CN206115185U - 数字信号采集电路、数字信号采集板卡 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种数字信号采集电路、数字信号采集板卡。其中，数字信号采集电路包括：输入保护电路、采集电路和第一隔离电路。其中，采集电路包括：第一防反二极管、第二防反二极管、分压电阻、第一限流电阻、三极管、第二限流电阻、发光二极管和控制电流电阻。通过三极管的发射极连接第一隔离电路和集电极通过限流电阻连接第一隔离电路，得到数字信号。同时，由发光二极管和控制电流电阻构成发射极电流控制电路。本实用新型提供的数字信号采集电路、数字信号采集板卡，增大了数字信号采集电路提供的工作电流，从而提高了数字信号采集电路、数字信号采集板卡的抗干扰能力。

Description

数字信号采集电路、数字信号采集板卡

技术领域

本实用新型涉及数字信号处理技术，尤其涉及一种数字信号采集电路、数字信号采集板卡。

背景技术

在工业现场控制领域，数字信号采集板卡是远程输入输出(Remote Input OutputModle，简称：RIOM)的重要组成部分，负责数字量采集(Digital Input，简称DI)。

现有技术中，数字信号采集电路采用两个电阻和电容实现数字信号采集的功能。

然而，采用现有技术，数字信号采集电路的工作电流较小，抗干扰能力不强。

实用新型内容

本实用新型提供一种数字信号采集电路、数字信号采集板卡。提高了数字信号采集电路的工作电流，增强了数字信号采集电路的抗干扰能力。

本实用新型提供一种一种数字信号采集电路，包括：数字信号采集电路，所述数字信号采集电路包括：输入保护电路、采集电路和第一隔离电路，所述采集电路包括：第一防反二极管、第二防反二极管、分压电阻、三极管、第一限流电阻、第二限流电阻、发光二极管和控制电流电阻；

所述输入保护电路的输出端与所述第一防反二极管的正极和所述第二防反二极管的负极连接；所述第一防反二极管的负极与所述分压电阻和所述第一限流电阻连接；所述第一防反二极管的负极通过所述分压电阻连接所述三极管的集电极和所述第二限流电阻的第一端，所述第二限流电阻的第二端连接所述第一隔离电路；所述第一防反二极管的负极通过所述第一限流电阻连接所述三极管的基极和所述发光二极管的正极；所述发光二极管的负极连接所述第二防反二极管的正极和所述控制电流电阻的第一端；所述三极管的发射级连接所述控制电流电阻的第二端和所述第一隔离电路。

在本实用新型一实施例中，数字信号采集电路还包括自检控制电路，所述自检控制电路包含自检控制电路正端和自检控制电路负端；

所述自检控制电路正端包含第一控制端和正输出端，所述自检控制电路正端通过所述第一控制端的输入信号控制所述正输入端输出高电平；

所述自检控制电路负端包含第二控制端和负输出端，所述自检控制电路负端通过所述第二控制端的输入信号控制所述负输出端输出低电平；

所述采集电路包括正输入端和负输入端，所述正输入端与所述正输出端连接，所述负输入端与所述负输出端连接。

在本实用新型一实施例中，所述负端电路包括：第一低电压控制电路、第二隔离电路和N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路；

所述第一低电压控制电路包括：第三限流电阻、第一小功率N沟道MOSFET和第一小功率N沟道MOSFET的驱动电路；所述第一小功率N沟道MOSFET的驱动电路包括：第一滤波电容、第二滤波电容、第四限流电阻、第一电阻和第一二极管；

所述第二隔离电路包括：第二光电耦合器；

所述N沟道MOSFET驱动电路包括：N沟道MOSFET、第五限流电阻、第六限流电阻和第一稳压二极管；

所述自检控制电路负端的所述第一控制端连接所述第四限流电阻的第一端和所述第一二极管的负极；所述第四限流电阻的第二端连接所述第一小功率N沟道MOSFET的栅极，并通过所述第一滤波电容连接所述第一小功率N沟道MOSFET的漏极，通过所述第二滤波电容连接所述第一小功率N沟道MOSFET的源极；所述第一二极管的正极通过所述第一电阻连接所述第一小功率N沟道MOSFET的栅极，并通过所述第一滤波电容连接所述第一小功率N沟道MOSFET的漏极，通过所述第二滤波电容连接所述第一小功率N沟道MOSFET的源极；所述第一小功率N沟道MOSFET的漏极连接所述第二光电耦合器的初级输出端；所述第二光电耦合器的初级输入端通过所述第三限流电阻连接电源；所述第二光电耦合器的次级输入端通过所述第六限流电阻连接电源，所述第二光电耦合器的次级输入端还连接所述第一稳压二极管的负极；所述第二光电耦合器的次级输出端连接所述N沟道MOSFET的栅极和所述第五限流电阻的第一端；所述第五限流电阻的第二端连接所述N沟道MOSFET的源极和所述第一稳压二极管的正极；所述N沟道MOSFET的漏极连接所述自检控制电路负端的负输出端。

在本实用新型一实施例中，所述正端电路包括：

第二低电压控制电路、第三隔离电路和P沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFEF驱动电路；

所述第二低电压控制电路包括：第七限流电阻、第二小功率N沟道MOSFET和第二小功率N沟道MOSFET的驱动电路；所述第二小功率N沟道MOSFET的驱动电路包括：第三滤波电容、第四滤波电容、第八限流电阻、第二电阻和第二二极管；

所述第三隔离电路包括：第三光电耦合器；

所述P沟道MOSFET驱动电路包括：P沟道MOSFET、第九限流电阻、第十限流电阻和第二稳压二极管；

所述自检控制电路正端的所述第二控制端连接所述第八限流电阻的第一端和所述第二二极管的负极；所述第八限流电阻的第二端连接所述第二小功率N沟道MOSFET的栅极，并通过所述第三滤波电容连接所述第二小功率N沟道MOSFET的漏极，通过所述第四滤波电容连接所述第二小功率N沟道MOSFET的源极；所述第二二极管的正极通过所述第二电阻连接所述第二小功率N沟道MOSFET的栅极，并通过所述第三滤波电容连接所述第二小功率N沟道MOSFET的漏极，通过所述第四滤波电容连接所述第二小功率N沟道MOSFET的源极；所述第二小功率N沟道MOSFET的漏极连接所述第三光电耦合器的初级输出端；所述第三光电耦合器的初级输入端通过所述第七限流电阻连接电源；所述第三光电耦合器的次级输出端通过所述第十限流电阻接地，所述第三光电耦合器的次级输出端还连接所述第二稳压二极管的正极；所述第二稳压二极管的负极连接所述P沟道MOSFET的漏极、所述第九限流电阻的第一端和电源；所述第九限流电阻的第二端连接所述P沟道MOSFET的栅极和所述第三光电耦合器的次级输入端；所述P沟道MOSFET的源极连接所述自检控制电路正端的正输出端。

在本实用新型一实施例中，所述输入保护电路包括：电感和瞬态抑制TVS二极管；

所述电感的第一端连接所述数字信号采集电路的输入端；所述电感的第二端连接所述第一防反二极管的正极、所述第二防反二极管的负极和所述TVS二极管的负极；所述TVS二极管的正极接地。

在本实用新型一实施例中，所述隔离电路包括：第一光电耦合器和第十一限流电阻；

所述第一光电耦合器的初级输入端与所述第二限流电阻连接；所述第一光电耦合器的初级输出端所述三极管的发射极和所述控制电流电阻连接；所述第一光电耦合器的次级输出端接地；所述第一光电耦合器的次级输入端连接所述第十一限流电阻和所述数字信号采集电路的输出端。

本实用新型提供一种数字信号采集板卡，包括上述实施例中任一项所述的数字信号采集电路。

本实用新型提供一种数字信号采集电路、数字信号采集板卡。其中，数字信号采集电路包括：输入保护电路、采集电路和第一隔离电路。其中，采集电路包括：第一防反二极管、第二防反二极管、分压电阻、第一限流电阻、三极管、第二限流电阻、发光二极管和控制电流电阻。通过三极管的发射极连接第一隔离电路和集电极通过限流电阻连接第一隔离电路，得到数字信号。同时，由发光二极管和控制电流电阻构成发射极电流控制电路。本实用新型提供的数字信号采集电路、数字信号采集板卡，增大了数字信号采集电路提供的工作电流，从而提高了数字信号采集电路、数字信号采集板卡的抗干扰能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型数字信号采集电路实施例一的结构示意图；

