CN205004962U - 一种uv灯多极驱动电源 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种UV灯智能驱动电源，包括：依次逐级连接的BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路和高频逆变方波输出级电路，所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路包括开关管Q1、续流二极管D1、滤波储能电感L1、输入电容C3和输出电容C4，所述高频逆变方波输出级电路包括由MOSFET开关管Q2~Q5、主变压器T1和限流电感L2。本实用新型点亮灯管的技术采用电流软启动技术，避免了现有的UV电源点亮灯管时的大电流对UV灯管的损伤，这样大大延长了灯管的使用寿命。

Description

一种UV灯多极驱动电源

技术领域

本实用新型涉及到电源领域，尤其是涉及一种UV灯多级驱动电源。

背景技术

现有的UV电源的供电方式是采用工频变压器串接大电容来调节UV灯的输出方式。该方式的缺陷是：体积大、效率低下、发热量大，UV灯管将电能转换成有效紫外线的比例低、UV灯管发出的紫外线的强度不平稳；

现有的UV电源只能通过并联一个工频变压器来调节功率档位，很难实现真正需要的功率调节，体积庞大，又重，同时UV灯管的紫外线的能量输出会根据输入电压的波动而波动，影响使用效果，工频变压器能量的传输完全是开环传输，比如输入是380AC，变比是1:2这输出是760VAC，如果输入变为320VAC，这输出是640VAC，这样就导致了UV灯管的紫外线的能量输出会减小，达不到要求，如果输入电压增大这时的UV灯管的紫外线的能量输出会增大甚至出现爆管的可能；

现有的UV电源在启动的时候能量是根据输入电压来决定的，特别是在交流电压的波峰处，其电流相当的大，是有效值的1.414倍，对灯管的寿命有严重的影响，大大缩短了灯管的使用寿命；

现有的UV电源都要一个单独的点火电路来实现点火，只有在点火成功后UV灯才可以正常工作，但是一般的点火电路都是使用的是高压小电流,采用的启动峰值电压都较高,数值在4.0～5.0kV，远远高于所需的启动电压，出现新灯燃点开始就造成阴极溅射非常厉害,阴极损耗加剧,击穿电压值快速增大。这种点火方式的缺陷是UV灯、金卤灯在还没有进入寿命的后期时,就因为阴极损害而不能点亮了，大大影响了UV灯管的使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种UV灯多极驱动电源，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种UV灯智能驱动电源，包括：依次逐级连接的BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路和高频逆变方波输出级电路，所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路包括开关管Q1、续流二极管D1、滤波储能电感L1、输入电容C3和输出电容C4，所述高频逆变方波输出级电路包括由MOSFET开关管Q2~Q5、主变压器T1和限流电感L2，所述MOSFE开关管Q2~Q5与所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出端连接，所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路后面连接所述高频逆变方波输出级电路，所述高频逆变方波输出级电路是全桥逆变电路、对称半桥逆变电路、不对称半桥逆变电路或推挽逆变电路，高频逆变方波输出级电路输出端串联一个电感后接上UV灯管。

作为本实用新型的优选方案：所述BUCK功率级电路中的续流二极管D1替换为开关管，成为所述BUCK功率级衍生电路的第一种连接，所述MOSFET开关管Q1的漏极连接MOSFET开关管Q6的源极，MOSFET开关管Q6的漏极连接在输入正母线上，所述滤波储能电感L1的一端连接在MOSFET开关管Q1漏极和MOSFET开关管Q6源极，另一端联接在输出负母线上，所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间；

所述滤波储能电感L1连接在输入正母线与输出正母线之间，成为所述BUCK功率级衍生电路的第二种连接，所述滤波储能电感L1的一端连接在输入正母线上，另一端连接输出正母线，所述MOSFET开关管Q1的源极连接在输入负母线上，所述二极管D1的阳极连接所述MOSFET开关管Q1的漏极，所述二极管D1的阴极连接在输入正母线上，所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间；所述MOSFET开关管Q1连接在输入正母线上，所述的续流二极管D1是可以是开关管；

