，用于外接电源；所述TR控制接口和TR电源接口均安置于腔体侧面。
3.根据权利要求2所述的一种新型高集成度T/R组件，其特征在于，所述射频微波电路包括均设置射频PCB板上且安置于同一水平面的并通过金丝焊接依次连接的TR驱动芯片、射频电路、移相器芯片、功放芯片、低噪放芯片和环形器，其中，由TR驱动芯片通过馈电网络射频接口接入两路信号，并由环形器通过天线射频接口输出8路信号。
4.根据权利要求3所述的一种新型高集成度T/R组件，其特征在于，所述射频PCB板和低频PCB板通过板件连接器连通。
5.根据权利要求4所述的一种新型高集成度T/R组件，其特征在于，所述射频PCB板上还设有负责控制和供电的幅相控制芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621153659.1U CN206117648U (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 一种新型高集成度t/r组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621153659.1U CN206117648U (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 一种新型高集成度t/r组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206117648U true CN206117648U (zh) | 2017-04-19 |
Family
ID=58528009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201621153659.1U Active CN206117648U (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 一种新型高集成度t/r组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206117648U (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107135454A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-09-05 | 南京钟山苑航空技术有限公司 | 一种用于小型无人机的扩音装置 |
| CN107483062A (zh) * | 2017-09-19 | 2017-12-15 | 成都嘉泰华力科技有限责任公司 | 一种多路接收通道 |
| CN109803487A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-05-24 | 西安茂德通讯科技有限公司 | 微波收发组件 |
| CN109884594A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-14 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种高性能一体化有源模块 |
| CN109921199A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-21 | 成都雷电微力科技有限公司 | 一种双面组装收发芯片的气密型tr模块 |
| CN111157980A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 收发组件 |
| CN112040685A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-12-04 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种大功率片式tr组件 |
| CN112147583A (zh) * | 2020-11-25 | 2020-12-29 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种高集成度砖式tr组件 |
| CN113193326A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-07-30 | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 | 一种w频段多通道气密封装相控阵sip模块 |
-
2016
- 2016-10-31 CN CN201621153659.1U patent/CN206117648U/zh active Active
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107135454A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-09-05 | 南京钟山苑航空技术有限公司 | 一种用于小型无人机的扩音装置 |
| CN107483062A (zh) * | 2017-09-19 | 2017-12-15 | 成都嘉泰华力科技有限责任公司 | 一种多路接收通道 |
| CN109803487A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-05-24 | 西安茂德通讯科技有限公司 | 微波收发组件 |
| CN109803487B (zh) * | 2019-02-18 | 2022-03-08 | 西安茂德通讯科技有限公司 | 微波收发组件 |
| CN109884594A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-14 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种高性能一体化有源模块 |
| CN109884594B (zh) * | 2019-02-28 | 2021-07-23 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种高性能一体化有源模块 |
| CN109921199A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-21 | 成都雷电微力科技有限公司 | 一种双面组装收发芯片的气密型tr模块 |
| CN111157980A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 收发组件 |
| CN112040685A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-12-04 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种大功率片式tr组件 |
| CN112147583A (zh) * | 2020-11-25 | 2020-12-29 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种高集成度砖式tr组件 |
| CN112147583B (zh) * | 2020-11-25 | 2021-02-23 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种高集成度砖式tr组件 |
| CN113193326A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-07-30 | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 | 一种w频段多通道气密封装相控阵sip模块 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN206117648U (zh) | 一种新型高集成度t/r组件 | |
| CN203103481U (zh) | 小型化表面贴装微波90°电桥 | |
| CN103430457A (zh) | 高频模块 | |
| CN203205638U (zh) | 高密度不同间距双层高速连接器 | |
| CN203813776U (zh) | 一种高集成度的tr射频模块 | |
| US8786513B2 (en) | Device and grounding device for enhancing EMS and wireless communication device | |
| CN201142359Y (zh) | 一种gps授时有源天线 | |
| US11205836B2 (en) | Base station antenna and antenna array module thereof | |
| CN203950898U (zh) | 一种多层pcb板实现的悬置微带线结构 | |
| CN207925641U (zh) | 小型化的Ka频段功率合成模块 | |
| CN113540777A (zh) | 基于有源aip单元的平板相控阵天线架构 | |
| CN2917191Y (zh) | 分散电磁干扰的印刷电路板的改良结构 | |
| CN205123724U (zh) | 一种信道组件 | |
| CN113484826B (zh) | 一种基于垂直互连技术的集成化多功能功分开关网络组件 | |
| CN203813778U (zh) | 一种tr射频模块 | |
| CN208078224U (zh) | 玻璃绝缘子连接器及电子设备 | |
| CN204009063U (zh) | 相控阵雷达波束控制装置 | |
| CN109803487A (zh) | 微波收发组件 | |
| CN202534654U (zh) | 光伏电池组件与信号收发天线一体集成装置 | |
| CN203192932U (zh) | 可缩小净空区的天线装置 | |
| CN209390444U (zh) | 一种显示及通讯专用集成电路板 | |
| CN208956004U (zh) | 一种滤波组件 | |
| CN208767569U (zh) | 一种通信接口 | |
| CN111538378A (zh) | 飞腾处理器的板卡接口 | |
| CN108811314A (zh) | 一种基于高厚径比深孔电镀技术高频高速电子线路板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: No. 2806, 28th Floor, Building 2, No. 530, Middle Section of Tianfu Avenue, Chengdu High tech Zone, China (Sichuan) Pilot Free Trade Zone, Chengdu City, Sichuan Province, 610000 Patentee after: CHENGDU RAXIO SHENGTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 1 / F, no.259, Xinle middle street, hi tech Zone, Chengdu, Sichuan 610000 Patentee before: CHENGDU RAXIO SHENGTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder |