CN206099334U - 一种具有过欠压检测的防反接保护电路 - Google Patents

一种具有过欠压检测的防反接保护电路 Download PDF

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王玲琴
张亮亮
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Abstract

本实用新型公开一种具有过欠压检测的防反接保护电路,其包括直流电源、电源保护控制器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管,直流电源正端与第一MOS管的漏极相连,第一MOS管、第二MOS管源极相连,第二MOS管的漏极接输出端且与电源保护控制器的输出端相连,第一MOS管、第二MOS管的栅极分别经第五电阻、第六电阻与电源保护控制器的GATE引脚相连;电源保护控制器的VIN与SHDN引脚、SHDN与UV引脚、UV与OV引脚、OV引脚与信号地之间分别接有电阻,第三MOS管的漏极接电源保护控制器的SHDN引脚,源极接信号地。本实用新型能够在输入过压、欠压及电路反接时实现快速重启,提高电源使用便利性。

Description

一种具有过欠压检测的防反接保护电路
技术领域
本实用新型涉及电源控制技术领域,尤其是涉及一种具有过欠压检测的防反接保护电路。
背景技术
直流输入电源异常时会保护电源自身,电源保护时关闭输出电压,故障解除后需要重新启动供电源,电源才能恢复输出电压。传统的电源保护是利用二极管的单向导电特性来实现防反接保护,这种方法虽然成本低廉,但是缺点也很明显,就是功耗太大,电路原理复杂,器件体积较大,反应速度慢。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型的目的是提供一种具有过欠压检测的防反接保护电路,其能够在输入过压、欠压及电路反接时实现快速重启,提高电源使用便利性,减小电源功耗,减小电源体积。
为实现上述发明目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种具有过欠压检测的防反接保护电路,其包括直流电源、电源保护控制器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管,直流电源正端与第一MOS管的漏极相连,第一MOS管的源极接第二MOS管的源极,第二MOS管的漏极接输出端且与电源保护控制器的输出端VOUT引脚相连,第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极分别经第五电阻、第六电阻与电源保护控制器的GATE引脚相连;电源保护控制器的GATE引脚与地之间串联有第七电阻、第一电容,第一电阻接在电源保护控制器的VIN引脚与SHDN引脚之间,第二电阻接在电源保护控制器的SHDN引脚与UV引脚之间,第三电阻接在电源保护控制器的UV引脚与OV引脚之间,第四电阻接在电源保护控制器的OV引脚与信号地之间,电源保护控制器的GND引脚接信号地,第三MOS管的漏极接电源保护控制器的SHDN引脚,源极接信号地。
所述的具有过欠压检测的防反接保护电路,其直流电源为小于100V的直流源。
所述的具有过欠压检测的防反接保护电路,其电源保护控制器采用型号为LTC4367的芯片。
由于采用如上所述的技术方案,本实用新型具有如下优越性:
该具有过欠压检测的防反接保护电路,其使用可靠,体积较小,能够在输入故障下快速重启,实现远程开关控制、启动瞬间限制冲击电流在额定电流2倍以内,可调的欠压和过压门限,直流输入电源异常时会保护电源自身,电源保护时关闭输出电压,故障解除后能够快速启动,产生输出电压。使用N沟道MOS管实现电路防反接,减小了电路的功耗,输入电压可高达100V,50us快速故障恢复时间。
附图说明
图1是本实用新型具有过欠压检测的防反接保护电路的原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型的技术方案作进一步详细说明。
如图1所示,该具有过欠压检测的防反接保护电路,其包括直流电源V1、电源保护控制器U1、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3,第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3均为N沟道MOS管,直流电源V1正端与第一MOS管M1的漏极相连,第一MOS管M1的源极接第二MOS管M2的源极,第二MOS管M2的漏极接输出端且与电源保护控制器U1的VOUT引脚相连,第一MOS管M1的栅极、第二MOS管M2的栅极分别经第五电阻R5、第六电阻R6与电源保护控制器的GATE引脚相连;电源保护控制器U1的GATE引脚与地之间串联有第七电阻R7、第一电容C1,第一电阻R1接在电源保护控制器的VIN引脚与SHDN引脚之间,第二电阻R2接在电源保护控制器的SHDN引脚与UV引脚之间,第三电阻R3接在电源保护控制器的UV引脚与OV引脚之间,第四电阻R4接在电源保护控制器的OV引脚与信号地之间,电源保护控制器的GND引脚接信号地,第三MOS管M3的漏极接电源保护控制器的SHDN引脚,源极接信号地。
上述的直流电源V1为小于100V的直流源。
上述的电源保护控制器U1型号为LTC4367的芯片。
本实用新型的具有过欠压检测的防反接保护电路的工作原理为:通过外置的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4设置输入电压的过压和欠压点。第一MOS管M1、第二MOS管M2源极相接,输入反接时,能防止通过MOS的体二极管反向流动。当电源保护控制器U1检测到输入电压异常时,GATE引脚被拉低,两MOS管关断。故障恢复后,电路迅速重启,恢复输出。电源保护控制器U1的FAULT引脚具有故障指示功能。该电路具有开关,通过第三MOS管M3控制电源保护控制器U1的使能引脚。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,而非对本实用新型的限制,在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下,凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰,皆应属本实用新型的专利保护范围之内。

Claims (3)

1.一种具有过欠压检测的防反接保护电路,其特征是:其包括直流电源、电源保护控制器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管,直流电源正端与第一MOS管的漏极相连,第一MOS管的源极接第二MOS管的源极,第二MOS管的漏极接输出端且与电源保护控制器的输出端VOUT引脚相连,第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极分别经第五电阻、第六电阻与电源保护控制器的GATE引脚相连;电源保护控制器的GATE引脚与地之间串联有第七电阻、第一电容,第一电阻接在电源保护控制器的VIN引脚与SHDN引脚之间,第二电阻接在电源保护控制器的SHDN引脚与UV引脚之间,第三电阻接在电源保护控制器的UV引脚与OV引脚之间,第四电阻接在电源保护控制器的OV引脚与信号地之间,电源保护控制器的GND引脚接信号地,第三MOS管的漏极接电源保护控制器的SHDN引脚,源极接信号地。
2.根据权利要求1所述的具有过欠压检测的防反接保护电路,其特征是:其直流电源为小于100V的直流源。
3.根据权利要求1所述的具有过欠压检测的防反接保护电路,其特征是:其电源保护控制器采用型号为LTC4367的芯片。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114204635A (zh) * 2021-12-07 2022-03-18 西安天科铭创石油技术服务有限公司 一种井下电池组管理控制电路和方法以及装置
WO2022095552A1 (zh) * 2020-11-05 2022-05-12 北京航天发射技术研究所 基于卫星授时和cpt原子钟守时的时频基准生成装置和方法

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