CN205901701U - 新型带旋钮调速工作电路 - Google Patents

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黄植富
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Abstract

本实用新型公开了一种新型带旋钮调速工作电路,包括驱动电路和与驱动电路相连接的电源输入端,在驱动电路与所述电源输入端之间还设有调速工作电路,调速工作电路包括变阻值旋钮开关、第一电阻、第一单向二极管、第二单向二极管、控制芯片、第二电阻、第三电阻、第四电阻、电容和MOS管。本实用新型的结构简单、操作便捷,其通过旋钮开关的电流较低产生功耗较低,可提高旋钮开关的使用寿命,而且由于MOS管处于导通关闭的过程中,相应产生热量较低,因源极与漏极之间电压较低,所产生的热量也相应较低,同时通过控制芯片实现对占空比随旋钮开关两端电阻的比值而变化,故而输出的占空比变化过程相对较均匀,使用稳定性好且适用性强。

Description

新型带旋钮调速工作电路
技术领域
本实用新型涉及旋钮调速电路技术领域,特别涉及一种新型带旋钮调速工作电路。
背景技术
目前市面上带旋钮开关产品的控制电路基本分为:1.旋钮开关相当于可变动电阻串联在工作支路上,通过旋动开关,增大电阻从而使工作电流降低(如图1所示);2.旋钮开关相当于可变动电阻并联于工作支路开关管的基极电阻,通过旋动开关,改变开关管的基极电阻,控制基极电流来调整开关管的饱和放大区域变化,从而达到控制工作支路的电流变化,如附图2所示。针对以上两种电路,第1种电路因旋钮开关串联在工作支路上,驱动部分的电流需通过旋钮开关,会导致旋钮开关工作发热,存在功率耗损,且会缩短旋钮开关的使用寿命;第2种电路通过旋钮开关的电流较低,影响较少,但因三极管Q1串联于工作支路上,且三极管Q1处于饱和区和放大区的变化,对其功耗要求较高,产生一定的热量,且变化程度不均匀。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种结构简单、可有效提高调速变化均匀性和提高使用寿命的新型带旋钮的调速工作电路。
本实用新型提出一种新型带旋钮调速工作电路,包括驱动电路和与所述驱动电路相连接的电源输入端,在所述驱动电路与所述电源输入端之间还设有调速工作电路,所述调速工作电路包括变阻值旋钮开关、第一电阻、第一单向二极管、第二单向二极管、控制芯片、第二电阻、第三电阻、第四电阻、电容和MOS管,所述变阻值旋钮开关的开关端串联第一电阻后连接在电源输入端与控制芯片的DISC引脚上,所述第三电阻的一端连接在第一电阻与控制芯片之间另一端连接在第一单向二极管的正极,所述第一单向二极管的负极连接在变阻值旋钮开关的变阻端一个引脚上,所述变阻值旋钮开关的变阻端另一个引脚与第二单向二极管的正极,第二单向二极管的负极连接在第一电阻与第三电阻的连接点上,所述控制芯片的THR和TRI引脚均连接在变阻值旋钮开关中变阻端的变阻引脚上,所述控制芯片的OUT引脚通过第二电阻连接在MOS管的栅极上,所述MOS管的漏极与所述驱动电路相连接,所述MOS管的源极接地,所述第四电阻连接在MOS管的栅极与地线之间,所述电容连接在控制芯片的TRI引脚与地线之间。
所述控制芯片的型号为NE555。
所述MOS管为N型MOS管。
本实用新型的结构简单、操作便捷,其通过旋钮开关的电流较低产生功耗较低,故而一定程度上可提高旋钮开关的使用寿命,而且由于MOS管处于导通关闭的过程中,相应产生热量较低,而当场效应管完全导通时,因源极与漏极之间电压较低,所产生的热量也相应较低,同时通过控制芯片实现对占空比随旋钮开关两端电阻的比值而变化,故而输出的占空比变化过程相对较均匀,使用稳定性好且适用性强。
附图说明
图1为现有技术的电路图;
图2为现有技术的另一个电路图;
图3为本实用新型的实施例示意图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
参照图3,提出本实用新型的的一实施例,一种新型带旋钮调速工作电路,包括驱动电路1(本实施例中驱动电路为现有技术结构的驱动电路,并不是本实施例的创新技术点,故而未详细描述)和与所述驱动电路1相连接的电源输入端2(VCC),在所述驱动电路1与所述电源输入端2(VCC)之间还设有调速工作电路3,所述调速工作电路包括变阻值旋钮开关SW、第一电阻R1、第一单向二极管D1、第二单向二极管D2、控制芯片IC、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、电容C和MOS管Q,所述变阻值旋钮开关SW的开关端串联第一电阻R1后连接在电源输入端2(VCC)与控制芯片IC的DISC引脚上,所述第三电阻R3的一端连接在第一电阻R1与控制芯片IC之间另一端连接在第一单向二极管D1的正极,所述第一单向二极管D1的负极连接在变阻值旋钮开关SW的变阻端一个引脚上,所述变阻值旋钮开关SW的变阻端另一个引脚与第二单向二极管D2的正极,第二单向二极管D2的负极连接在第一电阻R1与第三电阻R3的连接点上,所述控制芯片IC的THR和TRI引脚均连接在变阻值旋钮开关SW中变阻端的变阻引脚上,所述控制芯片IC的OUT引脚通过第二电阻R2连接在MOS管Q的栅极上,所述MOS管Q的漏极与所述驱动电路1相连接,所述MOS管Q的源极接地,所述第四电阻R4连接在MOS管Q的栅极与地线之间,所述电容C连接在控制芯片IC的TRI引脚与地线之间。
所述控制芯片的型号为NE555。
所述MOS管为N型MOS管。
其工作原理简述如下:电流从R3端通过二极管D1,经过旋钮开关的变阻端电阻流向控制芯片IC的2脚(TRI引脚)同6脚(THR引脚),2脚(TRI引脚)同6脚(THR引脚)电压升高,当电压升高到一定值时,因控制芯片IC作用,7脚(DISC引脚)放电脚开启,内部通过场效应管导通到地,2脚(TRI引脚)同6脚(THR引脚)电压相对较高,通过旋钮开关的端电阻,经过二极管D2流向IC的7脚,2脚(TRI引脚)同6脚(THR引脚)电压降低,当将降到一定值时,7脚(DISC引脚)放电脚关闭,2脚(TRI引脚)同6脚(THR引脚)再次充电提高电压,重复循环。同时在次过程中,输出脚3脚(OUT引脚)输出一个固定占空比的方波。
当通过旋动旋钮开关,充电端电阻与放电端电阻阻值改变,放电时间与充电时间相应改变,同时由于充电端电阻与放电端电阻的比值改变,因此输出脚3脚(OUT引脚)同样会输出不同的占空比方波,通过场效应管的导通闭合作用,可使通过工作支路的电流随着输出占空比不同而相对改变。
本实用新型的结构简单、操作便捷,其通过旋钮开关的电流较低产生功耗较低,故而一定程度上可提高旋钮开关的使用寿命,而且由于MOS管处于导通关闭的过程中,相应产生热量较低,而当场效应管完全导通时,因源极与漏极之间电压较低,所产生的热量也相应较低,同时通过控制芯片实现对占空比随旋钮开关两端电阻的比值而变化,故而输出的占空比变化过程相对较均匀,使用稳定性好且适用性强。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (3)

