CN205491340U - 单极可控硅大功率led驱动电路 - Google Patents

Abstract

单极可控硅大功率LED驱动电路，包括输入单元、型号为IW3605的控制芯片，其特征在于：还包括桥式整流器BR1、电阻R1至R25、电容C1至C15、薄膜电容CY1、电感L3、变压器T1、二极管TVS1、二极管D1至D4、MOS管Q1至Q3、三极管Q4至Q5、稳压管Z1至Z2；在浪涌电阻R3上面增加了ＭＯＳ驱动电路，驱动不接调光器的情况下，输出二极管的纹波电压会让MOS处于常开状态，短路浪涌电阻，降低浪涌电阻的功耗，在浪涌测试和调光状态的时候，会使MOS处于关闭状态，大电流走浪涌电阻，保证调光效果和抗浪涌效果。

Description

单极可控硅大功率LED驱动电路

技术领域

本实用新型涉及LED 驱动电路技术领域，尤其涉及一种单极可控硅大功率LED驱动电路。

技术背景

用于调光的LED 驱动电路在LED 照明产业中具有关键性作用，随着技术演进，目前的用于调光的LED 驱动电路一般多采用芯片作为控制单元的设计方案，这类方案具有电路简单、性能优良的特点，但是光有好的芯片还是不够的，构成完整电路所需要的围绕芯片的外围电路设计非常重要。

目前现有的方案，为了调光效果和浪涌，需要设定浪涌电阻的阻值。输入功率的上升会带动输入电流的上升，在浪涌电阻上面的功耗增加，造成温度的上升和效率下降。在大功率的情况下，无法保证效率，原有的设计为了保证调光效果，需要一路bleeder电路，在每个调光周期对PI型电路上放电，消耗额外的功率，因此，在这方面还需要进一步研究。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺陷，提供一种保证调光效果和抗浪涌效果的单极可控硅大功率LED驱动电路，本实用新型采用如下的技术方案。

单极可控硅大功率LED驱动电路，包括输入单元、型号为IW3605的控制芯片，其特征在于：还包括桥式整流器BR1、电阻R1至R25、电容C1至C15、薄膜电容CY1、电感L3、变压器T1、二极管TVS1、二极管D1至D4、MOS管Q1至Q3、三极管Q4至Q5、稳压管Z1至Z2。

MOS管Q2的漏极、电阻R3的一端、电阻R5的一端、二极管TVS1的一端均与桥式整流器BR1的正极连接；电阻R25的一端、电容C15的一端、电阻R9的一端、三极管Q5的发射极均与MOS管Q2的栅极连接；电阻R3的一端、电容C1的一端、电感L3电阻R2并联的一端、电阻R25的另一端、电容C15的另一端、三极管Q5的集电极、稳压管Z2的正极均与MOS管Q2的源极连接；电阻R9的另一端、三极管Q5的基极、电阻R4的一端均与稳压管Z2的负极连接；二极管TVS1的另一端、电容C1的另一端、电容C2的一端、电容C3电阻R21串联后的电阻端均与桥式整流器BR1的负极连接；电容C3电阻R21串联后的电容端、电感L3电阻R2并联的另一端、电容C2的另一端、电阻R7的一端、电容C4的一端、电阻R10、R11的一端、薄膜电容CY1的一端均连接到变压器T1输入绕组一次侧的一端；电阻R7的另一端串联电阻R8后连接到MOS管Q3的漏极；电阻R4另一端、电容C4的另一端、电阻R10、R11的另一端均连接到二极管D1的负极；二极管D1的正极、MOS管Q1的漏极均连接到变压器T1输入绕组一次侧的另一端；二极管D1的正极、电阻R14的另一端、电阻R15的一端均连接到MOS管Q1的栅极；电阻R15的另一端、电阻R16的另一端、电阻R17、R18、R1的一端均连接到MOS管Q1的源极；电阻R12的一端、二极管D2的负极、电容C11的一端连接在一起；二极管D2的正极、电容C11的另一端、R20的一端连接到变压器T1输入绕组二次侧的一端；电容C14的一端、二极管D3的正极连接到变压器T1输出绕组的一端；电容C14的另一端和电阻R24、R23串联；R23的另一端、二极管D3的负极、电容C12、C13的一端、电阻R22的一端均连接到电路输出端正极；变压器T1输出绕组的另一端、电容C12、C13的另一端、电阻R22的另一端均连接到电路输出端负极且接地；电阻R5的另一端串联电阻R6后和电容C6的一端、MOS管Q3的栅极均连接到控制芯片的第2引脚；电容C7的一端、电阻R19的一端、R20的另一端均连接到控制芯片的第4引脚；电容C8的一端、电阻R16的一端均连接到控制芯片的第5引脚；二极管D1的负极、电阻R14的一端均连接到控制芯片的第6引脚；电容C9、C10的一端、稳压管Z1的正极、电容C5的一端均连接到控制芯片的第7引脚；MOS管Q3的源极、电容C9、C10的另一端、三极管Q4的发射极均连接到控制芯片的第8引脚；三极管Q4的基极、电阻R13的一端均连接到稳压管Z1的负极；电阻R13的另一端、电阻R12的另一端、电容C5的另一端均连接到三极管Q4的集电极；薄膜电容CY1、电容C6、电容C7、电阻R19、电容C8、电阻R17、R18、电阻R1的另一端以及变压器T1输入绕组二次侧的另一端均接地。

