CN205265630U - 一种双面集成级联放大电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及通信技术领域，尤其涉及一种双面集成级联放大电路。本实用新型针对现有技术存在的问题，提供一种放大电路，通过使用双面集成方式，将两个低噪声放大器焊接在印制板的两面，选用小封装器件，使得整个低噪声放大器体积减小；同时采用四层板，使低噪声放大器的接地良好。射频信号经过介质滤波器进入第一低噪声放大器中，经过过孔，射频信号进入第二级低噪声放大器中，经放大后输出。本实用新型所述前置滤波器一端、第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元依次连接，第二低噪声放大器输出端与馈电网络输入端、馈电网络输出端分别与第一低噪声放大单元电源端、第二低噪声放大单元电源端连接。

Description

一种双面集成级联放大电路

技术领域

本实用新型涉及通信技术领域，尤其涉及一种双面集成级联放大电路。

背景技术

现有设计中，采用低噪声放大器进行信号放大，但是由于低噪声放大器大多采用单面集成的方式，设计的低噪声放大器的体积大，成本高，实现复杂；进一步的，由于低噪声放大器大多采用单级放大的方式，大部分低噪声放大器指标不够好，噪声大，增益低，回波损耗大；最后由于噪声大，增益低，回波损耗大，导致在通信系统中，不能有效地提取有用信号，系统性能差。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有技术存在的问题，提供一种双面集成级联放大电路。本装置使用双面集成方式，将两个低噪声放大器焊接在印制板的两面，选用小封装器件，使得整个低噪声放大器体积减小。同时采用四层板，使低噪声放大器的接地良好。射频信号经过介质滤波器进入第一低噪声放大器中，经过过孔，射频信号进入第二级低噪声放大器中，经放大后输出。介质滤波器和第二级低噪声放大器焊接在印制板顶层，第一级低噪声放大器和馈电网络电路焊接在印制板底层。（因为介质滤是直插式器件，为了保证射频输出端口在印制板顶层，所以选择第一级噪声放大器和馈电网络电路放置于底层，而介质滤波器和第二级噪声放大器放置于顶层）。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种双面集成级联放大电路包括前置滤波器、第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元以及馈电网络，所述前置滤波器一端、第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元依次连接，第二低噪声放大器输出端与馈电网络输入端、馈电网络输出端分别与第一低噪声放大单元电源端、第二低噪声放大单元电源端连接，前置滤波器另一端作为射频输入端；第二低噪声放大器输出端作为射频输出端。

进一步的，所述前置滤波器包括前置电容以及介质滤波器，所述前置电容一端作为射频信号输入端，前置电容另一端与介质滤波器输入端连接，介质滤波器输出端与第一低噪声放大单元输入端连接。

进一步的，所述第一低噪声放大单元包括第一隔直电容、第一耦合电感以及第一低噪声放大器；第一隔直电容一端作为第一低噪声放大单元输入端；所述第一隔直电容输出端、第一耦合电感与第一低噪声放大器输入端连接；第一低噪声放大器输出端与第二低噪声放大单元输入端连接；第一低噪声放大器电源端与馈电网络输出端连接。

进一步的，所述第二低噪声放大单元包括第二隔直电容、第二耦合电感、第二低噪声放大器以及第三隔直电容；所述第一低噪声放大器输出端依次通过第二隔直电容、第二耦合电感与第二低噪声放大器输入端连接；第二低噪声放大器输出端通过第三隔直电容与射频输出端连接；第二低噪声放大器电源端与馈电网络输出端连接。

进一步的，所述介质滤波器和第二级低噪声放大器焊接在印制板顶层，第一级低噪声放大器和馈电网络电路焊接在印制板底层；印制板使用4层板，顶层印制板和底层印制板厚度为0.3mm，介电常数为3.48，中间两层厚度共为0.4mm，介电常数为4.6。

