CN205680658U - 一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置 - Google Patents

一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置 Download PDF

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晏文春
周军
党继东
刘东续
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Abstract

一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,包括第一传送带和第二传送带,第一传送带和第二传送带的传送方向相互垂直设置,第一传送带和第二传送带的传送平面位于同一水平面上;对应于同一个上料端设置有第一传送带组,每个第一传送带组包括至少一条第一传送带;每个第一传送带组的输出端设置有一第二传送带组,所述第一传送带组的输出端与第二传送带组的一侧边相衔接;每个第二传送带组中,各相邻第二传送带之间设置有第三传送带组,第三传送带的传送方向与第一传送带相同;对应于所述硅片,还设置有传感器以感知硅片的所在位置;对应于每片硅片的至少一条待测试边缘设置有一对欧姆表的表笔,表笔与一驱动机构连接。

Description

一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,尤其涉及一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳电池中,晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能,因此,晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。
现有技术中,晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括:清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中,刻蚀是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序,在湿法链式刻蚀中,刻蚀工序的目的是将硅片非扩散面及侧面PN结以化学方法腐蚀掉,而业内检测刻蚀效果较为普遍的方法是刻蚀后下料处人工取片,对硅片进行抽测,通过使用万用表的欧姆表笔测试刻蚀后硅片侧面两点间电阻,当电阻超过1000欧姆时,认为硅片合格;当电阻低于1000欧姆时,认为硅片欠刻,即不合格。整个测试为人工操作,两表笔间距离难于控制,同时表笔与硅片难于保证垂直,即表笔与硅片的接触面积不稳定,这些都会影响测试的准确性,且抽检数量极为有限,容易导致未被刻通的硅片流入后道,导致电池边缘漏电。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,包括第一传送带和第二传送带,第一传送带和第二传送带的传送方向相互垂直设置,第一传送带和第二传送带的传送平面位于同一水平面上;
对应于同一个上料端设置有第一传送带组,每个第一传送带组包括至少一条第一传送带;
每个第一传送带组的输出端设置有一第二传送带组,每个第二传送带组包括至少两条平行且间隔布置的第二传送带,所述第一传送带组的输出端与第二传送带组的一侧边相衔接;
每个第二传送带组中,各相邻第二传送带之间设置有第三传送带组,每个第三传送带组包括至少一条平行且间隔布置的第三传送带,第三传送带的传送方向与第一传送带相同,第三传送带的传送平面与第一传送带及第二传送带的传送平面位于同一水平面上;
对应于所述硅片,还设置有传感器以感知硅片的所在位置;
对应于每片硅片的至少一侧待测试边缘设置有一对欧姆表的表笔,表笔的测试端垂直于硅片的待测试边缘,所述表笔与一驱动机构连接,该驱动机构驱动表笔靠近及远离硅片表面。
上述方案中,对应于每片硅片,也可以同时设置两对欧姆表的表笔,以测试硅片相互平行的两侧边缘。
上述方案中,每对欧姆表的表笔在测试时,允许有高度差,姆表的表笔与所测硅片的边缘形成稳定接触即可,并不要求必须在同一高度。
上述方案中,所述“所述第一传送带组的输出端与第二传送带组的一侧边相衔接”的意思是硅片能够从第一传送带组的输出端传送至第二传送带组上,其中,“一侧边”指的是第二传送带组中最靠近第一传送带组输出端的那条侧边。
上述方案中,所述“驱动机构驱动表笔靠近及远离硅片表面”,表笔的移动轨迹可以是竖直的也可以是倾斜的,只要移动的最后结果是表笔的测试端垂直于硅片表面即可。
上述方案中,所述第一传送带组包括至少两条平行且间隔布置的第一传送带。
上述方案中,所述第三传送带组包括至少两条平行且间隔布置的第三传送带。
上述方案中,每对欧姆表表笔测试端的连线平行于对应的硅片的一条待测试边缘。
上述方案中,每对表笔设于一基板上,该基板与所述驱动机构连接。
上述方案中,所述基板上对应于表笔开设有装配凹槽,表笔嵌设于对应的装配凹槽中。
上述方案中,所述表笔粘接于所述基板上。
上述方案中,所述欧姆表的信号输出端与一报警器的信号输入端电连接。
上述方案中,所述第二传送带下方设置有返工盒,用于收纳测试不合格的硅片。
上述方案中,所述驱动机构为气缸、直线电机或旋转电机与丝杆螺母机构的组合。