进一步地，输入单元包括自恢复保险丝F1、电感L1、电感L2；自恢复保险丝F1一端与交流电L端连接，自恢复保险丝F1另一端与电感L1连接，电感L1连接电感L2、电感L2接入桥式整流器BR1的交流接入端。

进一步地，所述二极管TVS1为瞬态抑制二极管。

进一步地，所述三极管Q4为NPN型三极管，所述三极管Q5为PNP型三极管。

进一步地，所述电感L1、电感L2均为共模电感。

实施本实用新型的有益效果在于：在浪涌电阻R3上面增加了ＭＯＳ驱动电路，驱动不接调光器的情况下，输出二极管的纹波电压会让MOS处于常开状态，短路浪涌电阻，降低浪涌电阻的功耗，在浪涌测试和调光状态的时候，会使MOS处于关闭状态，大电流走浪涌电阻，保证调光效果和抗浪涌效果，同时电路删除了bleeder电路，简化了电路和节省了成本。

附图说明

附图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

单极可控硅大功率LED驱动电路，包括输入单元、型号为IW3605的控制芯片，其特征在于：还包括桥式整流器BR1、电阻R1至R25、电容C1至C15、薄膜电容CY1、电感L3、变压器T1、二极管TVS1、二极管D1至D4、MOS管Q1至Q3、三极管Q4至Q5、稳压管Z1至Z2。

