CN205657606U - 基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位mmc自均压拓扑 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位MMC拓扑。该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制。

Description

基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑

技术领域

本实用新型涉及柔性输电领域，具体涉及一种基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑。

背景技术

模块化多电平换流器MMC是未来直流输电技术的发展方向，MMC采用子模块级联的方式构造换流阀，避免了大量器件的直接串联，降低了对器件一致性的要求，同时便于扩容及冗余配置。随着电平数的升高，输出波形接近正弦，能有效避开低电平VSC-HVDC的缺陷。

单箝位MMC由单箝位子模块组合而成，每个单箝位子模块由3个IGBT模块，1个子模块电容，1个二极管及1个机械开关构成，成本低，运行损耗小。

与两电平、三电平VSC不同，MMC的直流侧电压并非由一个大电容支撑，而是由一系列相互独立的悬浮子模块电容串联支撑。为了保证交流侧电压输出的波形质量和保证模块中各功率半导体器件承受相同的应力，也为了更好的支撑直流电压，减小相间环流，必须保证子模块电容电压在桥臂功率的周期性流动中处在动态稳定的状态。

基于电容电压排序的排序均压算法是目前解决MMC中子模块电容电压均衡问题的主流思路。首先，排序功能的实现必须依赖电容电压的毫秒级采样，需要大量的传感器以及光纤通道加以配合；其次，当子模块数目增加时，电容电压排序的运算量迅速增大，为控制器的硬件设计带来巨大挑战；此外，排序均压算法的实现对子模块的开断频率有很高的要求，开断频率与均压效果紧密相关，在实践过程中，可能因为均压效果的限制，不得不提高子模块的触发频率，进而带来换流器损耗的增加。

文献“A DC-Link Voltage Self-Balance Method for a Diode-Clamped Modular Multilevel Converter With Minimum Number of Voltage Sensors”，提出了一种依靠钳位二极管和变压器来实现MMC子模块电容电压均衡的思路。但该方案在设计上一定程度破坏了子模块的模块化特性，子模块电容能量交换通道也局限在相内，没能充分利用MMC的既有结构，三个变压器的引入在使控制策略复杂化的同时也会带来较大的改造成本。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型的目的在于提出一种经济的，模块化的，不依赖均压算法，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值且具有直流故障箝位能力的单箝位MMC自均压拓扑。

本实用新型具体的构成方式如下。

基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，包括由A、B、C三相构成的单箝位MMC模型，A、B、C三相分别由2N个单箝位子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个IGBT模块，6N+11个箝位二极管，8个辅助电容及4个辅助IGBT模块构成的自均压辅助回路。

上述基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，A相上下桥臂，单箝位子模块中，二极管连接子模块电容正极，IGBT模块连接子模块电容负极。A相上桥臂的第1个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相上桥臂的第2个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与直流母线正极相连；A相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相上桥臂的第i+1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第i-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相上桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下经两个桥臂电抗器L ₀与A相下桥臂的第1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第N-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相下桥臂的第i+1个子模块IGBT模块中点相连，其IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第i-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相下桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与直流母线负极相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第N-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连。B相上下桥臂，单箝位子模块中，IGBT模块连接子模块电容正极，二极管连接子模块电容负极。B相上桥臂的第1个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与直流母线正极相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相上桥臂的第2个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相上桥臂的第i-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相上桥臂的第i+1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相上桥臂的第N-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下经两个桥臂电抗器L ₀与B相下桥臂的第1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相下桥臂的第i-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相下桥臂的第i+1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相下桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相下桥臂第N-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与直流母线负极相连。C相上下桥臂子模块的连接方式可以与A相一致，也可以与B相一致。