1.一种新型带旋钮调速工作电路,包括驱动电路和与所述驱动电路相连接的电源输入端,其特征在于:在所述驱动电路与所述电源输入端之间还设有调速工作电路,所述调速工作电路包括变阻值旋钮开关、第一电阻、第一单向二极管、第二单向二极管、控制芯片、第二电阻、第三电阻、第四电阻、电容和MOS管,所述变阻值旋钮开关的开关端串联第一电阻后连接在电源输入端与控制芯片的DISC引脚上,所述第三电阻的一端连接在第一电阻与控制芯片之间另一端连接在第一单向二极管的正极,所述第一单向二极管的负极连接在变阻值旋钮开关的变阻端一个引脚上,所述变阻值旋钮开关的变阻端另一个引脚与第二单向二极管的正极,第二单向二极管的负极连接在第一电阻与第三电阻的连接点上,所述控制芯片的THR和TRI引脚均连接在变阻值旋钮开关中变阻端的变阻引脚上,所述控制芯片的OUT引脚通过第二电阻连接在MOS管的栅极上,所述MOS管的漏极与所述驱动电路相连接,所述MOS管的源极接地,所述第四电阻连接在MOS管的栅极与地线之间,所述电容连接在控制芯片的TRI引脚与地线之间。
2.根据权利要求1所述的新型带旋钮调速工作电路,其特征在于:所述控制芯片的型号为NE555。
3.根据权利要求2所述的新型带旋钮调速工作电路,其特征在于:所述MOS管为N型MOS管。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108777898A (zh) * 2018-06-05 2018-11-09 深圳市廿年科技有限公司 一种旋钮编码开关以及智能调光方法
CN114488873A (zh) * 2021-12-24 2022-05-13 深圳市联洲国际技术有限公司 控制电路及装置
CN108777898B (zh) * 2018-06-05 2024-05-10 深圳市杜莎科技有限公司 一种旋钮编码开关以及智能调光方法

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