CN205404819U - 一种电子磁谱仪 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电子磁谱仪，包括：电子入射系统、磁铁、接收装置和壳体；电子入射系统对粒子束进行筛选；磁铁设置在电子入射系统的电子出射口处，用于产生均匀磁场；接收装置设置在磁铁的电子出射口处，用于接收探测电子，接收装置为IP板或CCD。壳体设置在电子入射系统、磁铁和接收装置外侧，支撑固定电子入射系统、磁铁和接收装置，屏蔽高能电子及射线。本实用新型提出的电子磁谱仪，能够应用于不同的等离子体环境测量，对电子能量和产额的测量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电子磁谱仪。
背景技术
电子磁谱仪的分辨率不随能量变化而是一个常数，因此在低能区域仍能保持良好分辨率，而其它谱仪则将很快变差。在结构上谱仪还能有效地对强的γ射线进行屏蔽，从而最大限度的消除其干扰。磁谱仪作为强场物理实验中一个有力的电子直接测量工具，已被各实验室应用，并取得了一些成果。与高能电子测量法及硬X射线测量等间接方法相比，有直接、准确等许多优越性。
因为磁谱仪的偏转范围一旦加工确定，那么磁谱仪在一定的磁感应强度的限制下只能对一定的电子能段进行测量，可测的最大能量和最小能量之比与偏转范围成之比。所以在设计谱仪之前，一定要明确所测量的电子范围。此外，还要注意靶室的空间尺寸，可以合适的放置谱仪和谱仪的支架，以便合理的利用靶室内有限的空间。另一点就是对谱仪的屏蔽，特别是γ，X射线等，防止这些射线对实验结果造成一定的影响。
实用新型内容
本实用新型的目的是提出一种电子磁谱仪，采用了磁场来实现电子偏转，从而区分出电子能量分布。
本实用新型的一种电子磁谱仪包括：
电子入射系统，对粒子束进行筛选，选出预定能量电子；
磁铁，设置在所述电子入射系统的电子出射口处，用于产生磁场；
接收装置，设置在所述磁铁的电子出射口处，用于接收探测电子；
壳体，设置在所述电子入射系统、磁铁和接收装置外侧，支撑固定所述电子入射系统、磁铁和接收装置，屏蔽高能电子及射线。
优选地，所述电子入射系统包括：
辅助光阑，设置在粒子束入口处；
成形光阑，设置在沿电子传输的方向上所述辅助光阑的下游；
屏蔽筒，设置在所述辅助光阑和成形光阑之间。
优选地，所述电子入射系统还包括电极，设置在所述辅助光阑粒子束入口处。
优选地，所述磁铁为永久性磁铁—铷铁硼，所述永久性磁铁为两块，对立平行放置，用于产生均匀磁场。
优选地，所述接收装置为IP板或CCD。
优选地，所述接收装置的位置根据预定能量电子从所述磁铁偏转的方向而定。
本实用新型的优点在于：
1)结构简单、造价低廉；
2)采用均匀磁场的永磁铁，容易测得很准，因此保证了对电子能量的绝对测量；
3)最重要的是这种谱仪对不同能量的电子聚焦后焦点位置处于同一平面上，在此处安排记录系统就相当于一台多道电子谱仪。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为了使本装置的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进行详细说明。
本实用新型提供了如附图1所示的一种电子磁谱仪，包括：电子入射系统1、磁铁2、接收装置3和壳体4；电子入射系统1对粒子束进行筛选；磁铁2设置在电子入射系统1的电子出射口处，用于产生均匀磁场；接收装置3设置在磁铁2的电子出射口处，用于接收探测电子，接收装置为IP板或CCD。壳体4设置在电子入射系统1、磁铁2和接收装置3外侧，支撑固定电子入射系统1、磁铁2和接收装置3，屏蔽高能电子及射线。
电子入射系统1包括：辅助光阑11设置在粒子束入口处；成形光阑12设置在沿电子传输的方向上辅助光阑11的下游；屏蔽筒13设置在辅助光阑11和成形光阑12之间。
磁铁2为永久性磁铁—铷铁硼，永久性磁铁为两块，对立平行放置，用于产生均匀磁场。当高能电子通过两块磁铁2之间的均匀磁场后，电子感受磁场力而发生偏转。不同能量的电子偏转的角度不同，对应到电子接收装置上的位置也不相同。因此，接收装置的位置根据预定能量电子从所述磁铁偏转的方向而定。
本实用新型的电子入射系统还可以包括电极14，设置在辅助光阑11粒子束入口处，可以根据谱仪预设的测量范围对初始电子进行初步筛选。并且通过调节磁铁产生磁场的大小，及具体接收装置的位置来预定此电子磁谱仪诊断电子能量的范围。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种电子磁谱仪，其特征在于，包括：
电子入射系统，对粒子束进行筛选，选出预定能量电子；
磁铁，设置在所述电子入射系统的电子出射口处，用于产生磁场；
接收装置，设置在所述磁铁的电子出射口处，用于接收探测电子；
壳体，设置在所述电子入射系统、磁铁和接收装置外侧，支撑固定所述电子入射系统、磁铁和接收装置，屏蔽高能电子及射线。
2.根据权利要求1所述的电子磁谱仪，其特征在于，所述电子入射系统包括：
辅助光阑，设置在粒子束入口处；
成形光阑，设置在沿电子传输的方向上所述辅助光阑的下游；
屏蔽筒，设置在所述辅助光阑和成形光阑之间。
3.根据权利要求2所述的电子磁谱仪，其特征在于，所述电子入射系统还包括电极，设置在所述辅助光阑粒子束入口处。
4.根据权利要求1所述的电子磁谱仪，其特征在于，所述磁铁为永久性磁铁—铷铁硼，所述永久性磁铁为两块，对立平行放置，用于产生均匀磁场。
5.根据权利要求1所述的电子磁谱仪，其特征在于，所述接收装置为IP板或CCD。
6.根据权利要求5所述的电子磁谱仪，其特征在于，所述接收装置的位置根据预定能量电子从所述磁铁偏转的方向而定。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620139439.7U CN205404819U (zh) | 2016-02-24 | 2016-02-24 | 一种电子磁谱仪 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201620139439.7U CN205404819U (zh) | 2016-02-24 | 2016-02-24 | 一种电子磁谱仪 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205404819U true CN205404819U (zh) | 2016-07-27 |
Family
ID=56447046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620139439.7U Active CN205404819U (zh) | 2016-02-24 | 2016-02-24 | 一种电子磁谱仪 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN205404819U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107121693A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-09-01 | 上海交通大学 | 基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪 |
| CN111596342A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种同时测量带电粒子的能量和角度的方法及磁谱仪 |
| CN114486961A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-13 | 上海交通大学 | 多能段易操控超快电子衍射装置 |
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2016
- 2016-02-24 CN CN201620139439.7U patent/CN205404819U/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107121693A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-09-01 | 上海交通大学 | 基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪 |
| CN107121693B (zh) * | 2017-03-09 | 2019-11-19 | 上海交通大学 | 基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪 |
| CN111596342A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种同时测量带电粒子的能量和角度的方法及磁谱仪 |
| CN111596342B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-04-15 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种同时测量带电粒子的能量和角度的方法及磁谱仪 |
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