CN205608469U - 基于热电储能系统的pwm控制与电压取样电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，包括：STC12C5620AD单片机；第一电阻器，一端连接所述单片机的RST端口；第一电容器，一端连接所述单片机的RST端口；并联的第二电容器及第三电容器，其一端接所述单片机的VCC端口并接VCC电压；第一SW‑PB开关，一端连接所述单片机的P1.6/ADC6接口；第二SW‑PB开关，一端连接所述单片机的P1.6/ADC5接口；第四电容器，一端连接所述单片机的XTAL2接口，另一端接地；第五电容器，一端连接所述单片机的XTAL1接口，另一端接地；以及晶体振荡器，一端连接所述单片机的XTAL2接口，另一端连接所述单片机的XTAL1接口。

Description

基于热电储能系统的 PWM 控制与电压取样电路

技术领域

本实用新型涉及一种基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路。

背景技术

热电材料是一种能将热能和电能相互转换的功能材料，1823年发现的塞贝克效应和1834年发现的帕尔帖效应为热电能量转换器和热电制冷的应用提供了理论依据。随着空间探索兴趣的增加、医用物理学的进展以及在地球难于日益增加的资源考察与探索活动，需要开发一类能够自身供能且无需照看的电源系统，热电发电对这些应用尤其合适。

利用自然界温差和工业废热均可用于热电发电，它能利用自然界存在的非污染能源，具有良好的综合社会效益。另外，利用热电材料制备的微型元件用于制备微型电源、微区冷却、光通信激光二极管和红外线传感器的调温系统，大大拓展了热电材料的应用领域。因此，热电材料是一种有着广泛应用前景的材料，在环境污染和能源危机日益严重的今天，进行新型热电材料的研究具有很强的现实意义和市场前景。

然而，现有技术并没有一种基于热电发电控制电路。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案为：

一种基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，包括：

STC12C5620AD单片机，

第一电阻器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的RST端口，另一端接地；

第一电容器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的RST端口，另一端接VCC电压；

并联的第二电容器及第三电容器，所述并联的第二电容器及所述第三电容器的一端接所述STC12C5620AD单片机的VCC端口并接VCC电压，另一端接地；

第一SW-PB开关，一端连接所述STC12C5620AD单片机的P1.6/ADC6接口；

第二SW-PB开关，一端连接所述STC12C5620AD单片机的P1.6/ADC5接口；

第四电容器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL2接口，另一端接地；

第五电容器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL1接口，另一端接地；以及

晶体振荡器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL2接口，另一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL1接口。

进一步的，所述第一电阻器的阻值分别为10kΩ。

进一步的，所述第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器以及第五电容器的电容量分别为10μF、10μF、0.1μF、18pF以及18pF。

进一步的，所述晶体振荡器的振荡频率为12MHz。

进一步的，所述STC12C5620AD单片机的P1.2/ADC2接口接输信号IN2。

进一步的，所述STC12C5620AD单片机的P1.1/ADC1接口接输信号IN1。

进一步的，所述STC12C5620AD单片机的P1.0/ADC2接口接输信号IN0。

进一步的，所述第一SW-PB开关及所述第二SW-PB开关的另一端接VCC电压。

本实用新型的有益效果为：本实用新型提供的热电PWM控制与电压取样电路通过电压取样模块对输入、输出电压实时采样，通过改变占空比保证负载或储能模块充电电压基本稳定，可以扩展热-电发电的应用。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路的结构示意图。

图2是本实用新型实施例提供的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路中的Boost变换模块与电流检测模块的电路图。

图3是本实用新型实施例提供的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路中的PWM控制模块以及所述电压取样模块的电路图。

图4是本实用新型实施例提供的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路中的稳压模块的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请一并参照图1，一种基于单一热-电槽的储能系统100，包括：热-电槽10、控制电路20以及储能模块30。

所述热-电槽包括热端11、冷端13以及设置于所述热端11和所述冷端13之间的热-电片12。所述热端11包括第一进水口112以及第一出水口114，所述冷端13包括第二进水口122以及第二出水口124。所述第一进水口112、所述第一出水口114、所述第二进水口122以及所述第二出水口124进一步包括电控阀门116/118/126/128，用于控制所述热端11或所述冷端13的热水或冷水的进出。