进一步的，所述馈电网络包括直流电源、分压电阻、第一馈电电感、第二馈电电感、第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容、第四滤波电容；所述直流电源与分压电阻一端、第一滤波电容一端、第二滤波电容一端、第一馈电电感一端共点连接；第一馈电电感另一端、第三滤波电容一端。第二低噪声放大器电源端共点连接；第一滤波电容另一端、第二滤波电容另一端以及第三滤波电容另一端接地；分压电阻另一端通过第二馈电电感与第一低噪声放大器电源端、第四滤波电容一端连接、第四滤波电容另一开端接地。

进一步的，所述第一低噪声放大器及第二低噪声放大器频率范围2492MHz±5MHz，增益达到24dB，噪声小于1.4，输入输出驻波比均小于1.5。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是:

本实用新型使用双面集成方式，将放大器的元器件焊接在印制板的两面，选用小封装器件，使得整个低噪声放大器体积减小。同时采用四层板，使低噪声放大器的接地良好。

本实用新型通过双面分别集成两个低噪声放大器，使两个低噪声放大器级联，滤波器滤除干扰信号，抑制带外信号，在固定频段内，实现高增益，低噪声的目的。

射频信号经过介质滤波器进入第一级低噪声放大器中，经过过孔，射频信号进入第二级低噪声放大器中，经放大后输出。介质滤波器和第二级低噪声放大器焊接在印制板顶层，第一级低噪声放大器和馈电网络电路焊接在印制板底层。

附图说明

本实用新型将通过例子并参照附图的方式说明，其中：

图1是本装置原理框图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本装置相关说明：

1、第一低噪声放大器U2电源端指的是第一低噪声放大器第二端口以及第一低噪声放大器第六端口；用于给低噪声放大器供电。第一低噪声放大器U2第五端口输入射频信号；第一低噪声放大器第三端口作为输出端，用于输出射频信号；第一低噪声放大器第一端口以及第四端口接地；第二低噪声放大器与第一低噪声放大器端口相同。

2、介质滤波器第一端口是输入端口，用于输入射频信号；介质滤波器第二端口是输出端，用于输出射频信号；介质滤波器第三端口是接地端。

实施例一：

本装置包括前置滤波器、第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元以及馈电网络，所述前置滤波器一端、第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元依次连接，第二低噪声放大器输出端与馈电网络输入端、馈电网络输出端分别与第一低噪声放大单元电源端、第二低噪声放大单元电源端连接，前置滤波器另一端作为射频输入端；第二低噪声放大器输出端作为射频输出端。

其中，前置滤波器包括前置电容C1以及介质滤波器U1，所述前置电容C1一端作为射频信号输入端（如图1中RFin端口），前置电容C1另一端与介质滤波器U1输入端连接，介质滤波器U1输出端与第一低噪声放大单元输入端连接。

进一步的，所述第一低噪声放大单元包括第一隔直电容C2、第一耦合电感L1以及第一低噪声放大器U2；第一隔直电容一端作为第一低噪声放大单元输入端；所述第一隔直电容输出端、第一耦合电感与第一低噪声放大器输入端连接；第一低噪声放大器输出端与第二低噪声放大单元输入端连接；第一低噪声放大器电源端与馈电网络输出端连接。

进一步的，所述第二低噪声放大单元包括第二隔直电容C3、第二耦合电感L2、第二低噪声放大器U3以及第三隔直电容C8；所述第一低噪声放大器输出端依次通过第二隔直电容、第二耦合电感与第二低噪声放大器输入端连接；第二低噪声放大器输出端通过第三隔直电容与射频输出端（图1中RFout端口）连接；第二低噪声放大器电源端与馈电网络输出端连接。

