CN205281504U - 一种自毁电路和保密设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种自毁电路和保密设备，所述自毁电路包括：自毁电源、光敏电阻、升压开关模块以及升压模块；其中，所述光敏电阻的第一端与所述自毁电源的输出端电性连接，第二端与所述升压开关模块的控制端电性连接，用于根据所述光敏电阻的阻值变化控制所述升压开关模块的导通与关断；所述升压开关模块的输入端与所述自毁电源的输出端电性连接，所述升压开关模块的输出端与所述升压模块的输入端电性连接，用于控制所述升压模块的开启与关闭，以实现在非法拆机时，自动将与其连接的设备烧毁的效果。

Description

一种自毁电路和保密设备

技术领域

本实用新型实施例涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种自毁电路和保密设备。

背景技术

随着电子科技的不断发展，电子设备以及数据等的安全保护问题也日益突出。例如电子设备厂商不希望自己研发的手机、电脑、芯片等核心部件被破解被山寨。一些机构也不希望存储的机密文件和数据被盗取。因此，数据存储类、各种精密仪器设备，以及集成电路芯片等的安全和保密需求越来越迫切。

现有的安全保密措施一般是在机器的后壳上设置导电橡胶，将电路的触点闭合，整个电路在未拆机时正常工作，当非法拆机后，导电橡胶和触点分立，数据断电丢失。现有的这种机械式触发很容易被破解，并且容易出现出发不良的情况，导致安全保密的失败。

实用新型内容

本实用新型提供一种自毁电路和保密设备，以实现在非法拆机时，自动将与其连接的设备烧毁的效果。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种自毁电路，包括：自毁电源、光敏电阻、升压开关模块以及升压模块；

其中，所述光敏电阻的第一端与所述自毁电源的输出端电性连接，第二端与所述升压开关模块的控制端电性连接，用于根据所述光敏电阻的阻值变化控制所述升压开关模块的导通与关断；所述升压开关模块的输入端与所述自毁电源的输出端电性连接，所述升压开关模块的输出端与所述升压模块的输入端电性连接，用于控制所述升压模块的开启与关闭。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种保密设备，包括：第一方面所述的自毁电路，以及保密装置；

其中，所述自毁电路的所述升压模块的输出端与所述保密装置的输入端电性连接，所述升压模块用于在开启时将所述保密装置烧毁。

本实用新型提供的自毁电路以及保密设备，通过光敏电阻的阻值的变化判断是否存在非法拆解设备时，进而控制自毁电路的导通与关断，从而达到烧毁后端电路或装置的目的。本实用新型提供的自毁电路可适用于保密性要求高的产品，能够自动实现在非法拆机时将与其连接的设备烧毁的效果。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种自毁电路的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的又一种自毁电路的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的又一种自毁电路的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的又一种自毁电路的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种保密设备的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

本实用新型实施例提供一种自毁电路，图1为本实用新型实施例提供的一种自毁电路的结构示意图，如图1所示，所述自毁电路包括自毁电源11、光敏电阻12、升压开关模块13以及升压模块14；其中，所述光敏电阻12的第一端与所述自毁电源11的输出端电性连接，第二端与所述升压开关模块13的控制端电性连接，用于根据所述光敏电阻12的阻值变化控制所述升压开关模块13的导通与关断；所述升压开关模块13的输入端与所述自毁电源11的输出端电性连接，所述升压开关模块13的输出端与所述升压模块14的输入端电性连接，用于控制所述升压模块14的开启与关闭。

本实用新型实施例通过在自毁电路中设置光敏电阻12，未拆机时，光敏电阻12的阻值较大，升压开关模块13关断，升压模块14关闭，后端电路或设备正常工作。拆机后，光敏电阻12接受光线照射，阻值减小，升压开关模块13导通，由于升压开关模块13的输出端与所述升压模块14的输入端电性连接，进而升压模块14开启，升压模块14开启后，从而达到烧毁后端电路或设备的目的。本实用新型提供的自毁电路可适用于保密性要求高的产品，能够自动实现在非法拆机时将与其连接的设备烧毁的效果。避免他人窃取保密数据，或者破解后端电路或设备的核心部件。进一步的，所述升压模块14的输出端与保密装置15的输入端电性连接，所述升压模块14用于在开启时将所述保密装置15烧毁。所述升压模块14中例如可以包括放大电路等，将输入端接收的电压信号放大并输出，当升压模块14的输出电压大于后端电路或设备的工作电压时，可以将后端电路或设备烧毁。所述保密装置15例如可以是存储装置等。

