CN205320041U - 2g到4g宽带固定增益放大器模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种2G到4G宽带固定增益放大器模块，包括射频信号输入接口P1、射频晶体管Q1、射频信号输出接口P2和外接电源接口P3，射频晶体管Q1的基极通过电容C1与射频信号输入接口P1的一个引脚相接，且通过电容C2接地，射频晶体管Q1的集电极通过电阻R2与外接电源接口P3的用于连接外接电源正极的第1引脚相接，外接电源接口P3的用于连接外接电源负极的第2引脚接地，射频晶体管Q1的发射极接地，射频信号输出接口P2的一个引脚与射频晶体管Q1的集电极相接，且通过电阻R1与射频晶体管Q1的基极相接。本实用新型电路结构简单，实现方便且成本低，工作可靠性高，实用性强，能够广泛应用到各类微波仪器设备中。
Description
技术领域
本实用新型属于射频电路技术领域，具体涉及一种2G到4G宽带固定增益放大器模块。
背景技术
放大器是射频与微波系统中最基本和广泛应用的微波电路功能单元，现在的放大器基本采用各类晶体管器件，如Si、SiGe、BJT、GaSa、HBT等器件。微波晶体管放大器可靠度高，容易集成在混合和单片电路中；微波放大器的设计通常采用S参数设计，利用二端口网络模型进行分析设计；高精度固定增益放大器广泛应用到微波测试设备中，但是，现有技术中还缺乏电路结构简单、设计合理、实现方便且成本低、工作可靠性高、应用范围广的2G到4G宽带固定增益放大器模块。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种2G到4G宽带固定增益放大器模块，其电路结构简单，设计合理，实现方便且成本低，工作可靠性高，应用范围广，实用性强，能够广泛应用到各类微波仪器设备中。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种2G到4G宽带固定增益放大器模块，其特征在于：包括射频信号输入接口P1、射频晶体管Q1、射频信号输出接口P2和外接电源接口P3，所述射频信号输入接口P1、射频信号输出接口P2和外接电源接口P3均为具有两个引脚的接口，所述射频晶体管Q1的基极通过电容C1与射频信号输入接口P1的一个引脚相接，且通过电容C2接地，所述射频信号输入接口P1的另一个引脚接地，所述射频晶体管Q1的集电极通过电阻R2与外接电源接口P3的用于连接外接电源正极的第1引脚相接，所述外接电源接口P3的用于连接外接电源负极的第2引脚接地，所述射频晶体管Q1的发射极接地，所述射频信号输出接口P2的一个引脚与射频晶体管Q1的集电极相接，且通过电阻R1与射频晶体管Q1的基极相接，所述射频信号输出接口P2的另一个引脚接地。
上述的2G到4G宽带固定增益放大器模块，其特征在于：所述外接电源接口P3的第1引脚还通过并联的电容C3和电容C4接地。
上述的2G到4G宽带固定增益放大器模块，其特征在于：所述电容C1、电容C2、电容C3和电容C4均为非极性电容。
上述的2G到4G宽带固定增益放大器模块，其特征在于：所述射频晶体管Q1的型号为AT41410。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点：
1、本实用新型的电路结构简单，设计合理，实现方便且成本低。
2、本实用新型电容C1和电容C2构成了输入匹配电路，电阻R1和电阻R2构成了射频晶体管Q1的偏置电路，电容C3和电容C4构成了电源退耦电路，工作可靠性高。
3、本实用新型的应用范围广，实用性强，能够广泛应用到各类微波仪器设备中。
综上所述，本实用新型的电路结构简单，设计合理，实现方便且成本低，工作可靠性高，应用范围广，实用性强，能够广泛应用到各类微波仪器设备中。
下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型包括射频信号输入接口P1、射频晶体管Q1、射频信号输出接口P2和外接电源接口P3，所述射频信号输入接口P1、射频信号输出接口P2和外接电源接口P3均为具有两个引脚的接口，所述射频晶体管Q1的基极通过电容C1与射频信号输入接口P1的一个引脚相接，且通过电容C2接地，所述射频信号输入接口P1的另一个引脚接地，所述射频晶体管Q1的集电极通过电阻R2与外接电源接口P3的用于连接外接电源正极的第1引脚相接，所述外接电源接口P3的用于连接外接电源负极的第2引脚接地，所述射频晶体管Q1的发射极接地，所述射频信号输出接口P2的一个引脚与射频晶体管Q1的集电极相接，且通过电阻R1与射频晶体管Q1的基极相接，所述射频信号输出接口P2的另一个引脚接地。
如图1所示，本实施例中，所述外接电源接口P3的第1引脚还通过并联的电容C3和电容C4接地。
本实施例中，所述电容C1、电容C2、电容C3和电容C4均为非极性电容。
本实施例中，所述射频晶体管Q1的型号为AT41410。
本实用新型采用了安捷伦公司的型号为AT41410的射频晶体管Q1设计了固定增益放大器，固定增益为7.5dB，精度为0.2dB，偏置电流为10mA，射频晶体管Q1的基射电压为8V，电容C1和电容C2构成了输入匹配电路，电阻R1和电阻R2构成了射频晶体管Q1的偏置电路，电容C3和电容C4构成了电源退耦电路，工作可靠性高，实用性强，能够广泛应用到各类微波仪器设备中。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何限制，凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。
Claims (4)
1.一种2G到4G宽带固定增益放大器模块，其特征在于：包括射频信号输入接口P1、射频晶体管Q1、射频信号输出接口P2和外接电源接口P3，所述射频信号输入接口P1、射频信号输出接口P2和外接电源接口P3均为具有两个引脚的接口，所述射频晶体管Q1的基极通过电容C1与射频信号输入接口P1的一个引脚相接，且通过电容C2接地，所述射频信号输入接口P1的另一个引脚接地，所述射频晶体管Q1的集电极通过电阻R2与外接电源接口P3的用于连接外接电源正极的第1引脚相接，所述外接电源接口P3的用于连接外接电源负极的第2引脚接地，所述射频晶体管Q1的发射极接地，所述射频信号输出接口P2的一个引脚与射频晶体管Q1的集电极相接，且通过电阻R1与射频晶体管Q1的基极相接，所述射频信号输出接口P2的另一个引脚接地。
2.按照权利要求1所述的2G到4G宽带固定增益放大器模块，其特征在于：所述外接电源接口P3的第1引脚还通过并联的电容C3和电容C4接地。
3.按照权利要求2所述的2G到4G宽带固定增益放大器模块，其特征在于：所述电容C1、电容C2、电容C3和电容C4均为非极性电容。
4.按照权利要求1所述的2G到4G宽带固定增益放大器模块，其特征在于：所述射频晶体管Q1的型号为AT41410。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201620044736.3U CN205320041U (zh) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 2g到4g宽带固定增益放大器模块 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115567017A (zh) * | 2021-07-02 | 2023-01-03 | 苏州华太电子技术股份有限公司 | 一种基于高压非线性功率元件的射频电路 |
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2016
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| CN115567017A (zh) * | 2021-07-02 | 2023-01-03 | 苏州华太电子技术股份有限公司 | 一种基于高压非线性功率元件的射频电路 |
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