所述滤波储能电感L1连接在输出端的正母线上，MOSFET开关管Q1也在正母线上，成为所述BUCK功率级衍生电路的衍生电路的第三种连接，所述MOSFET开关管Q1的漏极连接到输入正母线上，MOSFET开关管Q1的源极同时连接在所述滤波储能电感L1的一端和所述续流二极管D1的阴极，续流二极管D1的阳极连接输出负母线，输入负母线与输出负母线连接在一起，所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间；所述MOSFET开关管连接在输入正母线上，所述的续流二极管D1是可以是开关管；

所述滤波储能电感L1连接在输入负母线上，MOSFET开关管Q1也在正母线上，成为所述BUCK功率级衍生电路的第四种连接，所述MOSFET开关管Q1的漏极连接在输入正母线上，所述滤波储能L1的一端连接在BUCK功率级电路的输入负母线上，另一端连接在输出负母线上，所述续流二极管D1的阳极连接在输入负母线，阴极和所述MOSFET开关管Q1的源极连接在输出正母线上，所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间，所述的续流二极管D1可以是开关管。

所述BUCK功率级电路通过交错并联，成为所述BUCK功率级衍生电路的第五种连接，两路或者多路BUCK功率级电路通过交错并联后连接高频逆变输出级，所述的续流二极管D1是可以是开关管。

作为本实用新型的优选方案：所述全桥逆变电路主变压器原边与所述开关管组成的H桥中心连接；

所述对称半桥逆变电路的主变压器的原边一头与所述开关管组成的半桥中心点连接，一头与两个串联电容的中点连接；

所述不对称半桥逆变电路的主变压器的原边一头与所述开关管组成半桥中心点连接，一头与输入母线负连接；

所述推挽逆变电路的主变压器的原边两头分别与所述开关管连接，主变压器原边中心抽头与输入母线正连接。

作为本实用新型的优选方案：所述全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q2的漏极和MOSFET开关管Q5的漏极连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极和MOSFET开关管Q4的源极连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端同时连接MOSFET开关管Q4的漏极和MOSFET开关管Q5的源极，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

所述对称半桥逆变电路的器件连接：把全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q5、Q4替换为电容C5、C6；即MOSFET开关管Q2的漏极和电容C5的一端连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极和电容C6的一端连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端同时连接电容C6的另一端和电容C5的另一端，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

所述不对称半桥逆变电路的器件连接：把全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q5、Q4去掉；即MOSFET开关管Q2的漏极联接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极联接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端连接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

所述推挽逆变电路的MOSFET开关管Q2、Q3的源极同时连接在BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1原边的两端分别连接MOSFET开关管Q2、Q3的漏极，变压器T1原边的中心抽头连接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线上，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1。

作为本实用新型的优选方案：所述高频逆变方波输出级电路中的所述主变压器T1的输出端可以不接限流电感L1，直接联接UV灯管。

作为本实用新型的优选方案：所述限流电感L1可以接在高频逆变方波输出级电路中的主变压器T1的原边，电感L1与变压器的原边绕组串联输出端可以不接电感L1，直接联接UV灯管。

作为本实用新型的优选方案：所述限流电感L1可以是高频逆变方波输出级电路中的主变压器T1的漏感LS，变压器副边直接连接UV灯管。

作为本实用新型的优选方案：所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路包括MOSFET开关管Q1、续流二极管D1、滤波储能电感L1、输入电容C3、输出电容C4，其中输入电容C3跨接在输入正、负母线之间，MOSFET开关管Q1的源极连接在输入负母线上，续流二极管D1的阳极连接MOSFET开关管Q1的漏极，续流二极管D1的阴极连接在输入正母线上，滤波储能电感L1的一端连接在MOSFET开关管Q1漏极和二极管D1的阳极，另一端联接在输出负母线上，电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间。

作为本实用新型的优选方案：所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的续流二极管D1可以换成开关管。

所述的开关管，是IGBT、N沟道的MOSFET、P沟道的MOSFET、NPN型三极管和PNP型三极管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型采用了现代电力电子技术中的BUCK电路、BUCK衍生电路、结合高频变压器输出的桥式逆变方波电路，这样就显著提升了供电电源的效率，提高了功率密度，减小了体积和重量，扩大了输入电压的范围，当输入电压出现波动时，能将输出功率自动稳定在我们设定的点，实现了功率的自动补偿，不会出现功率波动，保证了UV灯管的输出功率稳定，提高了被固化产品的品质；

