CN205992356U - 一种位置直读模拟静电场描绘仪 - Google Patents
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Abstract
一种模拟静电场描绘仪，主要应用于大、中专院校物理实验教学。它含底座、支架Ⅰ、数显感应尺Ⅰ、数显卡尺表头Ⅰ、支架Ⅱ、数显感应尺Ⅱ、连接线Ⅰ、连接线Ⅱ、测量仪、连接线Ⅲ、支架Ⅲ、数显卡尺表头Ⅱ、探针、电极板。数显卡尺表头Ⅰ可在数显感应尺上Ⅰ滑动，数显卡尺表头Ⅱ可在数显感应尺Ⅱ上滑动，探针接触导电微晶介质的位置可通过数显卡尺表头Ⅰ和数显卡尺表头Ⅱ的读数确定，测量仪通过接线柱Ⅱ和接线柱Ⅲ提供稳恒直流电源给电极Ⅰ和电极Ⅱ，探针接触导电微晶介质位置的电压通过测量仪的电压表测量显示，改变探针的位置即可测量出电极Ⅰ与电极Ⅱ之间不同位置的电压值。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种位置直读模拟静电场描绘仪，主要应用于大、中专院校物理实验教学。
背景技术
电场可用电场强度和电位的空间分布来描述，在一般清况下，用数学方法求解静电场比较复杂和困难，往往借助于实验进行测量，而直接测量静电场的分布很困难，为此，常用稳恒电流场模拟静电场的方法来间接测量静电场，此种实验方法叫“模拟法”。现有的模拟静电场描绘仪的导电介质主要是自来水、导电微晶，但是，不管导电介质是自来水还是导电微晶，都存在着明显的不足：稳恒电流场与描绘板为上下两层，其探针和描绘笔分别固定在上下两弹片上，描绘时探针和描绘点很难在同一直线上必将带来较大的误差；另外，仪器结构复杂、操作繁琐，尤其是自来水导电介质时，不易更换导电介质和电极。
发明内容
为了解决现有模拟静电场描绘仪的不足，本实用新型提供一种位置直读模拟静电场描绘仪，该模拟静电场描绘仪不仅解决了探针和描绘笔的不同轴问题，使描绘变得直观和简单，而且电极容易更换。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：它含底座、支架Ⅰ、数显感应尺Ⅰ、数显卡尺表头Ⅰ、支架Ⅱ、数显感应尺Ⅱ、连接线Ⅰ、连接线Ⅱ、测量仪、连接线Ⅲ、支架Ⅲ、数显卡尺表头Ⅱ、探针、电极板。测量仪含接线柱Ⅰ、电压表、机箱、接线柱Ⅲ、接线柱Ⅱ。电极板含导电微晶介质、电极Ⅰ、连接线Ⅵ、接线柱Ⅳ、接线柱Ⅴ、连接线Ⅶ、电极Ⅱ、环氧树脂板。底座上有支架Ⅰ、支架Ⅱ、支架Ⅲ、电极板。支架Ⅰ和支架Ⅱ上装有数显感应尺Ⅰ、数显感应尺Ⅰ上装有数显卡尺表头Ⅰ，数显感应尺Ⅱ的一端与数显卡尺表头Ⅰ连接，数显感应尺Ⅱ的另一端放置在支架Ⅲ上，可以在支架Ⅲ上滑动，数显感应尺Ⅱ中间装有数显卡尺表头Ⅱ，数显卡尺表头Ⅱ上装有探针，探针的下端与导电微晶介质相接触。接线柱Ⅱ通过连接线Ⅱ与接线柱Ⅳ电连接，接线柱Ⅲ通过连接线Ⅲ与接线柱Ⅴ电连接，接线柱Ⅳ通过连接线Ⅵ与电极Ⅰ电连接，接线柱Ⅴ通过连接线Ⅶ与电极Ⅱ电连接，接线柱Ⅰ通过连接线Ⅰ与探针电连接。数显卡尺表头Ⅰ可在数显感应尺上Ⅰ滑动，数显卡尺表头Ⅱ可在数显感应尺Ⅱ上滑动，探针接触导电微晶介质的位置可通过数显卡尺表头Ⅰ和数显卡尺表头Ⅱ的读数确定。测量仪通过接线柱Ⅱ和接线柱Ⅲ提供稳恒直流电源给电极Ⅰ和电极Ⅱ，探针接触导电微晶介质位置的电压通过测量仪的电压表测量显示。移动数显卡尺表头Ⅰ和数显卡尺表头Ⅱ的位置即可改变探针的位置，通过电压表测量出电极Ⅰ与电极Ⅱ之间不同位置的电压值。本实用新型的有益效果是，数显卡尺表头Ⅰ可在数显感应尺上Ⅰ滑动，数显卡尺表头Ⅱ可在数显感应尺Ⅱ上滑动，探针接触导电微晶介质的位置可通过数显卡尺表头Ⅰ和数显卡尺表头Ⅱ的读数确定，测量仪通过接线柱Ⅱ和接线柱Ⅲ提供稳恒直流电源给电极Ⅰ和电极Ⅱ，探针接触导电微晶介质位置的电压通过测量仪的电压表测量显示，改变探针的位置即可测量出电极Ⅰ与电极Ⅱ之间不同位置的电压值，彻底解决了双层结构仪器中探针和描绘点不在同一直线上的问题，使描绘变得直观和简单，而且电极容易更换。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1中测量仪的结构示意图。
图3是图1中电极板的结构示意图。
图中，1、底座，2、支架Ⅰ，3、数显感应尺Ⅰ，4、数显卡尺表头Ⅰ，5、支架Ⅱ，6、数显感应尺Ⅱ，7、连接线Ⅰ，8、连接线Ⅱ，9、测量仪，10、连接线Ⅲ，11、支架Ⅲ，12、数显卡尺表头Ⅱ，13、探针，14、电极板，15、接线柱Ⅰ，16、电压表，17、机箱，18、接线柱Ⅲ，19、接线柱Ⅱ，20、导电微晶介质，21、电极Ⅰ，22、连接线Ⅵ，23、接线柱Ⅳ，24、接线柱Ⅴ，25、连接线Ⅶ，26、电极Ⅱ，27、环氧树脂板。
具体实施方式
