CN205987446U - 一种双管反激的单级pfc的led电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种双管反激的单级PFC的LED电路,包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1,所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接,所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联,所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联,所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧,所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2,所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6,所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。本实用新型因为电路结构简单,MOS耐压低自然RDS小,损耗低,效率高,节省能源,延长产品寿命,同时成本也低,降低了成本,一个高耐压的MOS,远远高于两个低压的MOS。
Description
技术领域
本实用新型属于LED电源技术领域,尤其涉及一种双管反激的单级PFC的LED电路,具体应用到较高的交流输入电压,较高的PF且低THD要求的LED电源。
背景技术
现有的LED电源技术应用要么是输入电压在305V以下,要么是通过双级PFC电路实现较高输入电压,从整机的成本,以及器件的应用选型,到整机的效率,产品的功率密度等都是一个比较传统的技术,造成整机的成本高,以及器件的应用选型差及到整机的效率低。现用双管单级PFC电路能较好的解决现有技术的不足。
实用新型内容
本实用新型目的是提供一种电路结构简单、器件耐压通用,器件易选型,器件余量足,配合现有的单级PFC电路,实现高PFC低THD的一种LED电源电路,实现产品成本低,产品竞争能力强。
为了实现以上目的以及解决现有技术的不足之处,本实用新型通过以下技术方案得以实现
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种双管反激的单级PFC的LED电路,包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1,所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17,所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3,所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS 管Q3,所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接,所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联,所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联,所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3,所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联,所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联,所述电容C17和二极管D10并联,所述二极管D4与电容C17的输出端连接,且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧,所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧,所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2,所述二极管DS7和二极管DS6并联,且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路,所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联,所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6,所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。
优选的,所述初级侧N1上串联有电阻R23。
优选的,所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。
本实用新型提供的一种双管反激的单级PFC的LED电路,与传统的LED电路相比,本实用新型使用两个MOS(双管)串联,较好的解决因为交流输入电压高,而造成MOS耐压更高,选型难,供货难,调货难的困扰,因为可选用通用MOS,降低成本;本实用新型的电路应用在单级PFC电路里,还可解决高PF低THD的LED应用要求,达到电路简单,成本低,功率密度高;本实用新型因为电路结构简单,MOS耐压低自然RDS小,损耗低,效率高,节省能源,延长产品寿 命,同时成本也低,降低了成本,一个高耐压的MOS,远远高于两个低压的MOS。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
请参照图1,本实用新型采用了如下技术方案:
一种双管反激的单级PFC的LED电路,包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1,所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17,所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3,所述初级侧N1上串联有电阻R23,所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3,所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接,所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联,所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联,所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3,所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联,所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联,所述电容C17和二极管D10并联,所述二极管D4与电容C17的输出端连接,且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧,所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧,所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2,所 述二极管DS7和二极管DS6并联,且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路,所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联,所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6,所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路,所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。
本实用新型使用两个MOS(双管)串联,较好的解决因为交流输入电压高,而造成MOS耐压更高,选型难,供货难,调货难的困扰,因为可选用通用MOS,降低成本;本实用新型的电路应用在单级PFC电路里,还可解决高PF低THD的LED应用要求,达到电路简单,成本低,功率密度高;本实用新型因为电路结构简单,MOS耐压低自然RDS小,损耗低,效率高,节省能源,延长产品寿命,同时成本也低,降低了成本,一个高耐压的MOS,远远高于两个低压的MOS。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种双管反激的单级PFC的LED电路,包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1,其特征在于:所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17,所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3,所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3,所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接,所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联,所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联,所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3,所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联,所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联,所述电容C17和二极管D10并联,所述二极管D4与电容C17的输出端连接,且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧,所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧,所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2,所述二极管DS7和二极管DS6并联,且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路,所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联,所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6,所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。
2.根据权利要求1所述的一种双管反激的单级PFC的LED电路,其特征在于:所述初级侧N1上串联有电阻R23。
3.根据权利要求1所述的一种双管反激的单级PFC的LED电路,其特征在于:所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。
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CN105682303A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-06-15 | 深圳市莱福德光电有限公司 | 一种双管反激的单级pfc的led电路 |
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CN105682303B (zh) * | 2016-04-05 | 2019-07-12 | 深圳市莱福德光电有限公司 | 一种双管反激的单级pfc的led电路 |
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