图2为本实用新型实施例提供的又一种自毁电路的结构示意图，如图2所示，与图1不同的是，控制开关模块13包括：三极管Q1和P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSQ2；其中，三极管Q1的基极为升压开关模块13的控制端，集电极分别与自毁电源11的输出端以及PMOSQ2的栅极电性连接，发射极接地；PMOSQ2的源极为升压开关模块13的输入端，漏极为升压开关模块13的输出端。

下面详细介绍图2所示自毁电路的工作原理：自毁电源11为自毁电路供电，当拆机后，光敏电阻12在有光的情况下，阻值变小(例如变为10K)，三极管Q1导通，将PMOSQ2的栅极电压拉低，PMOSQ2导通，升压模块14开启并开始工作，进而可以向后续连接的电路或电子元器件等输出电流，使后续连接的电路或电子元器件烧毁，达到自动实现在非法拆机时将与其连接的设备烧毁的效果。未拆机的情况，光敏电阻12在无光状态下，呈现的电阻值比较大，三极管Q1截止，PMOSQ2的栅极为高电平，处于断开状态，升压模块14关闭不工作，因此后端电路或设备可正常工作。进一步的，所述自毁电路还包括：第一上拉电阻R1，所述第一上拉电阻R1的第一端与所述自毁电源11的输出端电性连接，第二端与所述PMOSQ2的栅极电性连接。这样设置的好处是，在未拆机的情况下，第一上拉电阻R1将PMOSQ2的栅极电压上拉，防止PMOSQ2在未拆机的情况下导通，避免后端电路或设备的误烧毁。

在上述实施例的基础上，可选的，所述自毁电路还包括：第一下拉电阻R2，所述第一下拉电阻R2的第一端与所述三极管Q1的基极电性连接，第二端接地。

这样设置的好处是，在未拆机的情况下，第一下拉电阻R2将三极管Q1的基极电压下拉，防止三极管Q1在未拆机的情况下导通，避免后端电路或设备的误烧毁。

在上述实施例的基础上，可选的，所述升压模块14还包括：至少一个第一滤波电容，示例性的，图2设置2个第一滤波电容，分别为第一滤波电容C1和C2。所述第一滤波电容C1以及第一滤波电容C2的第一端与所述升压开关模块13的输出端电性连接，第二端接地。

在上述实施例的基础上，可选的，所述升压模块14包括：

升压芯片U1、第一反馈电阻R3、第二反馈电阻R4、第二上拉电阻R5，以及储能电感L1；所述升压芯片U1的输入端与所述升压开关模块13的输出端电性连接，控制端与第二上拉电阻R5的第一端电性连接，反馈端分别与所述第一反馈电阻R3的第一端以及第二反馈电阻R4的第一端电性连接，输出端与所述保密装置15的输入端电性连接；所述第一反馈电阻R3的第二端与所述保密装置15的输入端电性连接；所述第二反馈电阻R4的第二端接地；所述第二上拉电阻R5的第二端与所述升压开关模块13的输出端电性连接；所述储能电感L1的第一端与所述升压芯片U1的输入端电性连接，第二端与所述升压芯片U1的输出端电性连接。当升压开关模块13导通时，向升压芯片U1的输入端输入电压信号，升压芯片U1的控制端在第二上拉电阻R5的上拉作用下，变为高电平，升压芯片U1开启工作，储能电感L1配合所述升压芯片U1使所述升压芯片U1的输出端的输出电压信号抬高。根据后端连接的保密装置15的工作电压，设置相应的第一反馈电阻R3以及第二反馈电阻R4的阻值，使升压模块14的输出端输出电压大于后端连接的保密装置15的工作电压，从而达到在拆机后将所述保密装置15烧毁的目的。

在上述实施例的基础上，可选的，所述升压模块还包括至少一个第二滤波电容，图2示例性的设置2个第二滤波电容，分别为第二滤波电容C3和C4。所述第二滤波电容C3和第二滤波电容C4的第一端与所述保密装置15的输入端电性连接，第二端接地。

