CN205725447U - 基于gan的交错图腾柱式无桥pfc电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电子技术领域,尤其涉及基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路,包括EMI抑制单元、第一PFC电感L1、第二PFC电感L2、第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3、第四MOSFET开关器件Q4、第一MOS管Q5、第二MOS管Q6、输出电容C1和DSP控制芯片。由于MOSFET开关器件使用GAN及使用交错无桥架构,使整个电路无论效率,功率密度,以及输出纹波都得到了明显的改善。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,尤其涉及基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路。
背景技术
随着能源危机和全球环境的持续恶化,节能减排和保护环境成为经济和社会可持续发展的一件大事。在此大环境下,对于各类电子类产品,许多国家及组织推出各类节能减排环保标准规范要求,对于电源转换器,也是不断的朝着高效率,小型化(高功率不密度),低成本方向不断发展。
如图1,传统有源PFC中,交流输入经过整流桥中的两个二极管,开关MOS管续流时经过续流二极管和整流桥中的两个二极管,在大功率场合,由于二极管的导通压降,导致在整流过程中存在较高的功率损耗,而且续流二极管也有较高的导通损耗和反向恢复损耗,且由于开关MOS的开关特性及效率考量,无法在频率提升方面做出大的突破,因此也限制了电源小型化的发展。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于提供一种使PFC电路从效率、功率密度和输出波纹都有明显改善的基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路。
实现本实用新型目的的技术方案是:基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路,包括EMI抑制单元、第一PFC电感L1、第二PFC电感L2、第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3、第四MOSFET开关器件Q4、第一MOS管Q5、第二MOS管Q6、输出电容C1和DSP控制芯片,所述的EMI抑制单元和交流输入电源连接,第一PFC电感L1的一端及第二PFC电感L2的一端均与EMI抑制单元的输出端相连接,第一PFC电感L1的另一端与第一MOSFET开关器件Q1的源极相连接,第一MOSFET开关器件Q1的漏极与第三MOSFET开关器件Q3的漏极相连接,第二MOSFET开关器件Q2的漏极和第一MOSFET开关器件Q1的源极相连接,第三MOSFET开关器件Q3的源极和第二PFC电感L2的另一端相连接,第四MOSFET开关器件Q4的漏极和第三MOSFET开关器件Q3的源极相连接,第一MOS管Q5的漏极连接三MOSFET开关器件Q3的漏极,第一MOS管 Q5的源极连接第二MOS管Q6的漏极,第一MOS管Q5的漏极连接输出电容C1的正极,第二MOS管Q6的源极连接输出电容C1的负极;DSP控制芯片分别与第一MOSFET开关器件Q1的栅极、第二MOSFET开关器件Q2的栅极、第三MOSFET开关器件Q3的栅极、第四MOSFET开关器件Q4的栅极、第一MOS管Q5的栅极、第二MOS管Q6的栅极相连接。
作为本实用新型的优化方案,第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3和第四MOSFET开关器件Q4均为GAN的MOSFET开关器件。
本实用新型具有积极的效果:1)高效率的实现:传统有源PFC中,一个周期内,交流输入经过的整流桥中的两个二极管,开关MOS管,续流时经过续流二极管,整流桥中的两个二极管。而本实用新型在一个周期二个回路中分别只有两个MOSFET开关器件参与其中,所以就导通损耗而言,本实用新型要大大优于传统的PFC。
2)本实用新型中GAN的运用,因具有极低的导通阻抗,极低的寄生电容和零反向回复的非共缘共栅特性,导通损耗以及开关损耗都会有所降低,对于效率优化也起了很大的作用。
3)传统的PFC结构中,续流二极管的返向恢复损耗也是较大的,本实用新型中,由于无桥结构中GAN极低的反向恢复特性,改善也极为明显。
4)高功率密度的实现:由于本实用新型中GAN的运用,与传统硅基功率器件相比,基于GAN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。所以使电源电路工作于更高的开关频率,使得电源产品可实现整体尺寸缩小和效率的提高。
5)低输出输入纹波的实现:本实用新型输入输出电流纹波减小,电流频率提高了一倍,从而有效降低了输入输出电流纹波及高频谐波含量,可以减小了前级EMI滤波器的尺寸。交错结构,可以使得使流经开关GAN的电流减小,开关的通态损耗降低,进而提高了整个电路的功率等级。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明:
