CN205104934U - 充电电路与移动终端 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种充电电路与移动终端，充电电路包括：用于向充电芯片充电的第一电路，包括第一充电接口、第一三极管、第一场效应晶体管、第一电阻、第一电容和第三电阻；用于向充电芯片充电的第二电路，包括第二充电接口、第二三极管、第二场效应晶体管、第二电阻和第二电容；其中，第一充电接口和第二充电接口同时上电时，第二三极管和第二场效应晶体管均截止，第一充电接口向充电芯片充电。根据本实用新型的充电电路与移动终端，能够避免在第一充电接口和第二充电接口同时上电时出现的电压高的充电接口产生的电流流入电压低的充电接口对应的电路而造成电压低的充电接口对应的电路损坏的情况。

Description

充电电路与移动终端

技术领域

本实用新型涉及充电技术，尤其涉及一种充电电路与移动终端。

背景技术

随着移动终端的日益普及，各种移动终端已经成为人们日常生活中必不可少的通信工具。各种移动终端，例如手机，需要电力的支持才能进行正常的工作，因此手机上需设置充电接口以为手机内部的充电芯片进行充电。

由于各种充电设备层出不穷，所匹配的充电接口也不相同，例如手机的充电接口有圆形孔和USB孔，为了用户的方便，很多手机同时设置有两种充电接口为手机中的同一充电芯片进行充电，如图1所示，充电接口分别为101和102，均连接同一充电芯片100的同一管脚。

但是这样会出现以下问题：由于工艺的问题，即使两个充电接口101和102的上电的电压理论上相同，在实际中两个充电接口101和102上电时的电压也总会出现有微小的差异，这样微小的差异有可能造成充电接口101和充电接口102所对应的电路的电流的巨大差异，进而导致电流大的电路向电流小的电路灌入电流，即向电压低的充电接口对应的电路灌入电流，这样会影响电压低的充电接口对应的电路的使用寿命，甚至会造成损坏。

实用新型内容

本实用新型提供一种充电电路与移动终端，以解决现有技术中包括两个充电接口的终端在同时上电时造成的电压低的充电接口对应的电路损坏的问题。

本实用新型一个方面提供一种充电电路，包括：

用于向充电芯片充电的第一电路，包括第一充电接口、第一三极管、第一场效应晶体管、第一电阻、第一电容和第三电阻，所述第一充电接口分别连接第一三极管和第一场效应晶体管，所述第一电阻分别与所述第一三极管和所述第一场效应晶体管连接，所述第一电容与所述第一电阻并联，所述第一电阻和所述第一电容用于防止当所述第一充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第一场效应晶体管导通，所述第三电阻的第一端连接在所述第一充电接口和第二三极管之间，所述第三电阻的第二端接地；

用于向所述充电芯片充电的第二电路，包括第二充电接口、所述第二三极管、第二场效应晶体管、第二电阻和第二电容，所述第二充电接口分别连接第二三极管和第二场效应晶体管，所述第二电阻分别与所述第二三极管和所述第二场效应晶体管连接，所述第二电容与所述第二电阻并联，所述第二电阻和所述第二电容用于防止当所述第二充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第二场效应晶体管导通；

其中，所述第一充电接口和所述第二充电接口同时上电时，所述第二三极管和第二场效应晶体管均截止，所述第一充电接口向所述充电芯片充电。

根据如上所述的充电电路，可选地，所述第一充电接口连接所述第一三极管的第一基极，且连接所述第一场效应晶体管的第一漏极，所述第一三极管的第一发射极接地，所述第一三极管的第一集电极分别与所述第一电阻的第一端和所述第一电容的第一端连接，所述第一场效应晶体管的第一门极分别与所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端和所述第一集电极连接，所述第一场效应晶体管的第一源极分别与所述第一电阻的第二端和所述第一电容的第二端连接且连接至所述充电芯片。

根据如上所述的充电电路，可选地，所述第二充电接口连接所述第二三极管的第二基极，且连接所述第二场效应晶体管的第二漏极，所述第二三极管的第二集电极连接所述第一充电接口，所述第二三极管的第二发射极分别与所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端连接，所述第二场效应晶体管的第二门极分别与所述第二电阻的第二端、所述第二电容的第二端和所述第二集电极连接，所述第二场效应晶体管的第二源极分别与所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端连接且连接至所述充电芯片。