本实用新型实施例优选与工作电压范围为2.7V-3.6V的保密装置15连接，设置第一上拉电阻R1的阻值为100K，第一下拉电阻R2的阻值为10K，第一反馈电阻R3的阻值为150K，第二反馈电阻R4的阻值为10K，第二上拉电阻R5的阻值为10K，第一滤波电容C1为10uF，和第一滤波电容C2为0.1uF，第二上拉电阻R5为10K，第二滤波电容C3为4.7uF，第二滤波电容C4为0.1uF。相应的升压模块14输出端输出电压为10V，大于保密装置15的工作电压，可以在升压模块14开启时将保密装置15烧毁。在升压模块14关闭时，由外部电源VCC为所述保密装置15提供工作电压，正常工作。

在上述实施例的基础上，可选的，所述升压模块14还包括续流二极管D1，所述续流二极管D1的阳极与所述升压芯片U1的输出端电性连接，阴极与所述保密装置15的输入端电性连接。这样设置的好处是可以使自毁电路向后端连接的电路、元器件或设备输出稳定的电压或电流信号。

图3为本实用新型实施例提供的又一种自毁电路的结构示意图，与图2不同的是，图3所示自毁电路的所述升压开关模块13包括：一N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSQ3以及第二下拉电阻R6，所述NMOSQ3的栅极分别与所述光敏电阻12的第二端以及第二下拉电阻R6的第一端电性连接，漏极为所述升压开关模块13的输入端，源极为所述升压开关模块13的输出端；所述第二下拉电阻R6的第二端接地。需要说明的是，图3提供的自毁电路与图2所示自毁电路之间有诸多相同之处，其相同之处在图3中任沿用图2所用附图标记，相同之处在此不再赘述。

下面详细介绍图3所示自毁电路的工作原理：自毁电源11为自毁电路供电，当拆机后，光敏电阻12在有光的情况下，阻值变小(例如变为10K)，NMOSQ3的栅极电压为高电平，NMOSQ3导通，向升压模块14输入电压信号，升压模块14开启并开始工作，进而可以向后续连接的电路或电子元器件等输出电流，使后续连接的电路或电子元器件烧毁，达到自动实现在非法拆机时将与其连接的设备烧毁的效果。未拆机的情况，光敏电阻12在无光状态下，呈现的电阻值比较大，第二下拉电阻R6将NMOSQ3的栅极电压拉低，NMOSQ3截止，升压模块14关闭不工作，因此后端电路或设备可正常工作。

图4为本实用新型实施例提供的又一种自毁电路的结构示意图，与图2不同的是，图4所示自毁电路还包括：直流电源插座16，所述直流电源插座16包括正极引脚161、负极动态引脚162以及负极静态引脚163，其中，所述负极动态引脚162第一端与所述三极管131的发射极电性连接，第二端与所述负极静态引脚163电性连接；所述直流电源插座16用于在插头插入时，断开所述负极动态引脚162第二端与所述负极静态引脚163的电性连接，将所述三极管Q1的发射极悬空。需要说明的是，图4提供的自毁电路为图2所示自毁电路基础上的机一部优化，二者具有诸多相同之处，其相同之处在图4中任沿用图2所用附图标记，相同之处在此不再赘述。

图4所示的直流电源插座16，在未插入插头时，所述负极动态引脚162第二端与所述负极静态引脚163的电性连接，相当于接地；当插入插头时，断开所述负极动态引脚162第二端与所述负极静态引脚163的电性连接，所述三极管Q1的发射极悬空，此时，即使拆机导致光敏电阻12的阻值减小，PMOSQ2的栅极电压也会保持高电平，PMOSQ2除以截止状态，升压模块14关闭不工作，后端连接的电路、元器件或者设备等均不会烧毁。这样设置的好处是，当用户想要正常维修，需要拆机但并不像烧坏后端连接的电路、元器件或设备等时，可以通过在直流电源插座中插入插头，在不烧坏后端电路、元器件或设备等的情况下，进行正常的拆机维修。