图2为本实用新型数字信号采集电路实施例二的结构示意图；

图3为本实用新型自检控制电路负端实施例的结构示意图；

图4为本实用新型自检控制电路正端实施例的结构示意图；

图5为本实用新型数字信号采集板卡实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

值得注意的是，本实用新型提供的数字信号采集电路可以应用于对各种数字信号的采集，而本实用新型提及的数字信号采集电路仅仅为本实用新型提供一种具体应用场景，仅仅是为了可以更加清楚的描述本实用新型提供的数字信号采集电路。

下面以具体地实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

图1为本实用新型数字信号采集电路实施例一的结构示意图。如图1所示，本实施例数字信号采集电路1包括：输入保护电路11、采集电路12和第一隔离电路13。其中，输入保护电路11用于接收输入的待采集的信号，并对输入信号进行滤波和保护，滤除输入的交流电的干扰并防止输入电压瞬间过高引起的器件损坏；采集电路12用于将输入的连续信号转化成离散的数字信号并输出，第一隔离电路13接收采集电路12采集的信号，进行电气隔离，并用于输出数字信号。

具体地，采集电路12包括：第一防反二极管121、第二防反二极管122、分压电阻123、第一限流电阻124、三极管125、第二限流电阻126、发光二极管127和控制电流电阻128。输入保护电路11的输出端与第一防反二极管121的正极和第二防反二极管122的负极连接，用于限定采集电路12的信号流向，使得信号通过第一防反二极管121、不通过第二防反二极管122。第一防反二极管121的负极与分压电阻123和第一限流电阻124连接，分压电阻123用于控制三极管125的工作状态，工作状态可以是饱和状态或正常状态，第一限流电阻124用于限定三极管125的电流。第一防反二极管121的负极通过分压电阻123连接三极管125的集电极和第二限流电阻126的第一端，第二限流电阻126的第二端连接第一隔离电路。第二限流电阻126用于和第一隔离电路13共同将采集电路12的输出信号电气隔离。第一防反二极管121的负极通过第一限流电阻124连接三极管125的基极和发光二极管127的正极。发光二极管127的负极连接第二防反二极管122的正极和控制电流电阻128的第一端，三极管125的发射级连接控制电流电阻128的第二端和第一隔离电路。

其中，采集电路12通过第二限流电阻126和三极管125的发射极连接第一隔离电路，并通过隔离电路输出数字信号。采集电路12中的三极管125的发射极电流为采集电路12的工作电流，发光二极管127和控制电流电阻128构成了电流控制电路，用于控制三极管125的发射极电流。采集电路12的工作电流大小为输入电压U与控制电流电阻128的阻值R相除之商，实际应用中可达20mA。远高于现有技术中通过电容与电阻形成的采集电路中，采集电路工作的电流5mA。

可选地，输入保护电路11包括：电感111和瞬态抑制(Transient VoltageSuppressor，简称：TVS)二极管112。其中，电感111的第一端连接数字信号采集电路1的输入端，接收外部输入信号，电感111的第二端连接采集电路12中的第一防反二极管121的正极、第二防反二极管122的负极和TVS二极管112的负极，TVS二极管112的正极接地。电感111用于滤除输入的交流电的干扰，TVS二极管112用于防止输入瞬间电压过高引起器件的损坏。

可选地，第一隔离电路13包括：第一光电耦合器131，第十一限流电阻132。其中，第一光电耦合器131的初级输入端与采集电路12中的第二限流电阻126连接；第一光电耦合器131的初级输出端与采集电路12中的三极管125的发射极和控制电流电阻128连接；第一光电耦合器131的次级输入端连接第十一限流电阻132和数字信号采集电路1的输出端；第一光电耦合器131的次级输出端接地。第十一限流电阻132用于限定光电耦合器131初级输入端输入的电流，防止输入光电耦合器131的电流过大减少其使用寿命。光电耦合器131用于对采集电路12的信号及数字信号采集电路1的输出信号进行电气隔离。可选地，光电耦合器131的耐压值和开关速度可以根据实际工况进行选型。光电耦合器131和第二限流电阻126共同组成隔离控制电路，隔离控制电路通过获取三极管125集电极和发射极之间的电压，控制光电耦合器131的导通和关闭从而实现数字信号采集。

