CN205335292U - 一种薄膜多色发光装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种薄膜多色发光装置，包括柔性透明壳体，所述柔性透明壳体两端设置有金属片，所述柔性透明壳体内设置有对称半导体薄膜，所述对称半导体薄膜上分别设置有N型半导体、P型半导体，所述N型半导体、P型半导体设置于填充区内。本实用新型结构简单、制造成本低廉，可实现不同颜色的发光，色彩更加均匀、柔和。

Description

一种薄膜多色发光装置

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及一种薄膜多色发光装置。

背景技术

LED是发光二极管，是20世纪中期发展起来的新技术。它依靠半导体异质结中的电子通过势垒产生的能量迁越直接发光。通过LED制作的灯具由于发光过程不产生热量，能量转换效率接近百分之百，寿命超长，是照明技术的不断发展方向。

随着生活物质文化的提高，对照明灯的艺术性、美观性、潮流性提出更高要求。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、制造成本低廉，可实现不同颜色的发光，色彩更加均匀、柔和的半导体发光装置。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种薄膜多色发光装置，包括柔性透明壳体，所述柔性透明壳体两端设置有金属片，所述柔性透明壳体内设置有对称半导体薄膜，所述对称半导体薄膜上分别设置有N型半导体、P型半导体，所述N型半导体、P型半导体设置于填充区内。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述金属片上设置有引线一、引线二，用于外接电源的连接，给发光装置提供激发动力。

进一步，所述对称半导体薄膜为多孔二氧化钛薄膜，所述多孔二氧化钛薄膜波段辐射较广，容易产生激发电子与空穴对，并激发N型半导体、P型半导体产生PN结效应。

进一步，所述填充区两侧分别设置有散热片一、散热片二，所述散热片一、散热片二用于发光装置的散热，以避免装置工作过程中因高温造成内部器件的损坏。

进一步，所述填充区中设置有荧光粉体，所述N型半导体、P型半导体构建成有序电场，使得对称半导体薄膜中的电子、空穴对发生高速分离，并与荧光粉体碰撞，实现发光，根据粉体及输入电压的不同，可实现不同颜色的发光。

本实用新型的有益效果是：结构简单、制造成本低廉，可实现不同颜色的发光，色彩更加均匀、柔和。

附图说明

图1为本实用新型一种薄膜多色发光装置结构示意图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：1、柔性透明壳体，2、金属片，3、引线一，4、引线二，5、对称半导体薄膜，6、散热片一，7、散热片二，8、N型半导体，9、P型半导体，10、填充区。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，一种薄膜多色发光装置，包括柔性透明壳体1，所述柔性透明壳体1两端设置有金属片2，所述柔性透明壳体1内设置有对称半导体薄膜5，所述对称半导体薄膜5上分别设置有N型半导体8、P型半导体9，所述N型半导体8、P型半导体9设置于填充区10内。

所述金属片2上设置有引线一3、引线二4，用于外接电源的连接，给发光装置提供激发动力。所述对称半导体薄膜5为多孔二氧化钛薄膜，所述多孔二氧化钛薄膜波段辐射较广，容易产生激发电子与空穴对，并激发N型半导体8、P型半导体9产生PN结效应。所述填充区10两侧分别设置有散热片一6、散热片二7，所述散热片一6、散热片二7用于发光装置的散热，以避免装置工作过程中因高温造成内部器件的损坏。所述填充区10中设置有荧光粉体，所述N型半导体8、P型半导体9构建成有序电场，使得对称半导体薄膜5中的电子、空穴对发生高速分离，并与荧光粉体碰撞，实现发光，根据粉体及输入电压的不同，可实现不同颜色的发光。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种薄膜多色发光装置，其特征在于，包括柔性透明壳体，所述柔性透明壳体两端设置有金属片，所述柔性透明壳体内设置有对称半导体薄膜，所述对称半导体薄膜上分别设置有N型半导体、P型半导体，所述N型半导体、P型半导体设置于填充区内。

2.根据权利要求1所述一种薄膜多色发光装置，其特征在于，所述金属片上设置有引线一、引线二。

3.根据权利要求1所述一种薄膜多色发光装置，其特征在于，所述对称半导体薄膜为多孔二氧化钛薄膜。

4.根据权利要求1所述一种薄膜多色发光装置，其特征在于，所述填充区两侧分别设置有散热片一、散热片二。

5.根据权利要求1所述一种薄膜多色发光装置，其特征在于，所述填充区中设置有荧光粉体。