MOS管Q2的漏极、电阻R3的一端、电阻R5的一端、二极管TVS1的一端均与桥式整流器BR1的正极连接；电阻R25的一端、电容C15的一端、电阻R9的一端、三极管Q5的发射极均与MOS管Q2的栅极连接；电阻R3的一端、电容C1的一端、电感L3电阻R2并联的一端、电阻R25的另一端、电容C15的另一端、三极管Q5的集电极、稳压管Z2的正极均与MOS管Q2的源极连接；电阻R9的另一端、三极管Q5的基极、电阻R4的一端均与稳压管Z2的负极连接；二极管TVS1的另一端、电容C1的另一端、电容C2的一端、电容C3电阻R21串联后的电阻端均与桥式整流器BR1的负极连接；电容C3电阻R21串联后的电容端、电感L3电阻R2并联的另一端、电容C2的另一端、电阻R7的一端、电容C4的一端、电阻R10、R11的一端、薄膜电容CY1的一端均连接到变压器T1输入绕组一次侧的一端；电阻R7的另一端串联电阻R8后连接到MOS管Q3的漏极；电阻R4另一端、电容C4的另一端、电阻R10、R11的另一端均连接到二极管D1的负极；二极管D1的正极、MOS管Q1的漏极均连接到变压器T1输入绕组一次侧的另一端；二极管D1的正极、电阻R14的另一端、电阻R15的一端均连接到MOS管Q1的栅极；电阻R15的另一端、电阻R16的另一端、电阻R17、R18、R1的一端均连接到MOS管Q1的源极；电阻R12的一端、二极管D2的负极、电容C11的一端连接在一起；二极管D2的正极、电容C11的另一端、R20的一端连接到变压器T1输入绕组二次侧的一端；电容C14的一端、二极管D3的正极连接到变压器T1输出绕组的一端；电容C14的另一端和电阻R24、R23串联；R23的另一端、二极管D3的负极、电容C12、C13的一端、电阻R22的一端均连接到电路输出端正极；变压器T1输出绕组的另一端、电容C12、C13的另一端、电阻R22的另一端均连接到电路输出端负极且接地；电阻R5的另一端串联电阻R6后和电容C6的一端、MOS管Q3的栅极均连接到控制芯片的第2引脚；电容C7的一端、电阻R19的一端、R20的另一端均连接到控制芯片的第4引脚；电容C8的一端、电阻R16的一端均连接到控制芯片的第5引脚；二极管D1的负极、电阻R14的一端均连接到控制芯片的第6引脚；电容C9、C10的一端、稳压管Z1的正极、电容C5的一端均连接到控制芯片的第7引脚；MOS管Q3的源极、电容C9、C10的另一端、三极管Q4的发射极均连接到控制芯片的第8引脚；三极管Q4的基极、电阻R13的一端均连接到稳压管Z1的负极；电阻R13的另一端、电阻R12的另一端、电容C5的另一端均连接到三极管Q4的集电极；薄膜电容CY1、电容C6、电容C7、电阻R19、电容C8、电阻R17、R18、电阻R1的另一端以及变压器T1输入绕组二次侧的另一端均接地。

进一步地，输入单元包括自恢复保险丝F1、电感L1、电感L2；自恢复保险丝F1一端与交流电L端连接，自恢复保险丝F1另一端与电感L1连接，电感L1连接电感L2、电感L2接入桥式整流器BR1的交流接入端。

进一步地，所述二极管TVS1为瞬态抑制二极管。

进一步地，所述三极管Q4为NPN型三极管，所述三极管Q5为PNP型三极管。

进一步地，所述电感L1、电感L2均为共模电感。

所述型号为IW3605的控制芯片为市售，各引脚的具体定义和功能就不加赘述。

驱动没有增加调光器的时候，当整个电路反馈建立起来，输出电压上升到一定阈值的时候，通过分压电阻和电容充电并最终被钳位到稳压管电压(15V ~ 18V)，Vgs>Vth（on），Q2管导通，使得R3电阻短路，在浪涌状态的时候，瞬间的高电压使得Q5导通，对C15放电，使得Q2关闭，R3不再被短路，重新并入电路中，电流在电阻上产生大压降，这时起到抗浪涌的作用，在前切调光状态的时候，每一个调光周期都会有低压到高压的跃迁，瞬间的高电压使得Q5导通，对C15放电，使得Q2关闭，R3不再被短路，重新并入电路中，增加调光效果。

以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。

Claims (5)

1.单极可控硅大功率LED驱动电路，包括输入单元、型号为IW3605的控制芯片，其特征在于：还包括桥式整流器BR1、电阻R1至R25、电容C1至C15、薄膜电容CY1、电感L3、变压器T1、二极管TVS1、二极管D1至D4、MOS管Q1至Q3、三极管Q4至Q5、稳压管Z1至Z2；