根据如上所述的充电电路，可选地，还包括：

第四电阻，所述第四电阻的第一端连接在所述第二充电接口和所述第二基极之间，所述第四电阻的第二端接地。

根据如上所述的充电电路，可选地，所述第一三极管和第二三极管均为NPN型三极管，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管均为P沟道增强型场效应晶体管。

根据如上所述的充电电路，可选地，所述第二三极管的导通电压均大于或等于2V。

根据如上所述的充电电路，可选地，还包括：

所述充电芯片。

根据如上所述的充电电路，可选地，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值为100000欧姆。

根据如上所述的充电电路，可选地，所述第三电阻和所述第四电阻的阻值为10000欧姆。

本实用新型另一个方面提供一种移动终端，包括上述任一项所述的充电电路。

由上述技术方案可知，本实用新型提供的充电电路与移动终端，包括用于分别向充电芯片充电的第一电路和第二电路，第一充电接口上电时，第一三极管和第一场效应晶体管均开启，能够向充电芯片进行充电，当第二充电接口上电时，第二三极管和第二场效应晶体管均开启，能够向充电芯片充电，而当第一充电接口和第二充电接口均上电时，由于第二三极管和第二场效应晶体管均截止，即其中一个充电电路不工作，进而能够避免电压高的充电接口所产生的电流灌入电压低的充电接口对应的电路，影响该电压低的充电接口对应的电路的使用寿命，避免对该电压低充电接口对应的电路造成损坏。此外，在两个充电接口均上电时，其中一个电路是工作的，即向充电芯片进行充电，因此本实施例的充电电路在保证充电电路不造成损坏的基础上，不影响充电芯片的充电。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为根据本实用新型一实施例的充电电路的结构示意图；

图2为根据本实用新型另一实施例的充电电路的结构示意图；

图3为根据本实用新型另一实施例的充电电路的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

本实施例提供一种充电电路，包括两个电路，用于分别为充电芯片充电。如图2所示，为根据本实施例的充电电路的结构示意图。

如图2所示，本实施例的充电电路包括用于向充电芯片充电200充电的第一电路和用于向充电芯片200充电的第二电路。

其中，第一电路包括第一充电接口201、第一三极管202、第一场效应晶体管203、第一电阻204、第一电容205和第三电阻301，第一充电接口201分别连接第一三极管202和第一场效应晶体管203，第一电阻204分别与第一三极管202和第一场效应晶体管203连接，第一电容205与第一电阻204并联，第一电阻204和第一电容205用于防止第一场效应晶体管203导通。第三电阻301的第一端连接在第一充电接口201和第二三极管207之间，第三电阻301的第二端接地。

第二电路包括第二充电接口206、第二三极管207、第二场效应晶体管208、第二电阻209和第二电容210，第二充电接口206分别连接第二三极管207和第二场效应晶体管208，第二电阻209分别与第二三极管207和第二场效应晶体管208连接，第二电容210与第二电阻209并联，第二电阻209和第二电容210用于防止当所述第二充电接口206没有上电且所述充电芯片200上电时第二场效应晶体管208导通。

其中，第一充电接口201和第二充电接口206同时上电时，第二三极管207和第二场效应晶体管208均截止，第一充电接口201向充电芯片200充电。

本实施例中，第一电阻204具体可以连接在第一门极2032和第一源极2031之间，且与第一三极管202的第一集电极2023连接。由于第一门极2032和第一源极2031之间会有一定的电容量，采用第一电阻204来释放掉该电容，就能够防止第一场效应晶体管203被击穿，起到保护作用。相似地，第二电阻209具体可以连接在第二门极2082和第二源极2081之间，且与第二三极管207的第二集电极2073连接。由于第二门极2082和第二源极2081之间会有一定的电容量，采用第二电阻209来释放掉该电容，就能够防止第二场效应晶体管208被击穿，起到保护作用。

此外，当第一充电接口201没有上电时，第一三极管202截止，此时第一三极管202的第一集电极2023对地的阻抗远大于第一电阻204的阻值，由于第一集电极2023与第一门极2032连接，因此也就是第一门极2032对地的阻抗远大于第一电阻204的阻值，所以当充电芯片200的输入端上电时，会导致第一源极2031有电压，由于第一门极2032与第一源极2031之间有第一电阻204，且第一门极2032对地的阻抗远远大于第一电阻201的阻值，所以在第一源极2031有电压的情况下，第一门极2032的电压也会与第一源极2031的电压几乎相等，所以第一场效应晶体管203是不会导通的。相应地，当第二充电接口210没有上电时，第二三极管207截止，此时第二三极管207的第二集电极2073对地的阻抗远大于第二电阻209的阻值，由于第二集电极2073与第二门极2082连接，因此也就是第二门极2082对地的阻抗远大于第二电阻206的阻值，所以当充电芯片200的输入端上电时，会导致第二源极2081有电压，由于第二门极2082与第二源极2081之间有第二电阻209，且第二门极2082对地的阻抗远远大于第二电阻209的阻值，在第二源极2081有电压的情况下，第二门极2082的电压也会与第二源极2081的电压几乎相等，所以第二场效应晶体管208是不会导通的。因此，第一电阻201起到防止当所述第一充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第一场效应晶体管导通的作用，第二电阻起到当所述第二充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第二场效应晶体管导通的作用。