上述基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，其自均压辅助回路中，第一个辅助电容与第二个辅助电容通过箝位二极管并联，第二个辅助电容正极连接辅助IGBT模块，第一个辅助电容负极连接箝位二极管并入直流母线正极；第三个辅助电容与第四个辅助电容通过箝位二极管并联，第三个辅助电容负极连接辅助IGBT模块，第四个辅助电容正极连接箝位二极管并入直流母线负极；第五个辅助电容与第六个辅助电容通过箝位二极管并联，第五个辅助电容正极连接辅助IGBT模块，第六个辅助电容负极连接箝位二极管并入直流母线正极；第七个辅助电容与第八个辅助电容通过箝位二极管并联，第八个辅助电容负极连接辅助IGBT模块，第七个辅助电容正极连接箝位二极管并入直流母线负极。箝位二极管，通过IGBT模块连接A相上桥臂中第1个子模块电容与第一个辅助电容正极；通过IGBT模块连接A相上桥臂中第i个子模块电容与第i+1个子模块电容正极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块连接A相上桥臂中第N个子模块电容与A相下桥臂第1个子模块电容正极；通过IGBT模块连接A相下桥臂中第i个子模块电容与A相下桥臂第i+1个子模块电容正极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块连接A相下桥臂中第N个子模块电容与第三个辅助电容正极。箝位二极管，通过IGBT模块连接B相上桥臂中第1个子模块电容与第二个辅助电容负极；通过IGBT模块连接B相上桥臂中第i个子模块电容与第i+1个子模块电容负极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块连接B相上桥臂中第N个子模块电容与B相下桥臂第1个子模块电容负极；通过IGBT模块连接B相下桥臂中第i个子模块电容与B相下桥臂第i+1个子模块电容负极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块连接B相下桥臂中第N个子模块电容与第四个辅助电容负极。C相子模块的连接关系与A相一致时，C相上下桥臂中子模块间箝位二极管的连接方式与A相一致，同时第六个辅助电容正极经辅助IGBT模块、箝位二极管连接C相上桥臂第一个子模块电容正极，第五个辅助电容负极经辅助IGBT模块、箝位二极管连接B相上桥臂第一个子模块电容负极，第八个辅助电容正极经辅助IGBT模块、箝位二极管连接C相下桥臂第N个子模块电容正极，第七个辅助电容负极经辅助IGBT模块、箝位二极管连接B相下桥臂第N个子模块电容负极；C相子模块的连接关系与B相一致时，C相上下桥臂中子模块间箝位二极管的连接方式与B相一致，同时第五个辅助电容负极经辅助IGBT模块、箝位二极管连接C相上桥臂第一个子模块电容负极，第六个辅助电容正极经辅助IGBT模块、箝位二极管连接A相上桥臂第一个子模块电容正极，第七个辅助电容负极经辅助IGBT模块、箝位二极管连接C相下桥臂第N个子模块电容负极，第八个辅助电容正极经辅助IGBT模块、箝位二极管连接A相下桥臂第N个子模块电容正极。

附图说明

下面结合附图对本实用新型进一步说明。

图1是单箝位子模块的结构示意图；

图2是基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑。

具体实施方式

为进一步阐述本实用新型的性能与工作原理，以下结合附图对对实用新型的构成方式与工作原理进行具体说明。但基于该原理的单箝位MMC自均压拓扑不限于图2。

参考图2，基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，包括由A、B、C三相构成的单箝位MMC模型，A、B、C三相分别由2N个单箝位子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个IGBT模块，6N+11个箝位二极管，8个辅助电容C ₁、C ₂、C ₃、C ₄、C ₅、C ₆、C ₇、C ₈，4个辅助IGBT模块T ₁、T ₂、T ₃、T ₄构成的自均压辅助回路。

单箝位MMC模型中，A相上下桥臂，单箝位子模块中，二极管连接子模块电容正极，IGBT模块连接子模块电容负极。A相上桥臂的第1个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相上桥臂的第2个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与直流母线正极相连；A相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相上桥臂的第i+1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第i-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相上桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下经两个桥臂电抗器L ₀与A相下桥臂的第1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第N-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相下桥臂的第i+1个子模块IGBT模块中点相连，其IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第i-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相下桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与直流母线负极相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第N-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连。B相上下桥臂，单箝位子模块中，IGBT模块连接子模块电容正极，二极管连接子模块电容负极。B相上桥臂的第1个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与直流母线正极相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相上桥臂的第2个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相上桥臂的第i-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相上桥臂的第i+1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相上桥臂的第N-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下经两个桥臂电抗器L ₀与B相下桥臂的第1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相下桥臂的第i-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相下桥臂的第i+1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相下桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相下桥臂第N-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与直流母线负极相连。C相上下桥臂子模块的连接方式与A相一致。