可选地，本实施例提供的数字信号采集电路可以用于工业现场，特别是城市轻轨、地铁和汽车等领域，用于对电压值范围在0-74V的信号进行采集。

本实施例提供的数字信号采集电路包括：输入保护电路、采集电路和第一隔离电路，其中采集电路包括第一防反二极管、第二防反二极管、分压电阻、第一限流电阻、三极管、第二限流电阻、发光二极管和控制电流电阻。采集电路中三极管的发射极连接第一隔离电路和集电极通过限流电阻连接第一隔离电路，得到采集后的数字信号。并且由发光二极管和控制电流电阻构成的发射极电流控制电路，增大了采集电路提供的工作电流，从而提高了采集电路以及整个数字信号采集电路的抗干扰能力。

图2为本实用新型数字信号采集电路实施例二的结构示意图。如图2所示，在上述实施例的基础上，数字信号采集电路还包括自检控制电路，自检控制电路包括：自检控制电路负端21和自检控制电路正端22。自检控制电路负端21包括第一控制端和负输出端，自检控制电路负端21通过第一控制端输入信号控制负输出端输出低电平。自检控制电路正端22包括第二控制端和正输出端，自检控制电路正端22通过第二控制端输入信号控制正输出端输出高电平。采集电路12包括正输入端和负输入端，正输入端用于与自检控制电路正端22的输出端连接，接收自检控制电路正端22正输出端输出的高电平；负输入端用于与自检控制电路负端21的输出端连接，接收自检控制电路负端21负输出端输出的低电平。

自检控制电路负端21连接第三防反二极管201的负极，第三防反二极管201的正极连接采集电路12中的第二防反二极管122的正极、发光二极管127的负极和控制电流电阻128的第一端。自检控制电路正端22连接第四防反二极管202的正极，第四防反二极管202的负极连接采集电路12中的第一防反二极管121的负极、分压电阻123和第一电阻124。

自检控制电路用于检测采集电路12是否正常工作。则当自检控制电路负端21输出低电平，自检控制电路正端22输出高电平时，第四防反二极管202的正极和负极都为高电平，第三防反二极管201的负极为低电平。

若采集电路12的电流控制电路中的三极管125或控制电流电阻128出现故障，则第四防反二极管202的负极通过第一电阻124和发光二极管127与第三防反二极管201的正极连接，使得第三防反二极管201的正极为高电平、负极为低电平，则以此检测结果判定采集电路故障。

若采集电路12的电流控制电路中的三极管125和控制电流电阻128正常工作，则第四防反二极管202的负极通过第一电阻124，同时与发光二极管127的正极和三极管125的基极连接。三极管125的发射极通过控制电流电阻128与第三防反二极管的正极连接。发光二极管127的负极连接第三防反二极管的正极，此时发光二极管127起到稳压管的作用，三极管125的发射极输出的低电平使得第三防反二极管201的正极为低电平、负极也为低电平，则以此检测结果判定采集电路正常工作。

本实施例提供的数字信号采集电路，包括自检控制电路，自检控制电路包括自检控制电路正端和自检控制电路负端。自检控制电路负端通过第一控制端输入信号控制负输出端输出低电平，自检控制电路正端通过第二控制端输入信号控制正输出端输出高电平。根据第三防反二极管正极和负极的电平判断采集电路是否正常工作。本实施例提供的数字信号采集电路包括自检的功能，能够实时判断电路是否正常工作，能够让采集电路工作在更大的功率环境中，增大了数字信号采集电路的抗干扰性能，拥有广泛的应用前景。

可选地，图3为本实用新型自检控制电路负端实施例的结构示意图。如图3所示，本实施例提供的自检控制电路负端包括：第一低电压控制电路31、第二隔离电路32和N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，简称：MOSFET)驱动电路33。