本实用新型实施例还提供一种保密设备，图5为本实用新型实施例提供的一种保密设备的结构示意图，如图5所述，所述保密设备包括：上自毁电路21以及保密装置22。其中所述自毁电路21为上述各实施例所述的自毁电路。所述自毁电路21的升压模块的输出端与所述保密装置22的输入端电性连接，所述自毁电路21的升压模块用于在开启时将所述保密装置22烧毁。需要说明的是，所述保密装置22例如可以是集成芯片、精密仪器设备以及电子设备等。优选的，所述保密装置22为存储装置。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (13)

1.一种自毁电路，其特征在于，包括：

自毁电源、光敏电阻、升压开关模块以及升压模块；

其中，所述光敏电阻的第一端与所述自毁电源的输出端电性连接，第二端与所述升压开关模块的控制端电性连接，用于根据所述光敏电阻的阻值变化控制所述升压开关模块的导通与关断；所述升压开关模块的输入端与所述自毁电源的输出端电性连接，所述升压开关模块的输出端与所述升压模块的输入端电性连接，用于控制所述升压模块的开启与关闭。

2.根据权利要求1所述的自毁电路，其特征在于，所述升压开关模块包括：

一三极管和一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS；

其中，所述三极管的基极为所述升压开关模块的控制端，集电极分别与所述自毁电源的输出端以及所述PMOS的栅极电性连接，发射极接地；所述PMOS的源极为所述升压开关模块的输入端，漏极为所述升压开关模块的输出端。

3.根据权利要求2所述的自毁电路，其特征在于，还包括：

直流电源插座，所述直流电源插座包括正极引脚、负极动态引脚以及负极静态引脚，其中，所述负极动态引脚第一端与所述三极管的发射极电性连接，第二端与所述负极静态引脚电性连接；所述直流电源插座用于在插头插入时，断开所述负极动态引脚第二端与所述负极静态引脚的电性连接，将所述三极管的发射极悬空。

4.根据权利要求2所述的自毁电路，其特征在于，还包括：第一上拉电阻，所述第一上拉电阻的第一端与所述自毁电源的输出端电性连接，第二端与所述PMOS的栅极电性连接。

5.根据权利要求2所述的自毁电路，其特征在于，还包括：第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的第一端与所述三极管的基极电性连接，第二端接地。

6.根据权利要求1所述的自毁电路，其特征在于，所述升压开关模块包括：

一N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS以及第二下拉电阻，所述NMOS的栅极分别与所述光敏电阻的第二端以及第二下拉电阻的第一端电性连接，漏极为所述升压开关模块的输入端，源极为所述升压开关模块的输出端；所述第二下拉电阻的第二端接地。

7.根据权利要求1-6中任一所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块还包括至少一个第一滤波电容，所述第一滤波电容的第一端与所述升压开关模块的输出端电性连接，第二端接地。

8.根据权利要求1-6中任一所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块的输出端与保密装置的输入端电性连接，所述升压模块用于在开启时将所述保密装置烧毁。

9.根据权利要求8所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块包括：

升压芯片、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第二上拉电阻，以及储能电感；

所述升压芯片的输入端与所述升压开关模块的输出端电性连接，控制端与第二上拉电阻的第一端电性连接，反馈端分别与所述第一反馈电阻的第一端以及第二反馈电阻的第一端电性连接，输出端与所述保密装置的输入端电性连接；

所述第一反馈电阻的第二端与所述保密装置的输入端电性连接；

所述第二反馈电阻的第二端接地；

所述第二上拉电阻的第二端与所述升压开关模块的输出端电性连接；

所述储能电感的第一端与所述升压芯片的输入端电性连接，第二端与所述升压芯片的输出端电性连接。

10.根据权利要求8所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块还包括至少一个第二滤波电容，所述第二滤波电容的第一端与所述保密装置的输入端电性连接，第二端接地。

11.根据权利要求9所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块还包括续流二极管，所述续流二极管的阳极与所述升压芯片的输出端电性连接，阴极与所述保密装置的输入端电性连接。

12.一种保密设备，其特征在于，包括：权利要求1-11中任一所述的自毁电路，以及保密装置；

其中，所述自毁电路的所述升压模块的输出端与所述保密装置的输入端电性连接，所述升压模块用于在开启时将所述保密装置烧毁。

13.根据权利要求12所述的保密设备，其特征在于，所述保密装置为存储装置。