自均压辅助回路中，辅助电容C ₁与辅助电容C ₂通过箝位二极管并联，辅助电容C ₂正极连接辅助IGBT模块T ₁，辅助电容C ₁负极连接箝位二极管并入直流母线正极；辅助电容C ₃与辅助电容C ₄通过箝位二极管并联，辅助电容C ₃负极连接辅助IGBT模块T ₂，辅助电容C ₄正极连接箝位二极管并入直流母线负极；辅助电容C ₅与辅助电容C ₆通过箝位二极管并联，辅助电容C ₅正极连接辅助IGBT模块T ₃，辅助电容C ₆负极连接箝位二极管并入直流母线正极；辅助电容C ₇与辅助电容C ₈通过箝位二极管并联，辅助电容C ₈负极连接辅助IGBT模块T ₄，辅助电容C ₇正极连接箝位二极管并入直流母线负极。箝位二极管，通过IGBT模块T _{au_1}连接A相上桥臂中第1个子模块电容C _{­ au­_1}与辅助电容C ₁正极；通过IGBT模块T _{au_i} 、T _{au_i+1}连接A相上桥臂中第i个子模块电容C _{­au­_i} 与第i+1个子模块电容C­_{au­_i+1}正极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块T _{au_N} 、T _{al_1}连接A相上桥臂中第N个子模块电容C­_{au­_N} 与A相下桥臂第1个子模块电容C­_{al­_1}正极；通过IGBT模块T_{al_i} 、T _{al_i+1}连接A相下桥臂中第i个子模块电容C _{­al­_i} 与A相下桥臂第i+1个子模块电容C­_{al­_i+1}正极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块T _{al_N} 连接A相下桥臂中第N个子模块电容C _{­al_N} 与辅助电容C ₃正极。箝位二极管，通过IGBT模块T _{bu_1}连接B相上桥臂中第1个子模块电容C­_{bu­_1}与辅助电容C ₂、辅助电容C ₅负极；通过IGBT模块T _{bu_i} 、T _{bu_i+1}连接B相上桥臂中第i个子模块电容C­_{bu­_i} 与第i+1个子模块电容C _{­bu­_i+1}负极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块T _{bu_N} 、T _{bl_1}连接B相上桥臂中第N个子模块电容C­_{bu_N} 与B相下桥臂第1个子模块电容C­_{bl­_1}负极；通过IGBT模块T _{bl_i} 、T _{bl_i+1}连接B相下桥臂中第i个子模块电容C­_{bl­_i} 与B相下桥臂第i+1个子模块电容C _{­bl­_i+1}负极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块T _{bl_N} 连接B相下桥臂中第N个子模块电容C­ _{bl­_N} 与辅助电容C ₄、辅助电容C ₇负极。辅助电容C ₆正极经辅助IGBT模块T _{cu_1}、箝位二极管连接C相上桥臂第一个子模块电容C _{cu_1}正极；辅助电容C ₈正极经辅助IGBT模块T _{cl_N} 、箝位二极管连接C相下桥臂第N个子模块电容C _{cl_N} 正极。

正常情况下，自均压辅助回路中6N个IGBT模块T _{au_i} 、T _{al_i} 、T _{bu_i}、T _{bl_i} 、T _{cu_i} 、T _{cl_i} 常闭，其中i的取值为1～N，A相上桥臂第一个子模块电容C _{­au­_1}旁路时，此时辅助IGBT模块T ₁断开，子模块电容C _{­ au­_1}与辅助电容C ₁通过箝位二极管并联；A相上桥臂第i个子模块电容C­_{au­_i} 旁路时，其中i的取值为2～N，子模块电容C­_{au­_i} 与子模块电容C­_{au­_i-1}通过箝位二极管并联；A相下桥臂第一个子模块电容C­_{al_1}旁路时，子模块电容C­_{al­_1}通过箝位二极管、两个桥臂电抗器L ₀与子模块电容C­_{au­_N} 并联；A相下桥臂第i个子模块电容C _{­al_i} 旁路时，其中i的取值为2～N，子模块电容C _{­ al­_i} 与子模块电容C­_{al_i-1}通过箝位二极管并联；辅助IGBT模块T ₂闭合时，辅助电容C ₃通过箝位二极管与子模块电容C­_{al_N} 并联。