其中，第一低电压控制电路31包括：第三限流电阻311、第一小功率N沟道MOSFET312和第一小功率N沟道MOSFET312的驱动电路。

第二隔离电路包括：第二光电耦合器321，第二光电耦合器321用于电气隔离。可选地，第二光电耦合器321的耐压值和开关速度可以根据实际工况进行选型。第三限流电阻311用于限定第二光电耦合器321初级输入端输入的电流。

第一小功率N沟道MOSFET312用于控制第二光电耦合器321的开关并同时减少自检控制电路负端21的第一控制端的输出电流。

第一小功率N沟道MOSFET312的驱动电路包括：第一滤波电容313、第二滤波电容314、第四限流电阻315、第一电阻316和第一二极管317。其中，第一滤波电容313和第二滤波电容314对第一小功率N沟道MOSFET312的输入端进行滤波，滤除交流电的干扰。第四限流电阻315用于限定第一小功率N沟道MOSFET312的输入电流。第一电阻316和第一二极管317用于形成第一小功率N沟道MOSFET312的快速放点回路。

N沟道MOSFET驱动电路33包括：N沟道MOSFET331、第五限流电阻332、第六限流电阻334和第一稳压二极管333。其中，第六限流电阻334用于限定第二光电耦合器321次级输入端输入的电流。第五限流电阻332用于为N沟道MOSFET331的栅极充电，并限定充电电流。第一稳压二极管333用于限定N沟道MOSFET331栅极的电压值，防止N沟道MOSFET331栅极电压过高。

本实施例提供的自检控制电路负端电路的具体连接方式为：自检控制电路负端21的输入信号的第一控制端连接第一低电压控制电路31中第四限流电阻315的第一端和第一二极管317的负极。第四限流电阻315的第二端连接第一小功率N沟道MOSFET312的栅极，并通过第一滤波电容313连接第一小功率N沟道MOSFET312的漏极，通过第二滤波电容314连接第一小功率N沟道MOSFET312的源极。第一二极管317的正极通过第一电阻316连接第一小功率N沟道MOSFET312的栅极，并通过第一滤波电容313连接第一小功率N沟道MOSFET312的漏极，通过第二滤波电容314连接第一小功率N沟道MOSFET312的源极。第一小功率N沟道MOSFET312的漏极连接第二光电耦合器321的初级输出端。第二光电耦合器321的初级输入端通过第三限流电阻311连接电源。第二光电耦合器321的次级输入端通过第六限流电阻334连接电源，第二光电耦合器321的次级输入端还连接第一稳压二极管333的负极。第二光电耦合器321的次级输出端连接N沟道MOSFET331的栅极和第五限流电阻332的第一端。第五限流电阻332的第二端连接N沟道MOSFET331的源极和第一稳压二极管333的正极。N沟道MOSFET331的漏极连接自检控制电路负端21的负输出端，为自检控制电路21提供的输出信号。

可选地，图4为本实用新型自检控制电路正端实施例的结构示意图。如图4所示，本实施例提供的自检控制电路正端包括：第二低电压控制电路41、第三隔离电路42和P沟道MOSFET驱动电路43。

其中，第二低电压控制电路42包括：第七限流电阻411、第二小功率N沟道MOSFET412和第二小功率N沟道MOSFET412的驱动电路。

第三隔离电路42包括：第三光电耦合器421，第三光电耦合器421用于第二低电压控制电路41和P沟道MOSFET驱动电路43的电气隔离。可选地，第三光电耦合器421的耐压值和开关速度可以根据实际工况进行选型。第七限流电阻411用于限定第三光电耦合器421初级输入端输入的电流。

第二小功率N沟道MOSFET412用于控制第三光电耦合器421的开关并同时减少自检控制电路正端22的第一控制端的输出电流。

第二小功率N沟道MOSFET412的驱动电路包括：第三滤波电容413、第四滤波电容414、第八限流电阻415、第二电阻416和第二二极管417。其中第三滤波电容413和第四滤波电容414对第二小功率N沟道MOSFET412的输入端进行滤波，滤除交流电的干扰。第八限流电阻415用于限定小功率N沟道MOSFE第二的输入电流。第二电阻416和第二二极管417用于形成第二小功率N沟道MOSFET412的快速放电回路。