本实用新型又可以自由的调节输出功率，调节范围为（2%-100%），同时稳定输出功率；本实用新型可以根据不同的灯管自动设置启动电压，不采用启动峰值电压数值在4.0～5.0kV的启动电路，直接用电源点亮UV灯管，延长灯管的使用寿命，防止灯管因启动电压高而造成阴极损害而不能点亮；本实用新型点亮灯管的技术采用电流软启动技术，避免了现有的UV电源点亮灯管时的大电流对UV灯管的损伤，这样大大延长了灯管的使用寿命。

附图说明

图1.是本实用新型实施例1的电路原理图；

图2.是本实用新型实施例2的电路原理图；

图3.是本实用新型实施例3的电路原理图；

图4.是本实用新型实施例4的电路原理图；

图5.是本实用新型BUCK功率级衍生电路的第一种连接；

图6.是本实用新型BUCK功率级衍生电路的第二种连接；

图7.是本实用新型BUCK功率级衍生电路的第三种连接；

图8.是本实用新型BUCK功率级衍生电路的第四种连接。

图9.是本实用新型BUCK功率级衍生电路的第五种连接。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1~9，一种UV灯多级驱动电源，包括BUCK功率调节电路1、全桥逆变电路2；其中BUCK功率调节电路1包括MOSFET开关管Q1，续流二极管D1，储能滤波电感L1，输入电容C3跨接在输入正、负母线之间，输出电容C4跨接在输出正母线与负母线之间；MOSFET开关管Q1的源极连接在输入负母线上，续流二极管D1的阳极连接MOSFET开关管Q1的漏极，续流二极管D1的阴极连接在输入正母线上，滤波储能电感L1的一端与开关管Q1漏极和二极管D1的阳极的连接在一起，另一端连接在输出负母线上，输入正母线与输出正母线连接，全桥逆变电路2包括MOSFET开关管Q2、Q3、Q4、Q5，输出变压器T1，限流电感L2，电源根据UV灯管的类型自动设置点火电压和额定电压，自动设置输出电流。MOSFET开关管Q2、Q4同时开、同时关，MOSFET开关管Q3、Q5同时开、同时关；全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q2的漏极和MOSFET开关管Q5的漏极连接后一起接到BUCK电路的输出正母线上、MOSFET开关管Q3的源极和开关管Q4的源极连接后挂接到BUCK电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端同时连接开关管Q4的漏极和开关管Q5的源极，变压器T1的副边连接限流电感L1后再和UV灯管RL1串联；全桥逆变电路为UV（RL1）灯提供稳定的方波电压、电流，提高了灯管的能量密度，提高了固化产品的固化品质。

具体实施例2：

参照图2所示，一种UV灯多级驱动电源，包括BUCK功率调节电路1、对称半桥逆变电路2，其中BUCK功率调节电路1包括MOSFET开关管Q1，续流二极管D1，储能滤波电感L1，输入电容C3跨接在输入正、负母线之间，输出电容C4跨接在输出正母线与负母线之间；对称半桥逆变电路2包括开关管Q2、Q3，电容C5、C6，输出变压器T1，限流电感L2。MOSFET开关管Q2的漏极和电容C5的一端连接后挂接到BUCK电路的输出正母线、开关管Q3的源极和电容C6的一端连接后挂接到BUCK电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端同时连接电容C6的另一端和电容C5的另一端，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

电源根据UV灯管的类型自动设置点火电压和额定电压，自动设置输出电流。MOSFET开关管Q2、Q3互补驱动，对称半桥逆变电路为UV（RL1）灯提供稳定的方波电压、电流，提高了灯管的能量密度，提高了固化产品的固化品质。