图1为传统PFC的电路示意图;
图2为本实用新型的电路示意图;
图3为本实用新型的控制逻辑图。
具体实施方式
如图2所示,本实用新型公开了基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路,包括EMI抑制单元、第一PFC电感L1、第二PFC电感L2、第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3、第四MOSFET开关器件Q4、第一MOS管Q5、第二MOS管Q6、输出电容C1和DSP控制芯片,所述的EMI抑制单元和交流输入电源连接,第一PFC电感L1的一端和第二PFC电感L2的一端均与EMI抑制单元的输出端相连接,第一PFC电感L1的另一端与第一MOSFET开关器件Q1的源极相连接,第一MOSFET开关器件Q1的漏极与第三MOSFET开关器件Q3的漏极相连接,第二MOSFET开关器件Q2的漏极和第一MOSFET开关器件Q1的源极相连接,第三MOSFET开关器件Q3的源极和第二PFC电感L2的另一端相连接,第四MOSFET开关器件Q4的漏极和第三MOSFET开关器件Q3的源极相连接,第一MOS管Q5的漏极连接三MOSFET开关器件Q3的漏极,第一MOS管Q5的源极连接第二MOS管Q6的漏极,第一MOS管Q5的漏极连接输出电容C1的正极,第二MOS管Q6的源极连接输出电容C1的负极;DSP控制芯片分别与第一MOSFET开关器件Q1的栅极、第二MOSFET开关器件Q2的栅极、第三MOSFET开关器件Q3的栅极、第四MOSFET开关器件Q4的栅极、第一MOS管Q5的栅极、第二MOS管Q6的栅极相连接。
如图2和图3所示,第一MOSFET开关器件Q1与第三MOSFET开关器件Q3,第二MOSFET开关器件Q2与第四MOSFET开关器件Q4的导通存在着1/2的相位差,整个电路的输入输出电流纹波减少,电流频率提高了一倍,从而有效降低了输入输出电流纹波及高频谐波含量,可以减少EMI抑制单元的尺寸。同时设计成交错结构,可以使得电流整体减小,开关的通态损耗降低,提高了整个电路的功率等级。
图2中的AC Voltage Sense为DSP控制芯片的交流电压检测端,检测时,采样交流输入正半周期时交流输入L线对控制地的电压信号,然后获取交流输入N线对控制地的电压信号,两路电压信号通过电压放大器和同比例放大器后进入DSP控制芯片进行处理,DSP控制芯片还原交流输入时电压正、负半周信号。图2中的Current Sense为DSP控制芯片的电流检测端,检测时,通过电流互感器CT进行检测,然后通过电压跟随器,还原电流信号,送入DSP控制芯片。图2中的Vout Sense为输出电压检测,检测时,直接进行电阻分压、滤波后送入DSP控制芯片。
第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3和第四MOSFET开关器件Q4均为GAN的MOSFET开关器件。由于第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3和第四MOSFET开关器件Q4均使用了GAN(氮化镓),因此具有极低的导通阻抗,极低的寄生电容和零反向恢复的非共源共栅特性,导通损耗及开关损耗都有所降低,大大的优化了效率。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路,其特征在于:包括EMI抑制单元、第一PFC电感L1、第二PFC电感L2、第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3、第四MOSFET开关器件Q4、第一MOS管Q5、第二MOS管Q6、输出电容C1和DSP控制芯片,所述的EMI抑制单元和交流输入电源连接,第一PFC电感L1的一端及第二PFC电感L2的一端均与EMI抑制单元的输出端相连接,第一PFC电感L1的另一端与第一MOSFET开关器件Q1的源极相连接,第一MOSFET开关器件Q1的漏极与第三MOSFET开关器件Q3的漏极相连接,第二MOSFET开关器件Q2的漏极和第一MOSFET开关器件Q1的源极相连接,第三MOSFET开关器件Q3的源极和第二PFC电感L2的另一端相连接,第四MOSFET开关器件Q4的漏极和第三MOSFET开关器件Q3的源极相连接,第一MOS管Q5的漏极连接三MOSFET开关器件Q3的漏极,第一MOS管Q5的源极连接第二MOS管Q6的漏极,第一MOS管Q5的漏极连接输出电容C1的正极,第二MOS管Q6的源极连接输出电容C1的负极;DSP控制芯片分别与第一MOSFET开关器件Q1的栅极、第二MOSFET开关器件Q2的栅极、第三MOSFET开关器件Q3的栅极、第四MOSFET开关器件Q4的栅极、第一MOS管Q5的栅极、第二MOS管Q6的栅极相连接。
2.根据权利要求1所述的基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路,其特征在于:所述的第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3和第四MOSFET开关器件Q4均为GAN的MOSFET开关器件。
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