P沟道MOSFET驱动电路43包括：P沟道MOSFET431、第九限流电阻432、第十限流电阻434和第二稳压二极管433。其中，第十限流电阻434用于限定第三光电耦合器421次级输出端的输出的电流。第九限流电阻432用于为P沟道MOSFET431的栅极充电，并限定充电电流。第二稳压二极管433用于限定P沟道MOSFET431栅极的电压值，放置P沟道MOSFET驱动电路43栅极电压过高。

本实施例提供的自检控制电路正端电路的具体连接方式为：自检控制电路正端22用于输入信号的第二控制端连接第二低电压控制电路32中的第八限流电阻415的第一端和第二二极管417的负极。第八限流电阻415的第二端连接第二小功率N沟道MOSFET412的栅极，并通过第三滤波电容413连接第二小功率N沟道MOSFET412的漏极，通过第四滤波电容414连接第二小功率N沟道MOSFET412的源极。第二二极管417的正极通过第二电阻416连接第二小功率N沟道MOSFET412的栅极，并通过第三滤波电容413连接第二小功率N沟道MOSFET412的漏极，通过第四滤波电容414连接第二小功率N沟道MOSFET412的源极。第二小功率N沟道MOSFET412的漏极连接第三光电耦合器421的初级输出端。第三光电耦合器421的初级输入端通过第七限流电阻411连接电源。第三光电耦合器421的次级输出端通过第十限流电阻434接地，第三光电耦合器421的次级输出端还连接第二稳压二极管433的正极。第二稳压二极管433的负极连接P沟道MOSFET431的漏极、第九限流电阻432的第一端和电源。第九限流电阻432的第二端连接P沟道MOSFET431的栅极和第三光电耦合器421的次级输入端。P沟道MOSFET431的源极连接自检控制电路正端22的正输出端，为自检控制电路正端22的输出信号。

图5为本实用新型数字信号采集板卡实施例的结构示意图。如图5所示，本实施例提供的数字信号采集板卡包括：数字信号采集电路51。其中，数字信号采集电路51可以采用前述所有实施例中任一所述的数字信号采集电路。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种数字信号采集电路，其特征在于，包括：

数字信号采集电路，所述数字信号采集电路包括：输入保护电路、采集电路和第一隔离电路，所述采集电路包括：第一防反二极管、第二防反二极管、分压电阻、三极管、第一限流电阻、第二限流电阻、发光二极管和控制电流电阻；

所述输入保护电路的输出端与所述第一防反二极管的正极和所述第二防反二极管的负极连接；所述第一防反二极管的负极与所述分压电阻和所述第一限流电阻连接；所述第一防反二极管的负极通过所述分压电阻连接所述三极管的集电极和所述第二限流电阻的第一端，所述第二限流电阻的第二端连接所述第一隔离电路；所述第一防反二极管的负极通过所述第一限流电阻连接所述三极管的基极和所述发光二极管的正极；所述发光二极管的负极连接所述第二防反二极管的正极和所述控制电流电阻的第一端；所述三极管的发射级连接所述控制电流电阻的第二端和所述第一隔离电路。

2.根据权利要求1所述的数字信号采集电路，其特征在于，还包括:

自检控制电路，所述自检控制电路包含自检控制电路正端和自检控制电路负端；

所述自检控制电路正端包含第一控制端和正输出端，所述自检控制电路正端通过所述第一控制端的输入信号控制所述正输入端输出高电平；

所述自检控制电路负端包含第二控制端和负输出端，所述自检控制电路负端通过所述第二控制端的输入信号控制所述负输出端输出低电平；

所述采集电路包括正输入端和负输入端，所述正输入端与所述正输出端连接，所述负输入端与所述负输出端连接。

3.根据权利要求2所述的数字信号采集电路，其特征在于，所述负端电路包括：

第一低电压控制电路、第二隔离电路和N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路；

所述第一低电压控制电路包括：第三限流电阻、第一小功率N沟道MOSFET和第一小功率N沟道MOSFET的驱动电路；所述第一小功率N 沟道MOSFET的驱动电路包括：第一滤波电容、第二滤波电容、第四限流电阻、第一电阻和第一二极管；