具体实施例3：

参照图3所示，一种UV灯多级驱动电源，包括BUCK功率调节电路1、推挽桥逆变电路2。其中BUCK功率调节电路1包括MOSFET开关管Q1，续流二极管D1，储能滤波电感L1，输入电容C3跨接在输入正、负母线之间，输出电容C4跨接在输出正母线与负母线之间；推挽桥逆变电路2包括MOSFET开关管Q2、Q3、输出变压器T1、限流电感L2；推挽桥逆变电路的MOSFET开关管Q2、Q3的源极同时连接在BUCK电路的输出负母线上，变压器T1原边的两端分别连接MOSFET开关管Q2、Q3的漏极，变压器T1原边的中线抽头连接到BUCK电路的输出正母线上，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

电源根据UV灯管的类型自动设置点火电压和额定电压，自动设置输出电流。MOSFET开关管Q2、Q3互补驱动，

推挽逆变电路为UV（RL1）灯提供稳定的方波电压、电流，提高了灯管的能量密度，提高了固化产品的固化品质。

具体实施例4：

参照图4所示，一种UV灯多级驱动电源，包括BUCK功率调节电路1、不对称半桥逆变电路2；其中BUCK功率调节电路1包括MOSFET开关管Q1，续流二极管D1，储能滤波电感L1，输入电容C3跨接在输入正、负母线之间，输出电容C4跨接在输出正母线与负母线之间；不对称半桥逆变电路2包括MOSFET开关管Q2、Q3，输出变压器T1，限流电感L2。MOSFET开关管Q2的漏极到BUCK电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极接到BUCK电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端连接在MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端联接到Q3的源极上，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

电源根据UV灯管的类型自动设置点火电压和额定电压，自动设置输出电流。MOSFET开关管Q2、Q3互补驱动，不对称半桥逆变电路为UV（RL1）灯提供稳定的方波电压、电流，提高了灯管的能量密度，提高了固化产品的固化品质。

具体实施例5：

参照图5所示，一种UV灯多级驱动电源的BUCK功率调节电路衍生电路5：包括MOSFET开关管Q1，MOSFET开关管Q6（代替之前的二极管D1），储能滤波电感L1，输入电容C3，输出电容C4，输出滤波储能电感L1的位置放在输出母线的负端；电感L1的一端与MOSFET开关管Q6的源极与MOSFET开关管Q1的漏极连接，电感L1另一端连接在输出端的负母线上，MOSFET开关管Q6的漏极连接在输入母线正端，MOSFET开关管Q1的漏极连接在输入母线负端，电感L1连接在输出端的负母线上，输入电容C3跨接在输入母线正负端，输出电容C4跨接在输出母线正负端，电路图细节参见附图5。

BUCK功率调节电路衍生电路后面可以连接全桥逆变电路、推挽桥逆变电路、对称半桥、不对称半桥逆变电路随意的组合。

具体实施例6：

参照图6所示，一种UV灯多级驱动电源的BUCK功率调节电路衍生电路6：包括MOSFET开关管Q1，续流二极管D1或MOSFET开关管Q6，储能滤波电感L1，输入电容C3，输出电容C4。电感L1连接在输出端的正母线上；即电感L1的一端连接在输入端的正母线上，电感的另一端连接输出母线负端，MOSFET开关管Q1的源极连接在输入负母线上，续流二极管D1的阳极和MOSFET开关管Q1的漏极一起连接在输出负母线上，续流二极管D1的阴极连接在输入端的正母线上，输入电容C3跨接在输入母线正负端，输出电容C4跨接在输出母线正负端，本实用新型所述的续流二极管D1可以是开关管,电路图细节参见附图6。

BUCK功率调节电路衍生电路后面可以连接全桥逆变电路、推挽桥逆变电路、对称半桥、不对称半桥逆变电路随意的组合。

具体实施例7：

参照图7所示，一种UV灯多级驱动电源的BUCK功率调节电路衍生电路7：包括MOSFET开关管Q1，续流二极管D1或MOSFET开关管Q6，储能滤波电感L1，输入电容C3，输出电容C4。开关管连接到输入正母线上,电感的一端连接在输出端的正母线上；电感的另一端与MOSFET开关管Q1的源极和续流二极管D1的阴极连接在一起，MOSFET开关管Q1的漏极连接输入母线正，输入母线负与输出母线负相连，输入电容C3跨接在输入母线正负端，输出电容C4跨接在输出母线正负端，本实用新型所述的续流二极管D1可以是开关管,电路图细节参见附图7。

