CN205709888U - 一种72对棒多晶硅还原系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种72对棒多晶硅还原系统，包括6套12对棒调压电路，所述每套调压电路包括和所述电源相互并联连接的四组可控硅Q1、Q2、Q3、Q4，所述Q1、Q2、Q3、Q4，所述可控硅Q1和所述可控硅Q2上还并联连接有可控硅Q5和可控硅Q6，所述可控硅Q5和所述可控硅Q6的输出端串联连接有电感L1，并且设置有若干开关对调压电路起到了调节作用。本实用新型的有益效果为：采用12对棒调压柜，因此一套72对棒的还原炉只需要6套12对棒调压柜，解决了使用6对棒调压柜进行72对棒还原炉设计的弊端，因此还原炉的电气建设成本可以降低约30%。给制造者带来很大的经济效益。

Description

一种72对棒多晶硅还原系统

技术领域

本实用新型涉及一种72对棒多晶硅还原系统。

背景技术

在现有技术中，72对棒对应的调压设备数量较多（目前现有设备为6对棒调压柜），因此造成了多晶硅还原炉电气系统结构的成本过高，生产的经济效益大大降低，并且大大增加了制造者的成本负担。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种72对棒多晶硅还原系统，以克服目前现有技术存在的上述不足。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现：

一种72对棒多晶硅还原系统，包括6套12对棒调压电路，所述每套调压电路包括和所述电源相互并联连接的四组可控硅Q1、Q2、Q3、Q4，所述Q1、Q2、Q3、Q4，的输出端上串联连接有第一开关，所述可控硅的供电端串联连接有第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间串联连接有第一组6对棒和第二组6对棒，所述第一组6对棒和所述第二组6对棒之间和所述电源端和所述第二开关之间还连接有第三开关，所述第三开关外并联连接有第四开关；所述可控硅Q1和所述可控硅Q2上还并联连接有可控硅Q5和可控硅Q6，所述可控硅Q5和所述可控硅Q6的输出端串联连接有电感L1和第六开关，所述第六开关的输出端和所述第二组6对棒连接。

进一步的，所述第一开关外还并联连接有第五开关。

进一步的，所述调压电路的供电电压为2900V~400V之间。

本实用新型的有益效果为：采用12对棒调压柜，因此一套72对棒的还原炉只需要6套12对棒调压柜，解决了使用6对棒调压柜进行72对棒还原炉设计的弊端，因此还原炉的电气建设成本可以降低约30%。给制造者带来很大的经济效益。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本实用新型实施例的72对棒多晶硅还原系统结构示意图。

图中：

1、第一开关；2、第二开关；3、第三开关；4、第四开关；5、第五开关；6、第一组6对棒；7、第二组6对棒；8、调压电路；9、第六开关。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

具体设计思路为：将一套72对棒的还原炉按每组12对棒分为A1、A2、B1、B2、C1、C2六组各自串接在一起分别与6套调压柜接线，因为调压变压器二次侧抽头的最高输出电压值有限，不能输出每组12对棒高压击穿后所需的维持电压，但是可以输出每组6对棒的所需电压值。为了实现还原炉电气生产的需求，每套调压柜要将12对棒分为两组，每组6对棒，先对这两组硅棒分别通电实现并联工作，等生产一段时间，满足电气条件后，再将12对棒进行串联工作，统一供电。从而实现单挑调压柜对12对棒进行调压控制，而不是现有的只能两套调压柜对12对棒的调压控制。

如图1所示，根据本实用新型的实施例所述的一种72对棒多晶硅还原系统，包括6套12对棒调压电路8，所述每套调压电路包括和所述电源相互并联连接的四组可控硅Q1、Q2、Q3、Q4，所述Q1、Q2、Q3、Q4，的输出端上串联连接有第一开关1，所述可控硅的供电端串联连接有第二开关2，所述第一开关和所述第二开关之间串联连接有第一组6对棒和第二组6对棒，所述第一组6对棒6和所述第二组6对棒7之间和所述电源端和所述第二开关之间还连接有第三开关3，所述第三开关外并联连接有第四开关4；所述可控硅Q1和所述可控硅Q2上还并联连接有可控硅Q5和可控硅Q6，所述可控硅Q5和所述可控硅Q6的输出端串联连接有电感L1和第六开关9，所述第六开关9的输出端和所述第二组6对棒连接。