上述方案中,刻蚀后的硅片通过第一传送带组输出,当硅片移动至传感器位置时,传感器将信号发送给控制单元,控制单元控制驱动机构驱动表笔向上或向下靠近硅片表面,传感器可以设置在硅片到达表笔处之前的位置,也可以设置在表笔处;当传感器设置在硅片到达表笔之前的位置时,硅片离表笔还有一段距离的同时驱动机构驱动表笔靠近硅片表面(上升或下降),当硅片到达表笔位置时,表笔也恰好到位,对硅片的边缘电阻进行测量;当传感器设置在表笔处时,则当硅片先传送到位,驱动机构再驱动表笔靠近硅片表面;所述第三传送带的作用在于延续第一传送带的传送动作,由于第一传送带和第二传送带的传送平面位于同一水平面上,所以第一传送带和第二传送带不能有重合的部分,以免传送平面不平整,导致硅片传送不平稳,对硅片造成损坏;当硅片传送至第二传送带上时,第二传送带为静止状态,第一传送带和第三传送带也停止传送,此时对硅片进行测量,待测量完毕后,若硅片的边缘电阻测试合格,则第二传送带开始传送,将硅片送入下一工序,若硅片的边缘电阻测试不合格,则硅片进入返工盒内。
上述方案中,可同时设置多个第一传送带组,多个第一传送带组可对应同一个第二传送带组,或者每个第一传送带组分别对应一个第二传送带组。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
1.本实用新型实现了在线测试边缘电阻,每次测试都能保证表笔垂直于硅片的待测试边缘,且两支表笔之间间距固定,姆表的表笔与所测硅片的边缘形成稳定接触,测试结果更准确;
2.本实用新型避免了测试过程中的人为接触导致污染,不需要为了测试而搬运硅片,节省了人力;
3.本实用新型能更及时发现边缘电阻异常的情况。
附图说明
图1为本实用新型实施例一未放置硅片时的俯视示意图。
图2为图1的主视图。
图3为本实用新型实施例一硅片测试状态的俯视示意图。
图4为图3的主视图。
其中:1、第一传送带;2、第二传送带;3、第三传送带;4、传感器;5、硅片;6、基板;7、表笔;8、驱动机构;9、返工盒。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一:
参见图1~4所示,一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,包括第一传送带1和第二传送带2,第一传送带1和第二传送带2的传送方向相互垂直设置,第一传送带1和第二传送带2的传送平面位于同一水平面上;
对应于同一个上料端设置有第一传送带组,每个第一传送带组包括两条第一传送带1,上料端与刻蚀机的出料口连接,刻蚀后的硅片5从上料端送入第一传送带组;
每个第一传送带组的输出端设置有一第二传送带组,每个第二传送带组包括两条平行且间隔布置的第二传送带2,所述第一传送带组的输出端与第二传送带组的一侧边相衔接;
每个第二传送带组中,各相邻第二传送带2之间设置有第三传送带组,每个第三传送带组包括两条平行且间隔布置的第三传送带3,第三传送带3的传送方向与第一传送带1相同,第三传送带3的传送平面与第一传送带1及第二传送带2的传送平面位于同一水平面上;
实际应用中,第一传送带组可以包括一条第一传送带1、三条第一传送带1或者更多数量的第一传送带1;第二传送带组可以包括三条第二传送带2、四条第二传送带2或者更多数量的第二传送带2;第三传送带组可以包括一条第一传送带3、三条第一传送带3或者更多数量的第三传送带3;
对应于所述硅片5,还设置有传感器4以感知硅片5的所在位置;
对应于每片硅片5相互平行的两侧边缘分别设置有一对欧姆表的表笔7,表笔7的测试端垂直于硅片5的表面布置,每片硅片5对应的两对表笔7的测试端位于同一水平面上,所述表笔7与一驱动机构8连接,该驱动机构8驱动表笔7靠近及远离硅片5表面。
每对欧姆表表笔7测试端的连线平行于对应的硅片5的一条侧边。
每对表笔7设于一基板6上,该基板6与所述驱动机构8连接。
所述基板6上对应于表笔7开设有装配凹槽,表笔7嵌设于对应的装配凹槽中,实际应用中,所述表笔7可以粘接于所述基板6上。
所述欧姆表的信号输出端与一报警器的信号输入端电连接,硅片未通过测试时,发出警报,暂停上料。
所述第二传送带2下方设置有返工盒9,用于收纳测试不合格的硅片5。
所述驱动机构8为气缸、直线电机或旋转电机与丝杆螺母机构的组合。
刻蚀后的硅片5通过第一传送带组输出,当硅片5移动至传感器4位置时,传感器4将信号发送给控制单元,控制单元控制驱动机构8驱动表笔7向上或向下靠近硅片5表面,传感器4可以设置在硅片5到达表笔7处之前的位置,也可以设置在表笔7处;当传感器4设置在硅片5到达表笔7之前的位置时,硅片5离表笔7还有一段距离的同时驱动机构8驱动表笔7靠近硅片5表面(上升或下降),当硅片5到达表笔7位置时,表笔7也恰好到位,对硅片5的边缘电阻进行测量;所述第三传送带3的作用在于延续第一传送带1的传送动作,由于第一传送带1和第二传送带2的传送平面位于同一水平面上,所以第一传送带1和第二传送带2不能有重合的部分,以免传送平面不平整,导致硅片5传送不平稳,对硅片5造成损坏;当硅片5传送至第二传送带2上时,第二传送带2为静止状态,第一传送带1和第三传送带3也停止传送,此时对硅片5进行测量,待测量完毕后,若硅片5的边缘电阻测试合格,则第二传送带2开始传送,将硅片送入下一工序,若硅片5的边缘电阻测试不合格,则硅片5进入返工盒9内。
同时设置多个第一传送带组,多个第一传送带组对应同一个第二传送带组。