BUCK功率调节电路衍生电路后面可以连接全桥逆变电路、推挽桥逆变电路、对称半桥、不对称半桥逆变电路随意的组合。

具体实施例8：

参照图8所示，一种UV灯多级驱动电源的BUCK功率调节电路衍生电路8：包括MOSFET开关管Q1，续流二极管D1或MOSFET开关管Q6，储能滤波电感L1，输入电容C3，输出电容C4。开关管连接到输入正母线上，电感连接到输入负母线上；即MOSFET开关管Q1的漏极连接在输入正母线上，MOSFET开关管Q1的源极连接到输出母线负端，电感L1一头连接在BUCK电路的输入负母线上另一头连接在输出负母线上，续流二极管D1的阳极连接在输入负母线上，续流二极管D1的阴极与输出正母线连接，输入电容C3跨接在输入母线正负端，输出电容C4跨接在输出母线正负端，本实用新型所述的续流二极管D1可以是开关管,电路图细节参见附图8。

BUCK功率调节电路衍生电路后面可以连接全桥逆变电路、推挽桥逆变电路、半桥逆变电路随意的组合。

具体实施例9：

参照图9所示，一种UV灯多级驱动电源的BUCK功率调节电路衍生电路9：包括MOSFET开关管Q1、MOSFET开关管Q11，续流二极管D1或MOSFET开关管Q6、续流二极管D11或MOSFET开关管Q66，储能滤波电感L1、储能滤波电感L11，输入电容C3，输出电容C4。开关管Q1、Q11连接到输入正母线上，电感L1、L11连接到输出正母线上；即MOSFET开关管Q1、Q11的漏极连接在输入正母线上，MOSFET开关管Q1、Q11的源极与续流二极管D1、D11的阴极连接后与输出电感连接，续流二极管D1、D11的阳极与输入母线负连接，输入电容C3跨接在输入母线正负端，输出电容C4跨接在输出母线正负端，MOSFET开关管Q1,Q11采用交错，互补驱动，本实用新型所述的续流二极管可以是开关管,电路图细节参见附图9。

BUCK功率调节电路衍生电路后面可以连接全桥逆变电路、推挽桥逆变电路、半桥逆变电路随意的组合。

Claims (10)

1.一种UV灯智能驱动电源，包括：依次逐级连接的BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路和高频逆变方波输出级电路，所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路包括开关管Q1、续流二极管D1、滤波储能电感L1、输入电容C3和输出电容C4，高频逆变方波输出级电路包括由MOSFET开关管Q2~Q5、主变压器T1和限流电感L2，MOSFET开关管Q2~Q5与所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出端连接，其特征在于，所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路后面连接所述高频逆变方波输出级电路，高频逆变方波输出级电路是全桥逆变电路、对称半桥逆变电路、不对称半桥逆变电路或推挽逆变电路，高频逆变方波输出级电路输出端串联一个电感后接上UV灯管。

2.根据权利要求1所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述BUCK功率级电路中的续流二极管D1替换为开关管，成为所述BUCK功率级衍生电路的第一种连接，所述MOSFET开关管Q1的漏极连接MOSFET开关管Q6的源极，MOSFET开关管Q6的漏极连接在输入正母线上，所述滤波储能电感L1的一端连接在MOSFET开关管Q1漏极和MOSFET开关管Q6源极，另一端联接在输出负母线上，所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间；

所述滤波储能电感L1连接在输入正母线与输出正母线之间，成为所述BUCK功率级衍生电路的第二种连接，所述滤波储能电感L1的一端连接在输入正母线上，另一端连接输出正母线，所述MOSFET开关管Q1的源极连接在输入负母线上，所述二极管D1的阳极连接所述MOSFET开关管Q1的漏极，所述二极管D1的阴极连接在输入正母线上，所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间；所述MOSFET开关管Q1连接在输入正母线上；所述的续流二极管D1是可以是开关管；