正常情况下，自均压辅助回路中6N个IGBT模块T _{au_i} 、T _{al_i} 、T _{bu_i}、T _{bl_i} 、T _{cu_i} 、T _{cl_i} 常闭，其中i的取值为1～N，辅助IGBT模块T ₁闭合时，辅助电容C ₂与子模块电容C­_{bu­_1}通过箝位二极管并联；B相上桥臂第i个子模块电容C _{­bu­_i} 旁路时，其中i的取值为1～N-1，子模块电容C­_{bu­_i} 与子模块电容C _{­bu­_i+1}通过箝位二极管并联；B相上桥臂第N个子模块电容C _{­bu_N} 旁路时，子模块电容C _{­bu­_N} 通过箝位二极管、两个桥臂电抗器L ₀与子模块电容C _{­bl­_1}并联；B相下桥臂第i个子模块电容C _{­bl_i} 旁路时，其中i的取值为1～N-1，子模块电容C­_{bl­_i} 与子模块电容C­ _{bl_i+1}通过箝位二极管并联；B相下桥臂N个子模块电容C­_{bl_N} 旁路时，子模块电容C­_{bl­_N} 与辅助电容C­₄通过箝位二极管并联。其中辅助IGBT模块T ₁的触发信号与A相上桥臂第一个子模块触发信号一致；辅助IGBT模块T ₂的触发信号与B相下桥臂第N个子模块的触发信号一致。

在直交流能量转换的过程中，各个子模块交替投入、旁路，辅助IGBT模块T ₁、T ₂交替闭合、关断，A、B相上下桥臂子模块电容电压在箝位二极管的作用下，满足下列约束：

由于辅助电容C ₁、C ₂、C ₃、C ₄电压的关系满足：

同理，B、C相上下桥臂子模块电容电压满足下述条件：

由于辅助电容C ₅、C ₆、C ₇、C ₈电压的关系满足：

由此可知，在单箝位MMC在完成直交流能量转换的动态过程中，满足下面的约束条件：

由上述具体说明可知，该单箝位MMC拓扑具备子模块电容电压自均衡能力。

最后应当说明的是：所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

Claims (4)

1.基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的单箝位MMC模型，A、B、C三相分别由2N个单箝位子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个IGBT模块，6N+11个箝位二极管，8个辅助电容C ₁、C ₂、C ₃、C ₄、C ₅、C ₆、C ₇、C ₈，4个辅助IGBT模块T ₁、T ₂、T ₃、T ₄构成的自均压辅助回路。

2.根据权利要求1所述的基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，其特征在于：A相上下桥臂，单箝位子模块中，二极管连接子模块电容正极，IGBT模块连接子模块电容负极；A相上桥臂的第1个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相上桥臂的第2个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与直流母线正极相连；A相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相上桥臂的第i+1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第i-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相上桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下经两个桥臂电抗器L ₀与A相下桥臂的第1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第N-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相下桥臂的第i+1个子模块IGBT模块中点相连，其IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第i-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相下桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与直流母线负极相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第N-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上下桥臂，单箝位子模块中，IGBT模块连接子模块电容正极，二极管连接子模块电容负极；B相上桥臂的第1个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与直流母线正极相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相上桥臂的第2个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相上桥臂的第i-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相上桥臂的第i+1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相上桥臂的第N-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下经两个桥臂电抗器L ₀与B相下桥臂的第1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相下桥臂的第i-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相下桥臂的第i+1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相下桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相下桥臂第N-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与直流母线负极相连；C相上下桥臂子模块的连接方式可以与A相一致，也可以与B相一致；在A、B、C相上下桥臂第i个子模块上下输出线之间分别并联有机械开关K _{au_i} 、K _{al_i} 、K _{bu_i} 、K _{bl_i} 、K _{cu_i} 、K _{cl_i} ，其中i的取值为1～N；上述连接关系构成的A、B、C三相地位一致。