所述第二隔离电路包括：第二光电耦合器；

所述N沟道MOSFET驱动电路包括：N沟道MOSFET、第五限流电阻、第六限流电阻和第一稳压二极管；

所述自检控制电路负端的所述第一控制端连接所述第四限流电阻的第一端和所述第一二极管的负极；所述第四限流电阻的第二端连接所述第一小功率N沟道MOSFET的栅极，并通过所述第一滤波电容连接所述第一小功率N沟道MOSFET的漏极，通过所述第二滤波电容连接所述第一小功率N沟道MOSFET的源极；所述第一二极管的正极通过所述第一电阻连接所述第一小功率N沟道MOSFET的栅极，并通过所述第一滤波电容连接所述第一小功率N沟道MOSFET的漏极，通过所述第二滤波电容连接所述第一小功率N沟道MOSFET的源极；所述第一小功率N沟道MOSFET的漏极连接所述第二光电耦合器的初级输出端；所述第二光电耦合器的初级输入端通过所述第三限流电阻连接电源；所述第二光电耦合器的次级输入端通过所述第六限流电阻连接电源，所述第二光电耦合器的次级输入端还连接所述第一稳压二极管的负极；所述第二光电耦合器的次级输出端连接所述N沟道MOSFET的栅极和所述第五限流电阻的第一端；所述第五限流电阻的第二端连接所述N沟道MOSFET的源极和所述第一稳压二极管的正极；所述N沟道MOSFET的漏极连接所述自检控制电路负端的负输出端。

4.根据权利要求2所述的数字信号采集电路，其特征在于，所述正端电路包括：

第二低电压控制电路、第三隔离电路和P沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFEF驱动电路；

所述第二低电压控制电路包括：第七限流电阻、第二小功率N沟道MOSFET和第二小功率N沟道MOSFET的驱动电路；所述第二小功率N沟道MOSFET的驱动电路包括：第三滤波电容、第四滤波电容、第八限流电阻、第二电阻和第二二极管；

所述第三隔离电路包括：第三光电耦合器；

所述P沟道MOSFET驱动电路包括：P沟道MOSFET、第九限流电阻、第十限流电阻和第二稳压二极管；

所述自检控制电路正端的所述第二控制端连接所述第八限流电阻的第一端和所述第二二极管的负极；所述第八限流电阻的第二端连接所述第二小功率N沟道MOSFET的栅极，并通过所述第三滤波电容连接所述第二小功率N沟道MOSFET的漏极，通过所述第四滤波电容连接所述第二小功率N沟道MOSFET的源极；所述第二二极管的正极通过所述第二电阻连接所述第二小功率N沟道MOSFET的栅极，并通过所述第三滤波电容连接所述第二小功率N沟道MOSFET的漏极，通过所述第四滤波电容连接所述第二小功率N沟道MOSFET的源极；所述第二小功率N沟道MOSFET的漏极连接所述第三光电耦合器的初级输出端；所述第三光电耦合器的初级输入端通过所述第七限流电阻连接电源；所述第三光电耦合器的次级输出端通过所述第十限流电阻接地，所述第三光电耦合器的次级输出端还连接所述第二稳压二极管的正极；所述第二稳压二极管的负极连接所述P沟道MOSFET的漏极、所述第九限流电阻的第一端和电源；所述第九限流电阻的第二端连接所述P沟道MOSFET的栅极和所述第三光电耦合器的次级输入端；所述P沟道MOSFET的源极连接所述自检控制电路正端的正输出端。

5.根据权利要求1所述的数字信号采集电路，其特征在于，所述输入保护电路包括：

电感和瞬态抑制TVS二极管；

所述电感的第一端连接所述数字信号采集电路的输入端；所述电感的第二端连接所述第一防反二极管的正极、所述第二防反二极管的负极和所述TVS二极管的负极；所述TVS二极管的正极接地。

6.根据权利要求1所述的数字信号采集电路，其特征在于，所述隔离电路包括：

第一光电耦合器和第十一限流电阻；

所述第一光电耦合器的初级输入端与所述第二限流电阻连接；所述第一光电耦合器的初级输出端所述三极管的发射极和所述控制电流电阻连接；所述第一光电耦合器的次级输出端接地；所述第一光电耦合器的次级输入端连接所述第十一限流电阻和所述数字信号采集电路的输出端。

7.一种数字信号采集板卡，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的数字信号采集电路。