所述滤波储能电感L1连接在输出端的正母线上，MOSFET开关管Q1也在正母线上，成为所述BUCK功率级衍生电路的衍生电路的第三种连接，所述MOSFET开关管Q1的漏极连接到输入正母线上，MOSFET开关管Q1的源极同时连接在所述滤波储能电感L1的一端和所述续流二极管D1的阴极，续流二极管D1的阳极连接输出负母线，输入负母线与输出负母线连接在一起，所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间；所述MOSFET开关管连接在输入正母线上；所述的续流二极管D1是可以是开关管；

所述滤波储能电感L1连接在输入负母线上，MOSFET开关管Q1也在正母线上，成为所述BUCK功率级衍生电路的第四种连接，所述MOSFET开关管Q1的漏极连接在输入正母线上，所述滤波储能L1的一端连接在BUCK功率级电路的输入负母线上，另一端连接在输出负母线上，所述续流二极管D1的阳极连接在输入负母线，阴极和所述MOSFET开关管Q1的源极连接在输出正母线上，所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间，所述的续流二极管D1是可以是开关管；

所述BUCK功率级电路通过交错并联，成为所述BUCK功率级衍生电路的第五种连接，两路或者多路BUCK功率级电路通过交错并联后连接高频逆变输出级，所述的续流二极管D1是可以是开关管。

3.根据权利要求1所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述全桥逆变电路主变压器原边与所述开关管组成的H桥中心连接；

所述对称半桥逆变电路的主变压器的原边一头与所述开关管组成的半桥中心点连接，另一头与两个串联电容的中点连接；

所述不对称半桥逆变电路的主变压器的原边一头与所述开关管组成半桥中心点连接，另一头与输入母线负连接；

所述推挽逆变电路的主变压器的原边两头分别与所述开关管连接，主变压器原边中心抽头与输入母线正连接。

4.根据权利要求1或3所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q2的漏极和MOSFET开关管Q5的漏极连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极和MOSFET开关管Q4的源极连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端同时连接MOSFET开关管Q4的漏极和MOSFET开关管Q5的源极，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

所述对称半桥逆变电路的器件连接：把全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q5、Q4替换为电容C5、C6；即MOSFET开关管Q2的漏极和电容C5的一端连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极和电容C6的一端连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端同时连接电容C6的另一端和电容C5的另一端，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

所述不对称半桥逆变电路的器件连接：把全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q5、Q4去掉；即MOSFET开关管Q2的漏极联接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极联接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极，变压器T1原边的另一端连接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1；

所述推挽逆变电路的MOSFET开关管Q2、Q3的源极同时连接在BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上，变压器T1原边的两端分别连接MOSFET开关管Q2、Q3的漏极，变压器T1原边的中心抽头连接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线上，变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1。

5.根据权利要求1或3所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述高频逆变方波输出级电路中的所述主变压器T1的输出端可以不接限流电感L1，直接联接UV灯管。

6.根据权利要求1或3所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述限流电感L1可以接在高频逆变方波输出级电路中的主变压器T1的原边，电感L1与变压器的原边绕组串联，输出端可以不接电感L1，直接联接UV灯管。

7.根据权利要求1或3所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述限流电感L1可以是高频逆变方波输出级电路中的主变压器T1的漏感LS，利用变压器的漏感，充当限流电感，变压器副边直接连接UV灯管。

8.根据权利要求1或2所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路包括MOSFET开关管Q1、续流二极管D1、滤波储能电感L1、输入电容C3、输出电容C4，其中输入电容C3跨接在输入正、负母线之间，MOSFET开关管Q1的源极连接在输入负母线上，续流二极管D1的阳极连接MOSFET开关管Q1的漏极，续流二极管D1的阴极连接在输入正母线上，滤波储能电感L1的一端连接在MOSFET开关管Q1漏极和二极管D1的阳极，另一端联接在输出负母线上，电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间。

9.根据权利要求1或2所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的续流二极管D1可以换成开关管。

10.根据权利要求1或2所述的一种UV灯多极驱动电源，其特征在于，所述的开关管，是IGBT、N沟道的MOSFET、P沟道的MOSFET、NPN型三极管和PNP型三极管。