本实施例的第一电阻204、第二电阻209的阻值均可以为100000欧姆。第三电阻301的阻值至少为5000欧姆，本实施例可以选择为10000欧姆。该第三电阻301用于保证第二场效应晶体管208在第二充电接口206上电时导通。可选地，第三电阻301的阻值在至少为5000欧姆的前提下，与第二电阻209的比值小于或等于1/10。

本实施例的第一电容205同样可以连接在第一门极2032和第一源极2031之间。这样，当第二充电接口206上电而第一充电接口201没有上电时，有可能会在第一源极2031上产生电压，而第一门极2032上没有电压，进而使得第一场效应晶体管203导通，这样会造成第一三极管202的导通，，因此需要在第一门极2032和第一源极2031之间连接第一电容205，避免第一门极2032和第一源极2031之间由于电压突变造成的电压不相等，即防止当所述第一充电接口没有上电且所述充电芯片上电时第一场效应管导通，以避免电流向第一电路灌入。相似地，也需要在第二门极2082和第二源极2081之间连接第二电容210，以防止当所述第二充电接口没有上电且所述充电芯片上电时第二场效应管导通，以避免电流向第二电路灌入。

其中，第一电容和第二电容的取值可以为1μF。

可选地，本实施例的充电电路还包括充电芯片200。

与现有技术相比，本实施例的充电电路，包括用于分别向充电芯片200充电的第一电路和第二电路，第一充电接口201上电时，第一三极管202和第一场效应晶体管203均开启，能够向充电芯片200进行充电，当第二充电接口206上电时，第二三极管207和第二场效应晶体管208均开启，能够向充电芯片200充电，而当第一充电接口201和第二充电接口206均上电时，由于第二三极管207和第二场效应晶体管208均截止，即其中一个充电电路不工作，进而能够避免电压高的充电接口对应的电路所产生的电流灌入电压低的充电接口，影响该电压低的充电接口对应的电路的使用寿命，避免对该电压低充电接口对应的电路造成损坏。此外，在两个充电接口均上电时，其中一个电路是工作的，即向充电芯片200进行充电，因此本实施例的充电电路在保证充电电路不造成损坏的基础上，不影响充电芯片200的充电。

实施例二

本实施例对实施例一的充电电路做进一步补充说明。与实施例一不同的是，本实施例具体说明充电电路的各个部件之间是如何进行连接的。如图2所示，为根据本实施例的充电电路的结构示意图。

本实施例中，充电电路中的第一充电接口201连接第一三极管202的第一基极2021，且第一充电接口201连接第一场效应晶体管203的第一漏极2033，第一三极管202的第一发射极2022接地，第一三极管202的第一集电极2023分别与第一电阻204的第一端和第一电容205的第一端连接，第一场效应晶体管203的第一门极2032分别与第一电阻204的第一端、第一电容205的第一端和第一集电极2023连接，第一场效应晶体管203的第一源极2031分别与第一电阻204的第二端和第一电容205的第二端连接且连接至充电芯片200。

本实施例中第二充电接口206连接第二三极管207的第二基极2071，且连接第二场效应晶体管208的第二漏极2083，第二三极管207的第二发射极2073连接第一充电接口201，第二三极管207的第二集电极2072分别与第二电阻209的第二端和第二电容210的第二端连接，第二场效应晶体管208的第二门极2082分别与第二电阻209的第二端、第二电容210的第二端和第二集电极2073连接，第二场效应晶体管208的第二源极2081分别与第二电阻209的第二端和第二电容210的第二端连接且连接至充电芯片200。其中，第一三极管202和第二三极管207均为NPN型三极管，第一场效应晶体管203和第二场效应晶体管208均为P沟道增强型场效应晶体管。