Claims (10)

1.一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:包括第一传送带和第二传送带,第一传送带和第二传送带的传送方向相互垂直设置,第一传送带和第二传送带的传送平面位于同一水平面上;
对应于同一个上料端设置有第一传送带组,每个第一传送带组包括至少一条第一传送带;
每个第一传送带组的输出端设置有一第二传送带组,每个第二传送带组包括至少两条平行且间隔布置的第二传送带,所述第一传送带组的输出端与第二传送带组的一侧边相衔接;
每个第二传送带组中,各相邻第二传送带之间设置有第三传送带组,每个第三传送带组包括至少一条平行且间隔布置的第三传送带,第三传送带的传送方向与第一传送带相同,第三传送带的传送平面与第一传送带及第二传送带的传送平面位于同一水平面上;
对应于所述硅片,还设置有传感器以感知硅片的所在位置;
对应于每片硅片的至少一侧待测试边缘设置有一对欧姆表的表笔,表笔的测试端垂直于硅片的待测试边缘,所述表笔与一驱动机构连接,该驱动机构驱动表笔靠近及远离硅片表面。
2.根据权利要求1所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:所述第一传送带组包括至少两条平行且间隔布置的第一传送带。
3.根据权利要求1所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:所述第三传送带组包括至少两条平行且间隔布置的第三传送带。
4.根据权利要求1所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:每对欧姆表表笔测试端的连线平行于对应的硅片的一条待测试边缘。
5.根据权利要求1所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:每对表笔设于一基板上,该基板与所述驱动机构连接。
6.根据权利要求5所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:所述基板上对应于表笔开设有装配凹槽,表笔嵌设于对应的装配凹槽中。
7.根据权利要求5所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:所述表笔粘接于所述基板上。
8.根据权利要求1所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:所述欧姆表的信号输出端与一报警器的信号输入端电连接。
9.根据权利要求1所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:所述第二传送带下方设置有返工盒,用于收纳测试不合格的硅片。
10.根据权利要求1所述的在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:所述驱动机构为气缸、直线电机或旋转电机与丝杆螺母机构的组合。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957275A (zh) * 2018-06-29 2018-12-07 韩华新能源(启东)有限公司 硅片导电类型判别方法及基于该判别方法的判别设备和测试仪
CN109655667A (zh) * 2018-12-14 2019-04-19 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置

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Patentee after: CSI Cells Co.,Ltd.

Patentee after: Funing atlas sunshine Power Technology Co., Ltd

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Patentee before: CSI Cells Co.,Ltd.

Patentee before: CSI-GCL SOLAR MANUFACTURING (YANCHENG) Co.,Ltd.

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