CN205439438U - 一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，包括从上至下依次设置的第一铜导电漆层、第一玻璃基层、隔音胶片层、中空铝条层、第二玻璃基层、防潮层、Low-E低辐射节能玻璃层、第二铜导电漆层；所述Low-E低辐射节能玻璃层包括从下到上依次设置的第三玻璃基层、第二Si3N4膜层、第三AZO膜层、第四Cu膜层、第五NiCr膜层、第六AZO膜层、第七Si3N4膜层、第八AZO膜层、第九Ag膜层、第十NiCr膜层、第十一TiO2膜层、第十二SiNx膜层和第十三Sic膜层。本实用新型的有益效果是：通过设置第一铜导电漆层和第二铜导电漆层，能有效防止电磁波穿透玻璃，从而有效降低电磁辐射污染；设置防潮层，使本产品具有防潮的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及玻璃领域，具体是涉及一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃。
背景技术
玻璃在当代的生产和生活中扮演着重要角色，其应用十分的广泛，如玻璃窗、玻璃制装饰品、玻璃制器皿、车载玻璃、玻璃幕墙等。随着玻璃应用范围的不断扩大，市场需求量也在不断增大，关于新型玻璃材料的开发已成为业内的发展趋势。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃。
本实用新型采用的技术方案为：一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，包括从上至下依次设置的第一铜导电漆层、第一玻璃基层、隔音胶片层、中空铝条层、第二玻璃基层、防潮层、Low-E低辐射节能玻璃层、第二铜导电漆层；所述Low-E低辐射节能玻璃层包括从下到上依次设置的第三玻璃基层、第二Si3N4膜层、第三AZO膜层、第四Cu膜层、第五NiCr膜层、第六AZO膜层、第七Si3N4膜层、第八AZO膜层、第九Ag膜层、第十NiCr膜层、第十一TiO2膜层、第十二SiNx膜层和第十三Sic膜层。
进一步，所述第一铜导电漆层的厚度为20-25mm；所述第二铜导电漆层的厚度为20-25mm。
进一步，所述隔音胶片层为透明隔音胶片，其厚度为0.5-2mm。
进一步，所述中空铝条层的厚度为5-30mm。
进一步，所述第二Si3N4膜层和第七Si3N4膜层的厚度均为10-30nm；所述第三AZO膜层、第六AZO膜层和第八AZO膜层的厚度均为10-20nm；所述第四Cu膜层的厚度为2-10nm；所述第五NiCr膜层和第十NiCr膜层的厚度均为0.5-20nm；所述第九Ag膜层的厚度为2-15nm；所述第十三Sic膜层的厚度为25-50nm；所述第十一TiO2膜层的厚度为10-25nm；所述第十二SiNx膜层的厚度为15-25nm。
进一步，所述防潮层的厚度为0.5-2nm。
本实用新型的有益效果是：通过设置第一铜导电漆层和第二铜导电漆层，能有效防止电磁波穿透玻璃，从而有效降低电磁辐射污染；设置防潮层，使本产品具有防潮的效果。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是Low-E低辐射节能玻璃层的结构示意图。
图中：第一铜导电漆层1、第一玻璃基层2、隔音胶片层3、中空铝条层4、第二玻璃基层5、防潮层6、Low-E低辐射节能玻璃层7、第二铜导电漆层8、第三玻璃基层10、第二Si3N4膜层11、第三AZO膜层12、第四Cu膜层13、第五NiCr膜层14、第六AZO膜层15、第七Si3N4膜层16、第八AZO膜层17、第九Ag膜层18、第十NiCr膜层19、第十一TiO2膜层20、第十二SiNx膜层21和第十三Sic膜层22。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型的技术方案进行说明。
参照图1和图2所示，一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，包括从上至下依次设置的第一铜导电漆层1、第一玻璃基层2、隔音胶片层3、中空铝条层4、第二玻璃基层5、防潮层6、Low-E低辐射节能玻璃层7、第二铜导电漆层8。通过设置第一铜导电漆层1和第二铜导电漆层8，能有效防止电磁波穿透玻璃，从而有效降低电磁辐射污染。
所述第一铜导电漆层1的厚度为20-25mm；所述第二铜导电漆层8的厚度为20-25mm。所述隔音胶片层3为透明隔音胶片，其厚度为0.5-2mm。所述中空铝条层4的厚度为5-30mm。所述防潮层的厚度为0.5-2nm。
所述Low-E低辐射节能玻璃层包括从下到上依次设置的第三玻璃基层10、第二Si3N4膜层11、第三AZO膜层12、第四Cu膜层13、第五NiCr膜层14、第六AZO膜层15、第七Si3N4膜层16、第八AZO膜层17、第九Ag膜层18、第十NiCr膜层19、第十一TiO2膜层20、第十二SiNx膜层21和第十三Sic膜层22。所述第二Si3N4膜层11和第七Si3N4膜层16的厚度均为10-30nm；所述第三AZO膜12层、第六AZO膜层15和第八AZO膜层17的厚度均为10-20nm；所述第四Cu膜层13的厚度为2-10nm；所述第五NiCr膜层14和第十NiCr膜层19的厚度均为0.5-20nm；所述第九Ag膜层18的厚度为2-15nm；所述第十三Sic膜层22的厚度为25-50nm；所述第十一TiO2膜层20的厚度为10-25nm；所述第十二SiNx膜层21的厚度为15-25nm。
上述实施例仅是显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
Claims (6)
1.一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，其特征在于：包括从上至下依次设置的第一铜导电漆层、第一玻璃基层、隔音胶片层、中空铝条层、第二玻璃基层、防潮层、Low-E低辐射节能玻璃层、第二铜导电漆层；所述Low-E低辐射节能玻璃层包括从下到上依次设置的第三玻璃基层、第二Si3N4膜层、第三AZO膜层、第四Cu膜层、第五NiCr膜层、第六AZO膜层、第七Si3N4膜层、第八AZO膜层、第九Ag膜层、第十NiCr膜层、第十一TiO2膜层、第十二SiNx膜层和第十三Sic膜层。
2.根据权利要求1所述的一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，其特征在于：所述第一铜导电漆层的厚度为20-25mm；所述第二铜导电漆层的厚度为20-25mm。
3.根据权利要求1所述的一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，其特征在于：所述隔音胶片层为透明隔音胶片，其厚度为0.5-2mm。
4.根据权利要求1所述的一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，其特征在于：所述中空铝条层的厚度为5-30mm。
5.根据权利要求1所述的一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，其特征在于：所述第二Si3N4膜层和第七Si3N4膜层的厚度均为10-30nm；所述第三AZO膜层、第六AZO膜层和第八AZO膜层的厚度均为10-20nm；所述第四Cu膜层的厚度为2-10nm；所述第五NiCr膜层和第十NiCr膜层的厚度均为0.5-20nm；所述第九Ag膜层的厚度为2-15nm；所述第十三Sic膜层的厚度为25-50nm；所述第十一TiO2膜层的厚度为10-25nm；所述第十二SiNx膜层的厚度为15-25nm。
6.根据权利要求1所述的一种能有效降低电磁辐射污染的Low-E玻璃，其特征在于：所述防潮层的厚度为0.5-2nm。
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