CN205188483U - 硅片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种硅片，其特征在于：包括硅片本体，所述的硅片本体呈圆柱状，所述的硅片本体上设有圆形凹槽，所述的圆形凹槽的直径与硅片本体的直径比值为0.8，所述的圆形凹槽的圆周面与硅片本体的圆周面距离为0.3cm；本实用新型在于：此结构设计保证了硅片在安装过程中时，由于表面为圆形面，就算碰撞外物，也不会使硅片缺角或破裂现象发生，整体强度较强，保证了使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硅片。
背景技术
目前，现有的硅片在安装过程中，难免会与外物碰撞，导致硅片缺角或破裂，强度较差，降低了使用寿命，另一方面，硅片安装于设备中，容易松动，导致设备运行不正常。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种强度较强及能牢固的安装于设备中的硅片。
本实用新型的技术方案是这样实现的：一种硅片，其特征在于：包括硅片本体，所述的硅片本体呈圆柱状，所述的硅片本体上设有圆形凹槽，所述的圆形凹槽的直径与硅片本体的直径比值为0.8，所述的圆形凹槽的圆周面与硅片本体的圆周面之间的距离为0.3cm。
优选为：所述的圆形凹槽的底部呈斜面。
优选为：所述的圆形凹槽包括第一半圆凹槽和第二半圆凹槽，所述的第一半圆凹槽的槽深由一端沿着半圆周面往另一端逐渐变大，所述的第二半圆凹槽的槽深由一端沿着半圆周面往另一端逐渐变大。
优选为：所述的第一半圆凹槽的一端与第二半圆凹槽的一端为同一侧，所述的第一半圆凹槽的另一端与第二半圆凹槽的另一端为同一侧。
优选为：所述的圆形凹槽的槽深与硅片本体的厚度比值为0.1-0.25。
通过采用上述技术方案，此结构设计保证了硅片在安装过程中时，由于表面为圆形面，就算碰撞外物，也不会使硅片缺角或破裂现象发生，整体强度较强，保证了使用寿命；且在硅片本体上设置了圆形凹槽，该圆形凹槽的底部呈斜面，该圆形凹槽的槽深与硅片本体的厚度比值为0.1-0.25配合下，进一步保证了硅片的整体强度，保证了使用寿命；同时，硅片能牢固的安装于设备中，并且方便安装，保证了稳定性及可靠性，保证了设备能正常的运行。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型具体实施方式结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，本实用新型公开了一种硅片，在本实用新型具体实施例中，包括硅片本体1，所述的硅片本体1呈圆柱状，所述的硅片本体1上设有圆形凹槽2，所述的圆形凹槽2的直径与硅片本体的直径比值为0.8，所述的圆形凹槽2的圆周面与硅片本体1的圆周面之间的距离为0.3cm。
在本实用新型具体实施例中，所述的圆形凹槽2的底部呈斜面。
在本实用新型具体实施例中，所述的圆形凹槽2包括第一半圆凹槽21和第二半圆凹槽22，所述的第一半圆凹槽21的槽深由一端211沿着半圆周面往另一端212逐渐变大，所述的第二半圆凹槽22的槽深由一端221沿着半圆周面往另一端222逐渐变大。
在本实用新型具体实施例中，所述的第一半圆凹槽21的一端211与第二半圆凹槽22的一端221为同一侧，所述的第一半圆凹槽21的另一端212与第二半圆凹槽22的另一端222为同一侧。
在本实用新型具体实施例中，所述的圆形凹槽2的槽深与硅片本体1的厚度比值为0.1-0.25。
通过采用上述技术方案，此结构设计保证了硅片在安装过程中时，由于表面为圆形面，就算碰撞外物，也不会使硅片缺角或破裂现象发生，整体强度较强，保证了使用寿命；且在硅片本体上设置了圆形凹槽，该圆形凹槽的底部呈斜面，该圆形凹槽的槽深与硅片本体的厚度比值为0.1-0.25配合下，进一步保证了硅片的整体强度，保证了使用寿命；同时，硅片能牢固的安装于设备中，并且方便安装，保证了稳定性及可靠性，保证了设备能正常的运行。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种硅片，其特征在于：包括硅片本体，所述的硅片本体呈圆柱状，所述的硅片本体上设有圆形凹槽，所述的圆形凹槽的直径与硅片本体的直径比值为0.8，所述的圆形凹槽的圆周面与硅片本体的圆周面之间的距离为0.3cm。
2.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于：所述的圆形凹槽的底部呈斜面。
3.根据权利要求2所述的硅片，其特征在于：所述的圆形凹槽包括第一半圆凹槽和第二半圆凹槽，所述的第一半圆凹槽的槽深由一端沿着半圆周面往另一端逐渐变大，所述的第二半圆凹槽的槽深由一端沿着半圆周面往另一端逐渐变大。
4.根据权利要求3所述的硅片，其特征在于：所述的第一半圆凹槽的一端与第二半圆凹槽的一端为同一侧，所述的第一半圆凹槽的另一端与第二半圆凹槽的另一端为同一侧。
5.根据权利要求4所述的硅片，其特征在于：所述的圆形凹槽的槽深与硅片本体的厚度比值为0.1-0.25。
Priority Applications (1)
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| CN201521010553.1U CN205188483U (zh) | 2015-12-08 | 2015-12-08 | 硅片 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Country Status (1)
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2015
- 2015-12-08 CN CN201521010553.1U patent/CN205188483U/zh not_active Expired - Fee Related
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Granted publication date: 20160427 Termination date: 20201208 |