进一步的，所述第一开关外还并联连接有第五开关5。

进一步的，所述调压电路的供电电压为2900V~400V之间。

在一个实施例中：

具体使用时

Q5、Q6为Q1、Q2的并联支路，在调压柜与炉底硅棒连接之间添加一个4级高压接触器。

以A1相为例，工作原理如下：

并联工作 K1吸合，K2断开， Q1、Q2的4个可控硅通过叠层控制为上6对棒供电，Q5、Q6的4个可控硅通过叠层控制为下6对棒供电，这样先并联工作就能实现单调压柜承接A1相12对棒工作所需电压输出

串联工作 K1断开，K2吸合依次进行Q1和Q2、 Q2和Q3、Q3和Q4的4个可控硅通过叠层控制为12对棒供电。

通过以上的方式比较在不增加可控硅的承压前提下，增加了多晶硅调压电源的输出总电压。因此可以大大的减少了调压器的成本。

具体的工作方式为：

参照图1，首先Q1、Q2、Q5、Q6这四组可控硅工作，开关K1合闸。其中2组可控硅Q1、Q2通过叠层控制对上6对多晶硅棒进行供电。另外两组可控硅Q1*、Q2*通过叠层控制对下6对多晶硅棒进行供电。12对多晶硅棒通过电源的加热进行生长，当多晶硅棒生长到第二阶段时候，会出现电压下降，并且电流升高。因此当电压降低到一定程度时则将以上4只可控硅封锁脉冲，并且断开开关K1，合上开关K2，进入串联工作模式。两组可控硅Q1、Q2通过叠层控制对12对多晶硅硅棒进行供电。当多晶硅硅棒进一步生长以后，则Q2、Q3两组可控硅通过叠层控制对12对棒进行供电控制。以此方式递推多晶硅硅棒在生长过程中硅棒直径在增加，硅棒两端的电压在下降，电流在升高。最终Q4这组可控硅对硅棒单独进行供电以致硅棒生长完毕。

其中，K1为一个4级开关，因此图上显示为4个K1节点，K2是一个2级开关，因此图上显示2个K2代表2个节点。

其他另外5组多晶硅硅棒生长方式同以上方式。因此共6组12对棒多晶硅生长方式相同，并且6组均匀分配到变压器的三相，使三相达到平衡。

综上所述，借助于本实用新型的上述技术方案，采用12对棒调压柜，因此一套72对棒的还原炉只需要6套12对棒调压柜，解决了使用6对棒调压柜进行72对棒还原炉设计的弊端，因此还原炉的电气建设成本可以降低约30%。给制造者带来很大的经济效益。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种72对棒多晶硅还原系统，包括6套12对棒调压电路，其特征在于，所述每套调压电路包括和所述电源相互并联连接的四组可控硅Q1、Q2、Q3、Q4，所述Q1、Q2、Q3、Q4，的输出端上串联连接有第一开关，所述可控硅的供电端串联连接有第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间串联连接有第一组6对棒和第二组6对棒，所述第一组6对棒和所述第二组6对棒之间和所述电源端和所述第二开关之间还连接有第三开关，所述第三开关外并联连接有第四开关；所述可控硅Q1和所述可控硅Q2上还并联连接有可控硅Q5和可控硅Q6，所述可控硅Q5和所述可控硅Q6的输出端串联连接有电感L1和第六开关，所述第六开关的输出端和所述第二组6对棒连接。

2.根据权利要求1所述的72对棒多晶硅还原系统，其特征在于，所述第一开关外还并联连接有第五开关。

3.根据权利要求1所述的72对棒多晶硅还原系统，其特征在于，所述调压电路的供电电压为2900V~400V之间。