具体地，本实施例的第三电阻301的第一端连接在第一充电接口201和第二集电极2073之间，第三电阻301的第二端接地。

本实施例的充电电路的工作过程具体如下：

当第一充电接口201上电且第二充电接口206未上电时，上电电压例如5V，第一三极管202导通，由于第一发射极2022接地，在第一三极管202导通之后，第一集电极2023的电压为0V，进而第一门极2032的电压为0V。由于第一漏极2033与第一充电接口201通过第一三极管202连接，第一三极管202会有一部分电压，因此第一漏极2033的电压约为4.5V，此时第一场效应晶体管203导通，第一电路此时工作，向充电芯片200输入电荷进行充电。

当第二充电接口206上电且第一充电接口201未上电时，上电电压例如5V，由于第二发射极2072连接第一充电接口201，第一充电接口201未上电时为0V，这样第二发射极2072的电压为0V，第二基极2071为5V，第二三极管207导通，此时第二三极管207的第二集电极2072的对地阻抗是10000欧姆，这样，若第三电阻301的阻值为10000欧姆、第二电阻209的阻值为10000欧姆时，第二场效应晶体管208的第二门极2082由于第三电阻301的存在，其对地阻抗也是10000欧姆。由于第二漏极2083与第二充电接口206通过第二三极管207连接，第二三极管207会有一部分电压，因此第二漏极2083的电约压为4.5V，4.5V的电压经过第二电阻209和第三电阻301分压给到第二场效应晶体管208的第二门极2082，所以第二门极2082的电压是第二漏极电压的十一分之一，即第二门极2082的电压会很低，几乎为0V，此时第二场效应晶体管208导通，第二电路此时工作，向充电芯片200输入电荷进行充电。

需指出的是，虽然上述描述的是第一充电接口201和第二充电接口206上电时的电压均为5V，但是实际中肯定会存在细微的差异，即在两个充电接口均上电5V时，也会在实际中出现一个充电接口的电压高于另一个充电接口的电压的情况。

当第一充电接口201和第二充电接口206均上电时，由于第二发射极2072连接第一充电接口201，因此第二发射极2072的电压是5V，第二基极2071也是5V，此时第二三极管207截止，第二集电极2073为5V，这样第二栅极的电压也是5V，由于第二漏极2083连接第二充电接口206，第二漏极2083的电压也是5V，因此，第二场效应晶体管208截止，进而整个第二电路截止，并不工作，第一充电接口201上电时产生的电流并不能流入到第二充电接口206中或者第二充电接口206上电时产生的电流并不能流入到第一充电接口201中，进而可以防止电压高的充电接口向电压低的充电接口灌入电流。

本实施例中，第二三极管207的导通电压均大于或等于2V。这是由于，在第一充电接口201和第二充电接口206同时上电之后，由于电压的差异，有可能造成第二三极管207导通，本实施例中所选取的第二三极管207的导通电压均大于或等于2V，这样能够尽量避免第二三极管207导通的情况，进而进一步避免电压高的充电接口所产生的电流流入到电压低的充电接口从而对该电压低的充电接口造成损坏。

与现有技术相比，根据本实施例的充电电路中，通过各个部件的具体连接，当第一充电接口201和第二充电接口206均上电时，由于第二三极管207和第二场效应晶体管208均截止，即其中一个充电电路不工作，进而能够避免电压高的充电接口所产生的电流灌入电压低的充电接口对应的电路，影响该电压低的充电接口对应的电路的使用寿命，避免对该电压低充电接口对应的电路造成损坏。此外，在两个充电接口均上电时，其中一个电路是工作的，即向充电芯片200进行充电，因此本实施例的充电电路在保证充电电路不造成损坏的基础上，不影响充电芯片200的充电。

实施例三

本实施例对上述实施例的充电电路做进一步补充说明。

如图3所示，本实施例的充电电路除了实施例一和实施例二所描述的各个部件之外，本实例的充电电路还包括第四电阻302。第四电阻302第一端连接在第二充电接口206和第二基极2071之间，第四电阻302的第二端接地。

该第三电阻301和第四电阻302的设置，能够分别维持第一三极管202和第二三极管207的充电时的电压的稳定性。具体地，当第一充电接口201没有上电的时候，由于第三电阻301是接地的，因此第一充电接口201并不处于悬浮状态，第一充电接口201的电压也会是0V，当第一充电接口201上电的时候，由于第三电阻301的存在，所以也不会造成第一充电接口201的电压的损耗。相应地，当第二充电接口206没有上电的时候，由于第四电阻302是接地的，因此第二充电接口206并不处于悬浮状态，第二充电接口206的电压也会是0V，当第二充电接口206上电的时候，由于第四电阻302的存在，所以也不会造成第二充电接口206的电压的损耗。