3.根据权利要求1所述的基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，其特征在于：自均压辅助回路中，辅助电容C ₁与辅助电容C ₂通过箝位二极管并联，辅助电容C ₂正极连接辅助IGBT模块T ₁，辅助电容C ₁负极连接箝位二极管并入直流母线正极；辅助电容C ₃与辅助电容C ₄通过箝位二极管并联，辅助电容C ₃负极连接辅助IGBT模块T ₂，辅助电容C ₄正极连接箝位二极管并入直流母线负极；辅助电容C ₅与辅助电容C ₆通过箝位二极管并联，辅助电容C ₅正极连接辅助IGBT模块T ₃，辅助电容C ₆负极连接箝位二极管并入直流母线正极；辅助电容C ₇与辅助电容C ₈通过箝位二极管并联，辅助电容C ₈负极连接辅助IGBT模块T ₄，辅助电容C ₇正极连接箝位二极管并入直流母线负极；箝位二极管，通过IGBT模块T _{au_1}连接A相上桥臂中第1个子模块电容C­_{au­_1}与辅助电容C ₁正极；通过IGBT模块T _{au_i} 、T _{au_i+1}连接A相上桥臂中第i个子模块电容C _{­au­_i} 与第i+1个子模块电容C­_{au­_i+1}正极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块T _{au_N} 、T _{al_1}连接A相上桥臂中第N个子模块电容C­_{au­_N} 与A相下桥臂第1个子模块电容C­_{al­_1}正极；通过IGBT模块T_{al_i} 、T _{al_i+1}连接A相下桥臂中第i个子模块电容C _{­al­_i} 与A相下桥臂第i+1个子模块电容C­_{al­_i+1}正极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块T _{al_N} 连接A相下桥臂中第N个子模块电容C _{­al_N} 与辅助电容C ₃正极；箝位二极管，通过IGBT模块T _{bu_1}连接B相上桥臂中第1个子模块电容C­_{bu­_1}与辅助电容C ₂负极；通过IGBT模块T _{bu_i} 、T _{bu_i+1}连接B相上桥臂中第i个子模块电容C­_{bu­_i} 与第i+1个子模块电容C _{­bu­_i+1}负极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块T _{bu_N} 、T _{bl_1}连接B相上桥臂中第N个子模块电容C­_{bu_N} 与B相下桥臂第1个子模块电容C­_{bl­_1}负极；通过IGBT模块T _{bl_i} 、T _{bl_i+1}连接B相下桥臂中第i个子模块电容C­_{bl­_i} 与B相下桥臂第i+1个子模块电容C _{­bl­_i+1}负极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块T _{bl_N} 连接B相下桥臂中第N个子模块电容C­ _{bl­_N} 与辅助电容C ₄负极；C相子模块的连接关系与A相一致时，C相上下桥臂中子模块间箝位二极管的连接方式与A相一致，同时辅助电容C ₆正极经IGBT模块T _{cu_1}、箝位二极管连接C相上桥臂第一个子模块电容C _{cu_1}正极，辅助电容C ₅负极经IGBT模块T _{bu_1}、箝位二极管连接B相上桥臂第一个子模块电容C _{bu_1}负极，辅助电容C ₈正极经IGBT模块T _{cl_N} 、箝位二极管连接C相下桥臂第N个子模块电容C _{cl_N} 正极，辅助电容C ₇负极经IGBT模块T _{bl_N} 、箝位二极管连接B相下桥臂第N个子模块电容C _{bl_N} 负极；C相子模块的连接关系与B相一致时，C相上下桥臂中子模块间箝位二极管的连接方式与B相一致，同时辅助电容C ₅负极经IGBT模块T _{cu_1}、箝位二极管连接C相上桥臂第一个子模块电容C _{cu_1}负极，辅助电容C ₆正极经IGBT模块T _{au_1}、箝位二极管连接A相上桥臂第一个子模块电容C _{au_1}正极，辅助电容C ₇负极经IGBT模块T _{cl_N} 、箝位二极管连接C相下桥臂第N个子模块电容C _{cl_N} 负极，辅助电容C ₈正极经IGBT模块T _{al_N} 、箝位二极管连接A相下桥臂第N个子模块电容C _{al_N} 正极；上述A、B、C三相中6N个IGBT模块T _{au_i} 、T _{al_i} 、T _{bu_i} 、T _{bl_i} 、T _{cu_i} 、T _{cl_i} ，其中i的取值为1～N，6N+11个箝位二极管，8个辅助电容C ₁、C ₂、C ₃、C ₄、C ₅、C ₆、C ₇、C ₈及4个辅助IGBT模块T ₁、T ₂、T ₃、T ₄，共同构成自均压辅助回路。

