CN205864290U - 基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及低能量非聚焦型冲击技术领域，其公开了一种基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，包括电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT；所述电流控制型脉宽调制器连接场效应晶体管MOS，所述场效应晶体管MOS连接端口，所述端口连接所述绝缘栅双极型功率管IGBT。本实用新型的有益效果是：该技术通过PWM逆变控制电路将冲击波的稳定性提高至90%，在保证工作可靠的条件下，数字化调节能流密度，提高充电效率。

Description

基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块

技术领域

本实用新型涉及低能量非聚焦型冲击技术领域，尤其涉及一种基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块。

背景技术

冲击波美容治疗仪主要技术方案是:单片机作为系统的控制中心，通过触控屏设置治疗方案（直接根据患者的情况选择预设方案或手动调整冲击波能量和触发频率等参数），然后单片机控制高压逆变电源对储能电容进行充电和放电，通过对线圈施加高压脉冲产生时变磁场，利用电磁效应推动金属振膜产生冲击波。通过声学透镜调节冲击波波束的形状，均匀地作用于人体，进行美容治疗。循环冷却系统将高压脉冲电流经过线圈时由于电流热效应产生的热量带走，保证冲击波发生器能够保持正常工作。小型高压逆变恒流数字电源技术，冲击波能量的稳定性依赖稳定的电源和放电系统，传统的电磁式冲击波的稳定性（可重复性）在60%左右。但是，现有的冲击波美容治疗仪的电源稳定性差，效率低，电路容易烧毁。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供了一种基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，解决现有技术中电源稳定性差，效率低，电路容易烧毁的问题。

本实用新型提供了一种基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，包括电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT；所述电流控制型脉宽调制器连接场效应晶体管MOS，所述场效应晶体管MOS连接端口，所述端口连接所述绝缘栅双极型功率管IGBT。

作为本实用新型的进一步改进：所述电流控制型脉宽调制器连接四个所述场效应晶体管MOS以便电流控制型脉宽调制器形成的PWM信号通过场效应晶体管MOS逆变控制信号。

作为本实用新型的进一步改进：所述端口的四个引脚分别连接四个所述场效应晶体管MOS。

作为本实用新型的进一步改进：所述绝缘栅双极型功率管IGBT的4个导通口分别连接所述端口的四个引脚。

作为本实用新型的进一步改进：所述电流控制型脉宽调制器为控制芯片SG3525。

作为本实用新型的进一步改进：所述电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT构成高压逆变恒流电路。

本实用新型的有益效果是：该技术通过PWM逆变控制电路将冲击波的稳定性提高至90%，在保证工作可靠的条件下，数字化调节能流密度，提高充电效率。

【附图说明】

图1 为本实用新型结构示意框图；

图2为本实用新型的工作原理示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图1，一种基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，包括电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT；所述电流控制型脉宽调制器连接场效应晶体管MOS，所述场效应晶体管MOS连接端口，所述端口连接所述绝缘栅双极型功率管IGBT。

所述电流控制型脉宽调制器连接四个所述场效应晶体管MOS以便电流控制型脉宽调制器形成的PWM信号通过场效应晶体管MOS逆变控制信号。

所述端口的四个引脚分别连接四个所述场效应晶体管MOS。

所述绝缘栅双极型功率管IGBT的4个导通口分别连接所述端口的四个引脚。

所述电流控制型脉宽调制器为控制芯片SG3525。

所述电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT构成高压逆变恒流电路。

如图2，本实用新型的工作原理为：通过SG3525产生PWM信号，再经过MOS管Q11，Q21，Q31，Q41产品逆变控制信号,逆变控制信号通过J01，J02，J03，J04等端口控制IGBT管Q01，Q02，Q03,Q04的导通将VD+,VD-转变为逆变电压，经过X,Y端子输出。此项技术是设备小型化和能流密度调节精确化的基础。国内属于技术空白。在高压大电流（20kV，6000A）脉冲放电时，负载产生的反向回波电流以及地电位升高会损坏高压逆变电源的电子元件，高压逆变恒流数字充电技术的关键是保护电路的设计，通过实时检测负载的反向回波电流，调整或者切断PWM的输出，保护设备电子元件不被损坏。