所述控制电路20包括Boost变换模块22、电流检测模块23、PWM控制模块21以及电压取样模块24。所述Boost变换模块22与所述热-电片12电连接。所述电流检测模块23用于获取所述Boost变换模块22的电流信息，所述电压取样模块24用于获取所述热-电槽10、所述储能模块30以及所述电流检测模块23的电压信息，并将所述电压信息传输给所述PWM控制模块21，所述PWM控制模块21根据所述电压信息控制所述Boost变换模块22向所述储能模块30充电。

请一并参照图2，所述Boost变换模块22与电流检测模块23集成设置包括：顺序连接的第一两端子连接器、第一子电路、第二子电路、第三子电路、第四子电路以及第二两端子连接器。

所述第一电路模块包括第一二极管D1、第一电阻器R1、第二电阻器R2、第三电阻器R3以及第三发光二极管D3，所述第一二极管D1的正极连接所述第一两端子连接器的第二端口，所述第一二极管D1的负极依次连接所述第一电阻器R1以及所述第三电阻器R3后接地，所述第一二极管D1的负极依次连接所述第二电阻器R2以及所述第三发光二极管D3的正极后接地。

所述第二子电路包括第一电感器L1、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2以及第二二极管D2，所述第一二极管D1的负极依次连接所述第四电阻R4、所述第二三极管Q2的集电极后通过所述第二三极管Q2的发射极接地，所述第一二极管D1的负极依次连接所述第一电感器L1、所述第一三极管Q1的发射极后通过所述第一三极管Q1的集电极接地，所述第二三极管Q2的集电极与所述第一三极管Q1的基极连接，所述第二二极管D2的正极与所述第一电感器L1及所述所述第一三极管Q1的发射极连接。

所述第三子电路包括第五电阻器R5、第六电阻器R6、第一电容器C1以及第七电阻器R7，所述第二二极管D2的负极依次连接所述第五电阻器R5、所述第六电阻器R6后接地，所述第一电容器C1的第一端与所述第二二极管D2的负极电连接，所述第一电容器C1的第二端接地，所述第七电阻器R7的第一端与所述第二二极管D2的负极电连接，所述第七电阻器R7的第二端接地。

所述第四子电路包括第八电阻器R8、第九电阻器R9、第十电阻器R10、第十一电阻器R11以及MAX472芯片，所述第二二极管D2的负极连接所述第八电阻器R8后与所述MAX472芯片的RG1端口连接，所述第二二极管D2的负极依次连接所述第九电阻器R9、所述第十电阻器R10后与所述MAX472芯片的RG2端口连接，所述MAX472芯片的OUT端口与所述第十一电阻器R11连接后接地，所述第二两端子连接器的第一端口连接于所述第九电阻器R9以及第十电阻器R10之间。

所述第一电阻器R1、第二电阻器R2、第三电阻器R3、第四电阻器R4、第五电阻器R5、第六电阻器R6、第七电阻器R7、第八电阻器R8、第九电阻器R9、第十电阻器R10以及第十一电阻器R11的阻值分别为160kΩ、1.5kΩ、80kΩ、80kΩ、240kΩ、80kΩ、10kΩ、100Ω、0.1Ω、100Ω以及20kΩ。所述第二三极管Q 2为NPN型三极管，所述第一三极管Q 1为PNP型三极管。所述第一电感器L1的电感量为2200μH。所述第一电容器C1的电容量为100nF。所述第二三极管Q2的基极连接脉冲宽度调制（PWM）。所述MAX472芯片的SHDN端口、NC端口以及GND端口接地。所述第一电阻器R1和第三电阻器R3之间输入信号IN0，所述第五电阻器R5和所述第六电阻器R6之间输入信号IN0，所述MAX472芯片的OUT端口和所述第十一电阻器R11之间输入信号IN2。所述第一两端子连接器的第一端口接地，所述第二两端子连接器的第二端口接地。所述MAX472芯片，其用于将电流信息转换为电压信息，再通过所述电压取样模块确定电流值。

请一并参照图3，所述PWM控制模块21以及所述电压取样模块24集成设置包括：STC12C5620AD单片机；第十二电阻器R12，一端连接所述STC12C5620AD单片机的RST端口，另一端接地；第二电容器C2，一端连接所述STC12C5620AD单片机的RST端口，另一端接VCC电压；并联的第三电容器C3及第四电容器C4，所述并联的第三电容器C3及第四电容器C4的一端接所述STC12C5620AD单片机的VCC端口并接VCC电压，另一端接地；第一SW-PB开关S1，一端连接所述STC12C5620AD单片机的P1.6/ADC6接口；第二SW-PB开关S2，一端连接所述STC12C5620AD单片机的P1.6/ADC5接口；第五电容器C5，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL2接口，另一端接地；第五六电容器C6，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL1接口，另一端接地；以及晶体振荡器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL2接口，另一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL1接口。

所述第十二电阻器的阻值分别为10kΩ。所述第二电容器C1、第三电容器C2、第四电容器C3、第五电容器C4以及第六电容器C5的电容量分别为10μF、10μF、0.1μF、18pF以及18pF。所述晶体振荡器的振荡频率为12MHz。所述STC12C5620AD单片机的P1.2/ADC2接口接输信号IN2。所述STC12C5620AD单片机的P1.1/ADC1接口接输信号IN1。所述STC12C5620AD单片机的P1.0/ADC2接口接输信号IN0。所述第一SW-PB开关S1及所述第二SW-PB开关S2的另一端接VCC电压。

所述控制电路20的输出电压范围3.5~7V。可以理解，当所述热-电槽10具有的热端11和冷端13具有较高温度差时，可以正常输出电压3.5~7V。随着热端11和冷端13的温度差下降到一定值时，其输出温度会低于小于第一阈值，如3.5V。此时，需要通过所述Boost变换模块进行升压后，然后稳压电路进行控制。请参照图4，所述稳压电路包括第六电容器C6、第七电容器 C7、第八电容器C8、第四二极管D4以及LM7805芯片。

为了保证所述热-电槽10的输出电压保持在一定范围内，需要对所述热端11和所述冷端13的温度进行控制。一种方法是：当所述输入电压小于第二阈值时，所述第一进水口112、所述第一出水口114、所述第二进水口122以及所述第二出水口124的电控阀门116/118/126/128同时打开分别在热端11和冷端13换入热水和冷水。另一种方法为：当所述输入电压小于第二阈值时，所述第二进水口122以及所述第二出水口124的电控阀门126/128同时打开在冷端13换入冷水，当所述冷端13换水结束后，所述第一进水口112和所述第一出水口114同时打开在热端11换入热水。优选的，由于温度的传感会有一定的时间差，故，优选，所述第二阈值大于所述第一阈值。所述第二阈值优选小于等于4.0V。更优选的，所述第二阈值优选大于等于3.6V且小于等于3.8V。所述储能系统100可进一步包括一按键25，用于输入所述第一阈值或所述第二阈值。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，其特征在于，包括：

STC12C5620AD单片机，

第一电阻器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的RST端口，另一端接地；

第一电容器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的RST端口，另一端接VCC电压；

并联的第二电容器及第三电容器，所述并联的第二电容器及所述第三电容器的一端接所述STC12C5620AD单片机的VCC端口并接VCC电压，另一端接地；

第一SW-PB开关，一端连接所述STC12C5620AD单片机的P1.6/ADC6接口；

第二SW-PB开关，一端连接所述STC12C5620AD单片机的P1.6/ADC5接口；

第四电容器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL2接口，另一端接地；

第五电容器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL1接口，另一端接地；以及

晶体振荡器，一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL2接口，另一端连接所述STC12C5620AD单片机的XTAL1接口。

2.根据权利要求1所述的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，其特征在于，所述第一电阻器的阻值分别为10kΩ。

3.根据权利要求1所述的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，其特征在于，所述第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器以及第五电容器的电容量分别为10μF、10μF、0.1μF、18pF以及18pF。

4.根据权利要求1所述的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，其特征在于，所述晶体振荡器的振荡频率为12MHz。

5.根据权利要求1所述的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，其特征在于，所述STC12C5620AD单片机的P1.2/ADC2接口接输信号IN2。

6.根据权利要求1所述的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，其特征在于，所述STC12C5620AD单片机的P1.1/ADC1接口接输信号IN1。

7.根据权利要求1所述的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，其特征在于，所述STC12C5620AD单片机的P1.0/ADC2接口接输信号IN0。

8.根据权利要求1所述的基于热电储能系统的PWM控制与电压取样电路，其特征在于，所述第一SW-PB开关及所述第二SW-PB开关的另一端接VCC电压。