MOS管Q2的漏极、电阻R3的一端、电阻R5的一端、二极管TVS1的一端均与桥式整流器BR1的正极连接；电阻R25的一端、电容C15的一端、电阻R9的一端、三极管Q5的发射极均与MOS管Q2的栅极连接；电阻R3的一端、电容C1的一端、电感L3电阻R2并联的一端、电阻R25的另一端、电容C15的另一端、三极管Q5的集电极、稳压管Z2的正极均与MOS管Q2的源极连接；电阻R9的另一端、三极管Q5的基极、电阻R4的一端均与稳压管Z2的负极连接；二极管TVS1的另一端、电容C1的另一端、电容C2的一端、电容C3电阻R21串联后的电阻端均与桥式整流器BR1的负极连接；电容C3电阻R21串联后的电容端、电感L3电阻R2并联的另一端、电容C2的另一端、电阻R7的一端、电容C4的一端、电阻R10、R11的一端、薄膜电容CY1的一端均连接到变压器T1输入绕组一次侧的一端；电阻R7的另一端串联电阻R8后连接到MOS管Q3的漏极；电阻R4另一端、电容C4的另一端、电阻R10、R11的另一端均连接到二极管D1的负极；二极管D1的正极、MOS管Q1的漏极均连接到变压器T1输入绕组一次侧的另一端；二极管D1的正极、电阻R14的另一端、电阻R15的一端均连接到MOS管Q1的栅极；电阻R15的另一端、电阻R16的另一端、电阻R17、R18、R1的一端均连接到MOS管Q1的源极；电阻R12的一端、二极管D2的负极、电容C11的一端连接在一起；二极管D2的正极、电容C11的另一端、R20的一端连接到变压器T1输入绕组二次侧的一端；电容C14的一端、二极管D3的正极连接到变压器T1输出绕组的一端；电容C14的另一端和电阻R24、R23串联；R23的另一端、二极管D3的负极、电容C12、C13的一端、电阻R22的一端均连接到电路输出端正极；变压器T1输出绕组的另一端、电容C12、C13的另一端、电阻R22的另一端均连接到电路输出端负极且接地；

电阻R5的另一端串联电阻R6后和电容C6的一端、MOS管Q3的栅极均连接到控制芯片的第2引脚；电容C7的一端、电阻R19的一端、R20的另一端均连接到控制芯片的第4引脚；电容C8的一端、电阻R16的一端均连接到控制芯片的第5引脚；二极管D1的负极、电阻R14的一端均连接到控制芯片的第6引脚；电容C9、C10的一端、稳压管Z1的正极、电容C5的一端均连接到控制芯片的第7引脚；MOS管Q3的源极、电容C9、C10的另一端、三极管Q4的发射极均连接到控制芯片的第8引脚；三极管Q4的基极、电阻R13的一端均连接到稳压管Z1的负极；电阻R13的另一端、电阻R12的另一端、电容C5的另一端均连接到三极管Q4的集电极；

薄膜电容CY1、电容C6、电容C7、电阻R19、电容C8、电阻R17、R18、电阻R1的另一端以及变压器T1输入绕组二次侧的另一端均接地。

2.根据权利要求1所述的单极可控硅大功率LED驱动电路，其特征在于：输入单元包括自恢复保险丝F1、电感L1、电感L2；自恢复保险丝F1一端与交流电L端连接，自恢复保险丝F1另一端与电感L1连接，电感L1连接电感L2、电感L2接入桥式整流器BR1的交流接入端。

3.根据权利要求1所述的单极可控硅大功率LED驱动电路，其特征在于：所述二极管TVS1为瞬态抑制二极管。

4.根据权利要求1所述的单极可控硅大功率LED驱动电路，其特征在于：所述三极管Q4为NPN型三极管，所述三极管Q5为PNP型三极管。

5.根据权利要求2所述的单极可控硅大功率LED驱动电路，其特征在于：所述电感L1、电感L2均为共模电感。