在一实施例中，该冲击波美容治疗仪采用低能量冲击波发生技术，其采用电磁式触发方式，对放电回路和电磁盘的结构、加工工艺进行改进，使电磁盘能在更低的放电条件下工作，产生能量分布均匀的低能量冲击波,脉冲前沿≤1mS, 脉宽≤2mS。

通过低波发生技术实现美容治疗的原理：利用低能量冲击波的机械效应和生物效应，消除皮肤疤痕，以及治疗糖尿病足溃疡等。通过击碎疤痕组织和疤痕周围的钙化纤维，促进伤疤周围一氧化氮合成酶、VEGF（血管内皮生长因子）和PCNA（增值细胞核抗原）的增加，调节生长因子，加强缺血组织灌注，刺激心血管的生成。此外，冲击波会产生抗菌效果，抑制炎性免疫反应，促进新陈代谢和新细胞的生成。 低能量冲击波能够进行皮肤弹性修复及除皱。目前的除皱方法主要是激光和注射，都是要直接深入真皮层，是侵入性的，有痛感，甚至需局部麻醉。冲击波除皱方法作为非浸入除皱方法具有非侵入、无恢复期、见效时间快及保持时间长等优点，能够刺激胶原蛋白产生，将皱纹区失去弹性和角质层加厚的皮层分离出去，使皮肤真皮层的厚度和密度增加，填平皱纹，消除疤痕，恢复皮肤弹性和光泽，使皮肤看起来白皙嫩滑。

低能量冲击波能够溶脂减肥治疗。冲击波是由于能量的突然释放而产生的高能量压力波，具有压力瞬间增高和高速传导的特性，作用于人体后，在脂肪细胞上产生空穴效应，对脂肪细胞产生挤压和剪切，破碎脂肪细胞结构，从而达到溶脂减肥的目的。而正常细胞的主要成分是水，冲击波衰减很少，因而对正常细胞的损坏极小。根据报道，冲击波尤其对于臀部和腿部脂肪团的消脂效果尤其明显，能够满足爱美女士的追求。

低能量冲击波还可以产生生物效应，能够促进血液循环，增强新陈代谢，提高皮肤结缔组织的弹性，增强淋巴毒素的排放，减缓衰老等功效。

低能量冲击波对人体产生的机械及生物效应，已经成为近年来的临床研究和应用热点，研究成果不断涌现，例如已经被美国FDA批准的骨科疼痛治疗、心脏病的治疗、男性勃起障碍（ED）的治疗、前列腺炎的治疗、肢体痉挛治疗、伤口的治疗，以及最有市场前景的美容除皱减肥。因此，低能量冲击波的美容医学应用很有可能成为一门新兴的学科或应用领域。冲击波美容治疗仪的由于具有手术美容和激光没有不可比拟的优点，如无痛、无创、不留伤疤、不流血、治疗时间短、见效快、保持时间长，在会所和美容形体中心，将会受到广大爱美人士的青睐。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：包括电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT；所述电流控制型脉宽调制器连接场效应晶体管MOS，所述场效应晶体管MOS连接端口，所述端口连接所述绝缘栅双极型功率管IGBT。

2.根据权利要求1所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述电流控制型脉宽调制器连接四个所述场效应晶体管MOS以便电流控制型脉宽调制器形成的PWM信号通过场效应晶体管MOS逆变控制信号。

3.根据权利要求2所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述端口的四个引脚分别连接四个所述场效应晶体管MOS。

4.根据权利要求1所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述绝缘栅双极型功率管IGBT的4个导通口分别连接所述端口的四个引脚。

5.根据权利要求1所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述电流控制型脉宽调制器为控制芯片SG3525。

6.根据权利要求1所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT构成高压逆变恒流电路。