在图1中，底座（1）上有支架Ⅰ（2）、支架Ⅱ（5）、支架Ⅲ（11）、电极板（14）。支架Ⅰ（2）和支架Ⅱ（5）上装有数显感应尺Ⅰ（3）、数显感应尺Ⅰ（3）上装有数显卡尺表头Ⅰ（4），数显感应尺Ⅱ（6）的一端与数显卡尺表头Ⅰ（4）连接，数显感应尺Ⅱ（6）的另一端放置在支架Ⅲ（11）上，可以在支架Ⅲ（11）上滑动，数显感应尺Ⅱ（6）中间装有数显卡尺表头Ⅱ（12），数显卡尺表头Ⅱ（12）上装有探针（13），探针（13）的下端与图3中的导电微晶介质（20）相接触。图2中的接线柱Ⅱ（19）通过连接线Ⅱ（8）与图3中的接线柱Ⅳ（23）电连接，图2中的接线柱Ⅲ（18）通过连接线Ⅲ（10）与图3中的接线柱Ⅴ（24）电连接，图3中的接线柱Ⅳ（23）通过图3中的连接线Ⅵ（22）与图3中的电极Ⅰ（21）电连接，图3中的接线柱Ⅴ（24）通过图3中的连接线Ⅶ（25）与图3中的电极Ⅱ（26）电连接，图2中的接线柱Ⅰ（15）通过连接线Ⅰ（7）与探针（13）电连接。数显卡尺表头Ⅰ（4）可在数显感应尺上Ⅰ（3）滑动，数显卡尺表头Ⅱ（12）可在数显感应尺Ⅱ（6）上滑动，探针（13）接触图3中的导电微晶介质（20）的位置可通过数显卡尺表头Ⅰ（4）和数显卡尺表头Ⅱ（12）的读数确定。测量仪（9）通过图2中的接线柱Ⅱ（19）和接线柱Ⅲ（18）提供稳恒直流电源给图3中的电极Ⅰ（21）和电极Ⅱ（26），探针（13）接触图3中的导电微晶介质（20）位置的电压通过图2中的电压表（16）测量显示。移动数显卡尺表头Ⅰ（4）和数显卡尺表头Ⅱ（12）的位置即可改变探针（13）的位置，通过图2中的电压表（16）测量出图3中的电极Ⅰ（21）与图3中的电极Ⅱ（26）之间不同位置的电压值。
Claims (2)
1.一种位置直读模拟静电场描绘仪，它含底座、支架Ⅰ、数显感应尺Ⅰ、数显卡尺表头Ⅰ、支架Ⅱ、数显感应尺Ⅱ、连接线Ⅰ、连接线Ⅱ、测量仪、连接线Ⅲ、支架Ⅲ、数显卡尺表头Ⅱ、探针、电极板，其特征是：支架Ⅰ和支架Ⅱ上装有数显感应尺Ⅰ、数显感应尺Ⅰ上装有数显卡尺表头Ⅰ，数显感应尺Ⅱ的一端与数显卡尺表头Ⅰ连接，数显感应尺Ⅱ的另一端放置在支架Ⅲ上，可以在支架Ⅲ上滑动，数显感应尺Ⅱ中间装有数显卡尺表头Ⅱ，数显卡尺表头Ⅱ上装有探针，探针的下端与导电微晶介质相接触。
2.根据权利要求1所述的一种位置直读模拟静电场描绘仪，其特征是：数显感应尺可以是游标卡尺的主尺，数显卡尺表头可以是游标尺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620596598.XU CN205992356U (zh) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 一种位置直读模拟静电场描绘仪 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620596598.XU CN205992356U (zh) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 一种位置直读模拟静电场描绘仪 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205992356U true CN205992356U (zh) | 2017-03-01 |
Family
ID=58101900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201620596598.XU Active CN205992356U (zh) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 一种位置直读模拟静电场描绘仪 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN205992356U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109147509A (zh) * | 2018-07-17 | 2019-01-04 | 南阳理工学院 | 全自动导电微晶静电场描绘仪及其使用方法 |
| CN109859585A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-06-07 | 萍乡学院 | 一种静电场物理教学演示装置 |
| CN115083245A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-09-20 | 浙江师范大学 | 一种三维可视化静电场描绘仪 |
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2016
- 2016-06-20 CN CN201620596598.XU patent/CN205992356U/zh active Active
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|---|---|---|---|---|
| CN109147509A (zh) * | 2018-07-17 | 2019-01-04 | 南阳理工学院 | 全自动导电微晶静电场描绘仪及其使用方法 |
| CN109859585A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-06-07 | 萍乡学院 | 一种静电场物理教学演示装置 |
| CN115083245A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-09-20 | 浙江师范大学 | 一种三维可视化静电场描绘仪 |
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