可选地，本实施例的第四电阻302在至少为5000欧姆的前提下，与第二电阻209的比值小于或等于1/10。例如，本实施例的第三电阻301和第四电阻302的阻值均可以为10000欧姆，第一电阻204和第二电阻209的阻值均为100000欧姆。

与现有技术相比，本实施例的充电电路，包括用于分别向充电芯片200充电的第一电路和第二电路，第一充电接口201上电时，第一三极管202和第一场效应晶体管203均开启，能够向充电芯片200进行充电，当第二充电接口206上电时，第二三极管207和第二场效应晶体管208均开启，能够向充电芯片200充电，而当第一充电接口201和第二充电接口206均上电时，由于第二三极管207和第二场效应晶体管208均截止，即其中一个充电电路不工作，进而能够避免电压高的充电接口所产生的电流灌入电压低的充电接口对应的电路，影响该电压低的充电接口对应的电路的使用寿命，避免对该电压低充电接口对应的电路造成损坏。此外，在两个充电接口均上电时，其中一个电路是工作的，即向充电芯片200进行充电，因此本实施例的充电电路在保证充电电路不造成损坏的基础上，不影响充电芯片200的充电。此外，由于第三电阻301和第四电阻302的作用，能够维持电压的稳定性，进而进一步保证该充电电路能够尽量在正常工作状态下工作，保证充电电路的安全性。

本实用新型还提供一种移动终端，包括上述任意实施例的充电电路。该移动终端可以是手机。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种充电电路，其特征在于，包括：

用于向充电芯片充电的第一电路，包括第一充电接口、第一三极管、第一场效应晶体管、第一电阻、第一电容和第三电阻，所述第一充电接口分别连接第一三极管和第一场效应晶体管，所述第一电阻分别与所述第一三极管和所述第一场效应晶体管连接，所述第一电容与所述第一电阻并联，所述第一电阻和所述第一电容用于防止当所述第一充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第一场效应晶体管导通，所述第三电阻的第一端连接在所述第一充电接口和第二三极管之间，所述第三电阻的第二端接地；

用于向所述充电芯片充电的第二电路，包括第二充电接口、所述第二三极管、第二场效应晶体管、第二电阻和第二电容，所述第二充电接口分别连接第二三极管和第二场效应晶体管，所述第二电阻分别与所述第二三极管和所述第二场效应晶体管连接，所述第二电容与所述第二电阻并联，所述第二电阻和所述第二电容用于防止当所述第二充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第二场效应晶体管导通；

其中，所述第一充电接口和所述第二充电接口同时上电时，所述第二三极管和第二场效应晶体管均截止，所述第一充电接口向所述充电芯片充电。

2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一充电接口连接所述第一三极管的第一基极，且连接所述第一场效应晶体管的第一漏极，所述第一三极管的第一发射极接地，所述第一三极管的第一集电极分别与所述第一电阻的第一端和所述第一电容的第一端连接，所述第一场效应晶体管的第一门极分别与所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端和所述第一集电极连接，所述第一场效应晶体管的第一源极分别与所述第一电阻的第二端和所述第一电容的第二端连接且连接至所述充电芯片。

3.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第二充电接口连接所述第二三极管的第二基极，且连接所述第二场效应晶体管的第二漏极，所述第二三极管的第二集电极连接所述第一充电接口，所述第二三极管的第二发射极分别与所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端连接，所述第二场效应晶体管的第二门极分别与所述第二电阻的第二端、所述第二电容的第二端和所述第二集电极连接，所述第二场效应晶体管的第二源极分别与所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端连接且连接至所述充电芯片。

4.根据权利要求3所述的充电电路，其特征在于，还包括：

第四电阻，所述第四电阻的第一端连接在所述第二充电接口和所述第二基极之间，所述第四电阻的第二端接地。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的充电电路，其特征在于，所述第一三极管和第二三极管均为NPN型三极管，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管均为P沟道增强型场效应晶体管。

6.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于，所述第二三极管的导通电压均大于或等于2V。

7.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，还包括：

所述充电芯片。

8.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值为100000欧姆。

9.根据权利要求4所述的充电电路，其特征在于，所述第三电阻和所述第四电阻的阻值为10000欧姆。

10.一种移动终端，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的充电电路。