4.根据权利要求1所述的基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，其特征在于：正常情况时，自均压辅助回路中6N个IGBT模块T _{au_i} 、T _{al_i} 、T _{bu_i} 、T _{bl_i} 、T _{cu_i} 、T _{cl_i} 常闭，故障情况时，6N个IGBT模块T _{au_i} 、T _{al_i} 、T _{bu_i} 、T _{bl_i} 、T _{cu_i} 、T _{cl_i} 断开，其中i的取值为1～N；正常情况下，A相上桥臂第一个子模块电容C­_{au­_1}旁路时，此时辅助IGBT模块T ₁断开，子模块电容C _{­au­_1}与辅助电容C ₁通过箝位二极管并联；A相上桥臂第i个子模块电容C­_{au­_i} 旁路时，其中i的取值为2～N，子模块电容C­_{au­_i} 与子模块电容C­_{au­_i-1}通过箝位二极管并联；A相下桥臂第一个子模块电容C­_{al_1}旁路时，子模块电容C­_{al­_1}通过箝位二极管、两个桥臂电抗器L ₀与子模块电容C­_{au­_N} 并联；A相下桥臂第i个子模块电容C _{­al_i} 旁路时，其中i的取值为2～N，子模块电容C _{­ al­_i} 与子模块电容C­_{al_i-1}通过箝位二极管并联；辅助IGBT模块T ₂闭合时，辅助电容C ₃通过箝位二极管与子模块电容C­_{al_N} 并联；辅助IGBT模块T ₁闭合时，辅助电容C ₂与子模块电容C­_{bu­_1}通过箝位二极管并联；B相上桥臂第i个子模块电容C _{­bu­_i} 旁路时，其中i的取值为1～N-1，子模块电容C­_{bu­_i} 与子模块电容C _{­bu­_i+1}通过箝位二极管并联；B相上桥臂第N个子模块电容C _{­bu_N} 旁路时，子模块电容C _{­bu­_N} 通过箝位二极管、两个桥臂电抗器L ₀与子模块电容C _{­bl­_1}并联；B相下桥臂第i个子模块电容C _{­bl_i} 旁路时，其中i的取值为1～N-1，子模块电容C­_{bl­_i} 与子模块电容C­ _{bl_i+1}通过箝位二极管并联；B相下桥臂N个子模块电容C­_{bl_N} 旁路时，子模块电容C­_{bl­_N} 与辅助电容C­₄通过箝位二极管并联；其中辅助IGBT模块T ₁的触发信号与A相上桥臂第一个子模块的触发信号一致；辅助IGBT模块T ₂的触发信号与B相下桥臂第N个子模块的触发信号一致；在直交流能量转换的过程中，各个子模块交替投入、旁路，辅助IGBT模块T ₁、T ₂交替闭合、关断，A相上下桥臂子模块电容电压在箝位二极管的作用下，满足下列约束，U _{C­ 1}≥U _{C­ au_1}≥U _{C ­au_2}…≥U _{C ­au_N} ≥U _{C ­al_1}≥U _{C ­al_2}…≥U _{C­ al_N} ≥U _{C­ 3}；B相上下桥臂子模块电容电压在箝位二极管的作用下，满足下列约束，U _{C­ 2}≤U _{C­ bu_1}≤U _{C ­bu_2}…≤U _{C ­bu_N} ≤U _{C ­bl_1}≤U _{C­ bl_2}…≤U _{C ­bl_N} ≤U _{C­ 4}；依靠着辅助电容C ₁、C ₂电压之间，辅助电容C ₃、C ₄电压之间的两个不等式约束，U _{C­ 1}≤U _{C­ 2}，U _{C­ 3}≥U _{C­ 4}，A、B相上下桥臂的4N个子模块电容，C _{au_i} 、C _{al_i} 、C _{bu_i} 、C _{bl_i} ，其中i取值为1～N，以及辅助电容C ₁、C ₂、C ₃、C ₄，的电压处在自平衡状态，拓扑的A、B相间具备子模块电容电压自均衡能力；若拓扑中C相的构成形式与A相一致，则通过辅助电容C ₅、C ₆、C ₇、C ₈的作用，C、B相间电容电压的约束条件与A、B之间电容电压约束条件类似；若拓扑中C相的构成形式与B相一致，则通过辅助电容C ₅、C ₆、C ₇、C ₈的作用，A、C相间电容电压的约束条件与A、B之间电容电压约束条件类似。