进一步的，所述第一低噪声放大器与第二低噪声放大器对应分别印制在印制板顶层或印制板底层；

进一步的，所述馈电网络包括直流电源、分压电阻R1、第一馈电电感L3、第二馈电电感L4、第一滤波电容C4、第二滤波电容C5、第三滤波电容C6以及第四滤波电容C7；所述直流电源与分压电阻一端、第一滤波电容一端、第二滤波电容一端、第一馈电电感一端共点连接；第一馈电电感另一端、第三滤波电容一端。第二低噪声放大器电源端共点连接；第一滤波电容另一端、第二滤波电容另一端以及第三滤波电容另一端接地；分压电阻另一端通过第二馈电电感与第一低噪声放大器电源端、第四滤波电容一端连接、第四滤波电容另一开端接地。

本实用新型的双面集成级联低噪声放大器，使用双面集成方式，将放大器的元器件焊接在印制板的两面，选用小封装器件，使得整个低噪声放大器体积减小。同时采用四层板，使低噪声放大器的接地良好。

图1中射频信号经放大器U2输出后通过过孔，进入第二级放大器中。

本说明书中公开的所有特征，除了互相排斥的特征以外，均可以以任何方式组合。

本说明书（包括任何附加权利要求、摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

Claims (7)

1.一种双面集成级联放大电路，其特征在于包括前置滤波器、第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元以及馈电网络，所述前置滤波器一端、第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元依次连接，第二低噪声放大器输出端与馈电网络输入端、馈电网络输出端分别与第一低噪声放大单元电源端、第二低噪声放大单元电源端连接，前置滤波器另一端作为射频输入端；第二低噪声放大器输出端作为射频输出端。

2.根据权利要求1所述的一种双面集成级联放大电路，其特征在于前置滤波器包括前置电容以及介质滤波器，所述前置电容一端作为射频信号输入端，前置电容另一端与介质滤波器输入端连接，介质滤波器输出端与第一低噪声放大单元输入端连接。

3.根据权利要求2所述的一种双面集成级联放大电路，其特征在于所述第一低噪声放大单元包括第一隔直电容、第一耦合电感以及第一低噪声放大器；第一隔直电容一端作为第一低噪声放大单元输入端；所述第一隔直电容输出端、第一耦合电感与第一低噪声放大器输入端连接；第一低噪声放大器输出端与第二低噪声放大单元输入端连接；第一低噪声放大器电源端与馈电网络输出端连接。

4.根据权利要求3所述的一种双面集成级联放大电路，其特征在于所述第二低噪声放大单元包括第二隔直电容、第二耦合电感、第二低噪声放大器以及第三隔直电容；所述第一低噪声放大器输出端依次通过第二隔直电容、第二耦合电感与第二低噪声放大器输入端连接；第二低噪声放大器输出端通过第三隔直电容与射频输出端连接；第二低噪声放大器电源端与馈电网络输出端连接。

5.根据权利要求3所述的一种双面集成级联放大电路，其特征在于所述介质滤波器和第二级低噪声放大器焊接在印制板顶层，第一级低噪声放大器和馈电网络电路焊接在印制板底层；印制板使用4层板，顶层印制板和底层印制板厚度为0.3mm，介电常数为3.48，中间两层厚度共为0.4mm，介电常数为4.6。

6.根据权利要求2所述的一种双面集成级联放大电路，其特征在于所述馈电网络包括直流电源、分压电阻、第一馈电电感、第二馈电电感、第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容以及第四滤波电容；所述直流电源与分压电阻一端、第一滤波电容一端、第二滤波电容一端、第一馈电电感一端共点连接；第一馈电电感另一端、第三滤波电容一端；

第二低噪声放大器电源端共点连接；第一滤波电容另一端、第二滤波电容另一端以及第三滤波电容另一端接地；分压电阻另一端通过第二馈电电感与第一低噪声放大器电源端、第四滤波电容一端连接、第四滤波电容另一开端接地。

7.根据权利要求4、5或6所述的一种双面集成级联放大电路，其特征在于所述第一低噪声放大器及第二低噪声放大器频率范围2492MHz±5MHz，增益达到24dB，噪声小于1.4，输入输出驻波比均小于1.5。