CN205844274U - 一种超声波探伤双晶探头装置 - Google Patents

一种超声波探伤双晶探头装置 Download PDF

Info

Publication number
CN205844274U
CN205844274U CN201620546304.2U CN201620546304U CN205844274U CN 205844274 U CN205844274 U CN 205844274U CN 201620546304 U CN201620546304 U CN 201620546304U CN 205844274 U CN205844274 U CN 205844274U
Authority
CN
China
Prior art keywords
piezoelectric
reception
wafer
piezoelectric chip
shell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201620546304.2U
Other languages
English (en)
Inventor
邱栋美
姜磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Huatai Cohen Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Huatai Cohen Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Huatai Cohen Technology Co Ltd filed Critical Beijing Huatai Cohen Technology Co Ltd
Priority to CN201620546304.2U priority Critical patent/CN205844274U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205844274U publication Critical patent/CN205844274U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种超声波探伤双晶探头装置,包括外壳,所述外壳内中部设有绝缘隔层,所述外壳内的两个区域中分别设有发射压电晶片和接收压电晶片,所述发射压电晶片和接收压电晶片的上侧均设有阻尼块,所述发射压电晶片和接收压电晶片分别电性连接有发射电缆线和接收电缆线,所述发射电缆线和接收电缆线均贯穿于阻尼块并电性连接于接头,所述发射压电晶片和接收压电晶片的下侧均设有延迟块,所述延迟块的下部设有保护膜,所述绝缘隔层内部设有真空层,所述外壳内其他空间设有吸声材料层。该能通过真空层的设置,加强双晶超声波探伤探头的发射和接收之间的抗干扰性,提高了超声波探伤探头使用的精确度。

Description

一种超声波探伤双晶探头装置
技术领域
本实用新型属于探伤检测技术领域,具体涉及一种超声波探伤双晶探头装置。
背景技术
现代化建设的高速发展,机械加工对工件的质量要求也越来越高,使得加工工件的检测技术也在蓬勃发展。其中,超声波双晶探头探伤装置由于探测范围可调、灵敏度高、杂波少盲区小等优点而被广泛应用,然而这种双晶探头的发射晶片与接收晶片之间距离近,发射晶片发射的超声波有时直接被接收晶片接收,抗干扰能力弱,不是适应现有社会高速发展的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种超声波探伤双晶探头装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种超声波探伤双晶探头装置,包括外壳,所述外壳上部中间位置设有接头,所述外壳内中部设有绝缘隔层,所述绝缘隔层将外壳分成两个区域,所述外壳内的两个区域中分别设有发射压电晶片和接收压电晶片,所述发射压电晶片和接收压电晶片的上侧均设有阻尼块,所述发射压电晶片和接收压电晶片分别电性连接有发射电缆线和接收电缆线,所述发射电缆线和接收电缆线均贯穿于阻尼块并电性连接于接头,所述发射压电晶片和接收压电晶片的下侧均设有延迟块,所述延迟块的下部设有保护膜,所述绝缘隔层内部设有真空层,所述外壳内其他空间设有吸声材料层。
优选的,所述发射压电晶片和接收压电晶片的上端处于同一水平面上,且发射压电晶片和接收压电晶片与水平面的夹角相等。
优选的,所述发射压电晶片和接收压电晶片与水平面的夹角范围为5~15度。
优选的,所述发射压电晶片和接收压电晶片关于绝缘隔层呈轴对称。
本实用新型的技术效果和优点:该能通过真空层的设置,加强双晶超声波探伤探头的发射和接收之间的抗干扰性,提高了超声波探伤探头使用的精确度。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中:1接头、2接收电缆线、3外壳、4阻尼块、5吸声材料层、6接收压电晶片、7延迟块、8保护膜、9绝缘隔层、10真空层、11发射电缆线、12发射压电晶片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1所示的一种超声波探伤双晶探头装置,包括外壳3,所述外壳3上部中间位置设有接头1,所述外壳3内中部设有绝缘隔层9,所述绝缘隔层9将外壳3分成两个区域,所述外壳3内的两个区域中分别设有发射压电晶片12和接收压电晶片6,所述发射压电晶片12和接收压电晶片6的上侧均设有阻尼块4,所述发射压电晶片12和接收压电晶片6分别电性连接有发射电缆线11和接收电缆线2,所述发射电缆线11和接收电缆线2均贯穿于阻尼块4并电性连接于接头1,所述发射压电晶片12和接收压电晶片6的下侧均设有延迟块7,所述延迟块7的下部设有保护膜8,所述绝缘隔层9内部设有真空层10,所述外壳3内其他空间设有吸声材料层5,所述发射压电晶片12和接收压电晶片6的上端处于同一水平面上,且发射压电晶片12和接收压电晶片6与水平面的夹角相等,所述发射压电晶片12和接收压电晶片6与水平面的夹角范围为5~15度,所述发射压电晶片12和接收压电晶片6关于绝缘隔层9呈轴对称。
工作原理:工作时,通过发射压电晶片12发射超声波信号,接收压电晶片6接收反射过来的超声波信号,发射压电晶片12和接收压电晶片6由于与水平面的夹角而产生一个菱形探测区域,此区域灵敏度高,适用于工件的表面探测,其中外壳3中部区域设置的真空层10能够阻挡发射压电晶片12发射的超声波直接进入接收压电晶片6中,增强了抗干扰性。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种超声波探伤双晶探头装置,包括外壳(3),其特征在于:所述外壳(3)上部中间位置设有接头(1),所述外壳(3)内中部设有绝缘隔层(9),所述绝缘隔层(9)将外壳(3)分成两个区域,所述外壳(3)内的两个区域中分别设有发射压电晶片(12)和接收压电晶片(6),所述发射压电晶片(12)和接收压电晶片(6)的上侧均设有阻尼块(4),所述发射压电晶片(12)和接收压电晶片(6)分别电性连接有发射电缆线(11)和接收电缆线(2),所述发射电缆线(11)和接收电缆线(2)均贯穿于阻尼块(4)并电性连接于接头(1),所述发射压电晶片(12)和接收压电晶片(6)的下侧均设有延迟块(7),所述延迟块(7)的下部设有保护膜(8),所述绝缘隔层(9)内部设有真空层(10),所述外壳(3)内其他空间设有吸声材料层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种超声波探伤双晶探头装置,其特征在于:所述发射压电晶片(12)和接收压电晶片(6)的上端处于同一水平面上,且发射压电晶片(12)和接收压电晶片(6)与水平面的夹角相等。
3.根据权利要求2所述的一种超声波探伤双晶探头装置,其特征在于:所述发射压电晶片(12)和接收压电晶片(6)与水平面的夹角范围为5~15度。
4.根据权利要求1所述的一种超声波探伤双晶探头装置,其特征在于:所述发射压电晶片(12)和接收压电晶片(6)关于绝缘隔层(9)呈轴对称。
CN201620546304.2U 2016-06-08 2016-06-08 一种超声波探伤双晶探头装置 Expired - Fee Related CN205844274U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620546304.2U CN205844274U (zh) 2016-06-08 2016-06-08 一种超声波探伤双晶探头装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620546304.2U CN205844274U (zh) 2016-06-08 2016-06-08 一种超声波探伤双晶探头装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205844274U true CN205844274U (zh) 2016-12-28

