CN205608166U - 一种磁场强度检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种磁场强度检测电路，包括传感器A、电阻R1、芯片IC1和电容C4，所述传感器A的一端连接电阻R2、电阻R8和电源VCC，传感器A的另一端连接电阻R1和芯片IC1的引脚3，电阻R1的另一端连接电阻R3、电阻R9、电容C4和电压表V，芯片IC1的引脚1连接电容C1和芯片IC1的引脚4，电容C1的另一端连接电容C2、电阻R4和芯片IC2的引脚1。本实用新型磁场强度检测电路结构简单、元器件少，利用磁阻传感器作为检测元件，并且对信号进行阻抗变换和两级放大，同时还能有效抑制跳变，通过变压器进行直观的读数，因此具有功能多样、精度高和使用方便的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种检测电路，具体是一种磁场强度检测电路。
背景技术
磁场强度在历史上最先由磁荷观点引出。类比于电荷的库仑定律，人们认为存在正负两种磁荷，并提出磁荷的库仑定律。单位正点磁荷在磁场中所受的力被称为磁场强度H。后来安培提出分子电流假说，认为并不存在磁荷，磁现象的本质是分子电流。自此磁场的强度多用磁感应强度B表示。但是在磁介质的磁化问题中，磁场强度H作为一个导出的辅助量仍然发挥着重要作用。
对于一些建筑、基站等，在选址和建设时磁场强度是重要的考虑参数，因此需要特定的仪器进行检测，现有的检测设备大多结构复杂，稳定性差，精度较低，因此有待于改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种磁场强度检测电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种磁场强度检测电路，包括传感器A、电阻R1、芯片IC1和电容C4，所述传感器A的一端连接电阻R2、电阻R8和电源VCC，传感器A的另一端连接电阻R1和芯片IC1的引脚3，电阻R1的另一端连接电阻R3、电阻R9、电容C4和电压表V，芯片IC1的引脚1连接电容C1和芯片IC1的引脚4，电容C1的另一端连接电容C2、电阻R4和芯片IC2的引脚1，芯片IC2的引脚3连接电容C4的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端和芯片IC3的引脚3，电阻R4的另一端连接电容C2的另一端、电容C3和芯片IC2的引脚4，电容C3的另一端连接电阻R5，电阻R5的另一端连接电容C5、电阻R6和芯片IC3的引脚1，电阻R6的另一端连接电容C5的另一端、电阻R7和芯片IC3的引脚4，电阻R7的另一端连接芯片IC4的引脚1，芯片IC4的引脚3连接电阻R8的另一端、电阻R9的另一端和电阻R10，电阻R10的另一端连接电压表V的另一端和芯片IC4的引脚4，所述芯片IC1、芯片IC2、芯片IC3和芯片IC4的型号均为LM321。
作为本实用新型的优选方案：所述传感器A为磁阻传感器。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型磁场强度检测电路结构简单、元器件少，利用磁阻传感器作为检测元件，并且对信号进行阻抗变换和两级放大，同时还能有效抑制跳变，通过变压器进行直观的读数，因此具有功能多样、精度高和使用方便的优点。
附图说明
图1为磁场强度检测电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，一种磁场强度检测电路，包括传感器A、电阻R1、芯片IC1和电容C4，所述传感器A的一端连接电阻R2、电阻R8和电源VCC，传感器A的另一端连接电阻R1和芯片IC1的引脚3，电阻R1的另一端连接电阻R3、电阻R9、电容C4和电压表V，芯片IC1的引脚1连接电容C1和芯片IC1的引脚4，电容C1的另一端连接电容C2、电阻R4和芯片IC2的引脚1，芯片IC2的引脚3连接电容C4的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端和芯片IC3的引脚3，电阻R4的另一端连接电容C2的另一端、电容C3和芯片IC2的引脚4，电容C3的另一端连接电阻R5，电阻R5的另一端连接电容C5、电阻R6和芯片IC3的引脚1，电阻R6的另一端连接电容C5的另一端、电阻R7和芯片IC3的引脚4，电阻R7的另一端连接芯片IC4的引脚1，芯片IC4的引脚3连接电阻R8的另一端、电阻R9的另一端和电阻R10，电阻R10的另一端连接电压表V的另一端和芯片IC4的引脚4，所述芯片IC1、芯片IC2、芯片IC3和芯片IC4的型号均为LM321。
传感器A为磁阻传感器。
本实用新型的工作原理是：电路中的A为磁阻传感器，信号处理电路由电压跟随器、两级放大电路、迟滞比较器组成，最终输出方波信号。因磁阻式传感器采集的信号较弱，故整个放大电路部分采用两级放大，电路中的芯片IC1接成电压跟随器，起到阻抗变换的作用，可以减小后续电路对磁阻元件的影响；IC2、IC3组成两级放大，IC2、IC3可以实现放大和滤波功能，滤掉电路以及环境中存在的低频和高频干扰，IC4为迟滞比较器，可以有效避免电路干扰引起的输出跳变，输出理想的脉冲信号。磁敏电阻采集到磁场强度信号后，通过跟随器进入两级放大电路进行放大，电路采用阻容耦合方式进行连接，可以消除低频信号对传感器的影响，抑制温漂，提高电路稳定性。电压放大倍数可通过设置电阻R4与R2，R6与R5的比值实现。利用迟滞比较器，引入了正反馈网络，大大提高系统的抗干扰能力，可有效避免汽车行驶过 程中由于路况恶劣产生的电磁干扰和错误输出。
Claims (2)
1.一种磁场强度检测电路，包括传感器A、电阻R1、芯片IC1和电容C4，其特征在于，所述传感器A的一端连接电阻R2、电阻R8和电源VCC，传感器A的另一端连接电阻R1和芯片IC1的引脚3，电阻R1的另一端连接电阻R3、电阻R9、电容C4和电压表V，芯片IC1的引脚1连接电容C1和芯片IC1的引脚4，电容C1的另一端连接电容C2、电阻R4和芯片IC2的引脚1，芯片IC2的引脚3连接电容C4的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端和芯片IC3的引脚3，电阻R4的另一端连接电容C2的另一端、电容C3和芯片IC2的引脚4，电容C3的另一端连接电阻R5，电阻R5的另一端连接电容C5、电阻R6和芯片IC3的引脚1，电阻R6的另一端连接电容C5的另一端、电阻R7和芯片IC3的引脚4，电阻R7的另一端连接芯片IC4的引脚1，芯片IC4的引脚3连接电阻R8的另一端、电阻R9的另一端和电阻R10，电阻R10的另一端连接电压表V的另一端和芯片IC4的引脚4，所述芯片IC1、芯片IC2、芯片IC3和芯片IC4的型号均为LM321。
2.根据权利要求1所述的一种磁场强度检测电路，其特征在于，所述传感器A为磁阻传感器。
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| CN201620344895.5U CN205608166U (zh) | 2016-04-24 | 2016-04-24 | 一种磁场强度检测电路 |
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| CN (1) | CN205608166U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106757846A (zh) * | 2016-12-14 | 2017-05-31 | 浙江众邦机电科技有限公司 | 一种底线检测系统 |
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2016
- 2016-04-24 CN CN201620344895.5U patent/CN205608166U/zh not_active Expired - Fee Related
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