CN205821520U - 一种保护籽晶的底板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种保护籽晶的底板,包括底板本体,所述底板本体的上表面靠近边缘的位置设置有环形凹槽,所述环形凹槽的外边缘与所述底板本体的边缘之间具有第一预设间隔,所述环形凹槽内填充有隔热部件。本申请提供的上述保护籽晶的底板,能够保护边角位置的籽晶,使其不熔化,改善引晶效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏设备技术领域,更具体地说,涉及一种保护籽晶的底板。
背景技术
光伏太阳能电站的不断发展和生产技术的不断提高,客户对高效硅片和高效组件的需求不断提升,而铸锭是其中的关键。以往的全熔工艺由于没有稳定的引晶作用,生产出来的硅锭的整体质量偏低。研发人员从单晶使用籽晶来拉晶处得到启发,研发出了半熔工艺,大大提高了多晶铸锭的质量,提高了光电转换效率,因此,半熔多晶铸锭工艺成为主流多晶铸锭技术。
但采用半熔工艺时,由于保温热场不均,边角部硅块较中心硅块籽晶保留较差,甚至全熔,从而使得引晶效果变差,可见,如何保护边角位置的籽晶,使其不熔化,是一个亟待解决的问题。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种保护籽晶的底板,能够保护边角位置的籽晶,使其不熔化,改善引晶效果。
本实用新型提供的一种保护籽晶的底板,包括底板本体,所述底板本体的上表面靠近边缘的位置设置有环形凹槽,所述环形凹槽的外边缘与所述底板本体的边缘之间具有第一预设间隔,所述环形凹槽内填充有隔热部件。
优选的,在上述保护籽晶的底板中,所述环形凹槽的横截面形状为梯形或圆弧形。
优选的,在上述保护籽晶的底板中,所述第一预设间隔的范围为20毫米至40毫米。
优选的,在上述保护籽晶的底板中,所述环形凹槽的宽度范围为60毫米至150毫米。
优选的,在上述保护籽晶的底板中,所述环形凹槽的深度范围为2毫米至10毫米。
优选的,在上述保护籽晶的底板中,所述隔热部件为软毡。
从上述技术方案可以看出,本实用新型所提供的一种保护籽晶的底板,由于所述底板本体的上表面靠近边缘的位置设置有环形凹槽,所述环形凹槽的外边缘与所述底板本体的边缘之间具有第一预设间隔,所述环形凹槽内填充有隔热部件,因此能够保护边角位置的籽晶,使其不熔化,从而改善引晶效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种保护籽晶的底板的示意图。
具体实施方式
本实用新型的核心思想在于提供一种保护籽晶的底板,能够保护边角位置的籽晶,使其不熔化,改善引晶效果。
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本申请实施例提供的第一种保护籽晶的底板如图1所示,图1为本申请实施例提供的第一种保护籽晶的底板的示意图。该底板包括:
底板本体1,所述底板本体1的上表面靠近边缘的位置设置有环形凹槽2,所述环形凹槽2的外边缘与所述底板本体1的边缘之间具有第一预设间隔,所述环形凹槽2内填充有隔热部件3。所述隔热部件用于降低导热率,提高保温效果,阻碍外部热量通过底板进入边角部籽晶所在的位置,以达到在熔化阶段保护边角位置籽晶的作用,提高整体硅锭的质量,得到高效硅片。
从上述技术方案可以看出,本申请实施例所提供的第一种保护籽晶的底板,由于所述底板本体的上表面靠近边缘的位置设置有环形凹槽,所述环形凹槽的外边缘与所述底板本体的边缘之间具有第一预设间隔,所述环形凹槽内填充有隔热部件。因此能够保护边角位置的籽晶,使其不熔化,改善引晶效果。
本申请实施例提供的第二种保护籽晶的底板,是在上述第一种底板的基础上,还包括如下技术特征:
所述环形凹槽的横截面形状为梯形或圆弧形,这样能够更好的确保挖出凹槽后的底板结构的稳定性,使底板不容易损坏。
本申请实施例提供的第三种保护籽晶的底板,是在上述第一种底板的基础上,还包括如下技术特征:
所述第一预设间隔的范围为20毫米至40毫米,这也是为了确保底板结构的稳定性,保持底板的强度,不至于断裂。
本申请实施例提供的第四种保护籽晶的底板,是在上述第一种底板的基础上,还包括如下技术特征:
所述环形凹槽的宽度范围为60毫米至150毫米。这种宽度范围既能够容纳足够的隔热部件,足够实现其隔热功能,更好的保护籽晶,又能够有效保证底板本体的强度。
本申请实施例提供的第五种保护籽晶的底板,是在上述第一种底板的基础上,还包括如下技术特征:
所述环形凹槽的深度范围为2毫米至10毫米,这种深度范围既能够保证放入足够大的隔热部件,又能够保证底板本体不至于损坏。
本申请实施例提供的第六种保护籽晶的底板,是在上述第一种至第五种底板中任一种的基础上,还包括如下技术特征:
所述隔热部件为软毡。需要说明的是,这种软毡是一种最为常见的隔热部件,易于获得且成本低,因此此处优选这种软毡,能够降低方案的制作成本。本实施例通过在底板本体上部四周制作环形凹槽,再在凹槽的位置处铺上相应厚度的软毡,以降低导热率,提高保温效果,从而起到了保护籽晶的作用,这种方法比较简单,有效的保护了籽晶,替代了其他各种利用改进铸锭炉热场工艺来保护边角位置籽晶的方法,具有较强的普适性。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (6)
1.一种保护籽晶的底板,其特征在于,包括底板本体,所述底板本体的上表面靠近边缘的位置设置有环形凹槽,所述环形凹槽的外边缘与所述底板本体的边缘之间具有第一预设间隔,所述环形凹槽内填充有隔热部件。
2.根据权利要求1所述的保护籽晶的底板,其特征在于,所述环形凹槽的横截面形状为梯形或圆弧形。
3.根据权利要求1所述的保护籽晶的底板,其特征在于,所述第一预设间隔的范围为20毫米至40毫米。
4.根据权利要求1所述的保护籽晶的底板,其特征在于,所述环形凹槽的宽度范围为60毫米至150毫米。
5.根据权利要求1所述的保护籽晶的底板,其特征在于,所述环形凹槽的深度范围为2毫米至10毫米。
6.根据权利要求1-5任一项所述的保护籽晶的底板,其特征在于,所述隔热部件为软毡。
Priority Applications (1)
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CN201620792419.XU CN205821520U (zh) | 2016-07-26 | 2016-07-26 | 一种保护籽晶的底板 |
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Country Status (1)
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2016
- 2016-07-26 CN CN201620792419.XU patent/CN205821520U/zh active Active
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