Family

ID=57623626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201620546304.2U Expired - Fee Related CN205844274U (zh) 2016-06-08 2016-06-08 一种超声波探伤双晶探头装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205844274U (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107742753A (zh) * 2017-09-08 2018-02-27 侬泰轲(昆山)检测科技有限公司 一种电池的封装结构、封装方法以及检测方法
CN108375630A (zh) * 2018-01-28 2018-08-07 北京工业大学 一种板结构表面缺陷无损检测方法
CN108562652A (zh) * 2018-04-04 2018-09-21 河海大学常州校区 一种可拼接的水下构筑物检测阵列超声探头
CN109781852A (zh) * 2019-02-25 2019-05-21 河北普阳钢铁有限公司 用双晶直探头判断扁平金属板材内部分层缺陷的检测方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107742753A (zh) * 2017-09-08 2018-02-27 侬泰轲(昆山)检测科技有限公司 一种电池的封装结构、封装方法以及检测方法
CN107742753B (zh) * 2017-09-08 2024-06-07 侬泰轲(昆山)检测科技有限公司 一种电池的封装结构、封装方法以及检测方法
CN108375630A (zh) * 2018-01-28 2018-08-07 北京工业大学 一种板结构表面缺陷无损检测方法
CN108562652A (zh) * 2018-04-04 2018-09-21 河海大学常州校区 一种可拼接的水下构筑物检测阵列超声探头
CN109781852A (zh) * 2019-02-25 2019-05-21 河北普阳钢铁有限公司 用双晶直探头判断扁平金属板材内部分层缺陷的检测方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN205844274U (zh) 一种超声波探伤双晶探头装置
US7388810B2 (en) Ultrasonic distance measurement system
CN201594087U (zh) 并联式超声波检测探头
CN102539530A (zh) 基于时间反转聚焦的水声无源材料回声降低/反射系数测量方法
CN104374825A (zh) 储气井超声相控阵自动检测装置及检测方法
CN103954692A (zh) 反射型可调超声波探头
CN105214926B (zh) 一种组合式超声波收发一体换能器
CN102323334A (zh) 一种基于能量因子的粘接结构脱粘缺陷超声导波检测方法
CN107144632B (zh) 曲面构件r角区域的缺陷无损检测方法
JP6797788B2 (ja) 超音波プローブ
CN202329798U (zh) 一种基于压电陶瓷的二维矢量水听器
CN104422734A (zh) 适用于超声相控阵探头的自适应曲率密封耦合楔块
CN107560689B (zh) 一种冰下水深测量方法
CN203949903U (zh) 一种检测汽轮机发电机合金轴瓦结合状态的超声波探头
CN105445380A (zh) 一种适用于大型复杂结构损伤检测的非对称双晶片组超声波探头及其工作方法
CN206960415U (zh) 一种超声波探头
CN210665625U (zh) 一种具有高灵敏度的双晶复合超声探头
NO20120898A1 (no) Akustisk transduser med en baerer som inneholder ensrettede fibere og fremgangsmater for a fremstille og bruke den samme
CN201548529U (zh) 双向双晶表面波探头
JP7074488B2 (ja) 超音波プローブ
CN206057254U (zh) 一种超声波探伤仪检测探头
CN207992123U (zh) 一种超声波精密探头
CN212514417U (zh) 一种超声时差衍射检测探头组
CN104990987A (zh) 三角形超声波探头
US3756345A (en) Underwater acoustic device

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161228

Termination date: 20180608

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee