CN204967413U - 一种单板宽电压不间断的供电电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种单板宽电压不间断的供电电路，包括低电压保护模块，低电压保护模块的输出端分别连接输入电压检测模块的输入端及供电通道选择模块的输入端，输入电压检测模块的输出端连接升压模块的输入端，所述升压模块的输出端分别连接充电模块的输入端及供电通道选择模块的输入端，充电模块的输出端连接电池组的充电端。通过分立元器件，低成本地实现了一个带低压保护，宽输入电压，防掉电的不间断电源。通过巧妙的控制MOS管的导通与截止，二极管的导通与截止，实现了高电压输入直接充电和供电，低电压输入先升压后充电和供电的自动切换，上电和掉电情况，外部电源供电和电池供电的自动切换。

Description

一种单板宽电压不间断的供电电路

技术领域

本实用新型涉及供电电路技术领域，尤其涉及一种单板宽电压不间断的供电电路。

背景技术

目前的带电池产品，特别是带电池的穿戴类产品（头盔，眼镜，耳机等），多采用单电池供电。众所周知，现在的电池技术没有突破性发展，电池容量依旧要靠增大电池物理体积或增加电池数量的方式才能存储大电量，以便用于一些需要不间断供电的场景。但由于实际条件的限制，电池的体积往往不能做的太大，要实现对用电设备的不间断供电就显得尤其重要。

现有的电池在线充电管理都是从高电压降压处理。这样像单板输入电压较宽时，就不可能实现在线充电。

另外，电池电压不稳会造成用电设备的突然断电，严重时会损坏用电设备，减少用电设备的使用寿命。

现有的用电设备可在电池供电的同时对电池进行充电，但此种电池充电方式的充电时间长，甚至会造成用电设备过热爆炸，容易造成人身伤害，安全性低。不能满足宽范围电压范围的单板电源不间断的要求。

实用新型内容

为了解决现有技术中上述的技术问题，本实用新型提供了一种单板宽电压不间断的供电电路。

本实用新型提供了一种单板宽电压不间断的供电电路，所述供电电路包括低电压保护模块、输入电压检测模块、升压模块、供电通道选择模块、充电模块及电池组，所述低电压保护模块的输出端分别连接所述输入电压检测模块的输入端及供电通道选择模块的输入端，所述输入电压检测模块的输出端连接所述升压模块的输入端，所述升压模块的输出端分别连接所述充电模块的输入端及供电通道选择模块的输入端，所述充电模块的输出端连接所述电池组的充电端。

作为本实用新型的进一步改进，所述低电压保护模块包括接线端子J3、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R26、电容C17、三极管Q6、MOS管Q5及芯片U3，所述接线端子J3的第2脚分别连接所述电阻R16的一端、电阻R18的一端、电阻R19的一端及MOS管Q5的源极，所述MOS管Q5的漏极连接电源VCC，所述MOS管Q5的栅极分别连接所述电阻R18的另一端及电阻R26的一端，所述电阻R26的另一端连接所述三极管Q6的集电极，所述三极管Q6的基极分别连接所述电容C17的一端、电阻R19的另一端及芯片U3的第1脚，所述芯片U3的第3脚分别连接所述电阻R16的另一端及电阻R17的一端，所述电阻R17的另一端、芯片U3的第2脚、电容C17的另一端、三极管Q6的发射极及接线端子J3的第1脚均接地。

作为本实用新型的进一步改进，所述输入电压检测模块包括电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R23、电容C12、电容C13及芯片U4，电源VCC分别连接所述电阻R11的一端及电阻R12的一端，所述电阻R11的另一端分别连接所述电阻R23的一端及电容C13的一端，所述电阻R23的另一端连接所述芯片U4的第1脚，所述芯片U4的第3脚分别连接所述电阻R12的另一端、电阻R13的一端及电容C12的一端，所述芯片U4的第2脚、电阻R13的另一端、电容C12的另一端、电容C13的另一端均接地。

作为本实用新型的进一步改进，所述升压模块包括芯片U2、MOS管Q3、电容C9、电容C11、电感L2、二极管D5、二极管D8、电阻R9、电阻R10、电容C10、电阻R8及电容C8，所述MOS管Q3的栅极分别连接所述电阻R11的另一端、电阻R23的一端及电容C13的一端，所述MOS管Q3的源极连接电源VCC，所述MOS管Q3的漏极分别连接所述电容C9的正极、芯片U2的第5脚、电容C11的一端及电感L2的一端，所述电感L2的另一端分别连接所述芯片U2的第4脚及二极管D5的阳极，所述二极管D5的阴极分别连接所述电阻R9的一端、电容C10的正极及二极管D8的阳极，所述芯片U2的第2脚分别连接所述电阻R9的另一端及电阻R10的一端，所述芯片U2的第1脚经所述电阻R8连接所述电容C8的一端，所述芯片U2的第3脚、电容C8的另一端、电阻R10的另一端、电容C10的负极、电容C9负极及电容C11的另一端均接地。

作为本实用新型的进一步改进，所述供电通道选择模块包括二极管D6、二极管D7、二极管D9、二极管D10、MOS管Q2、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10、电阻R14、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31及接线端子J2，所述二极管D6的阳极及二极管D7的阳极分别连接电源VCC，所述接线端子J2的第2脚分别连接所述二极管D10的阴极、二极管D9的阴极及二极管D7的阴极，所述二极管D10的阳极连接所述MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的栅极分别连接电阻R14的一端、电阻R28的一端及三极管Q8的发射极，所述三极管Q8的集电极连接所述二极管D9的阳极，所述三极管Q8的基极分别连接电阻R29的一端、电阻R30的一端及电阻R31的一端，所述三极管Q10的集电极分别连接所述电阻R29的另一端、电阻R30的另一端及电阻R31的另一端，所述三极管Q10的基极分别连接电阻R18的另一端及三极管Q9的集电极，所述三极管Q9的基极连接所述电阻R27的一端，所述电阻27的另一端连接电源VCC，所述电阻R14的另一端、三极管Q9的发射极、三极管Q10的发射极及接线端子J2的第1脚均接地。

作为本实用新型的进一步改进，所述充电模块包括芯片U1、电容C1、电容C2、MOS管Q1、二极管D3、二极管D4、电感L1、电阻R7、电阻R32、电容C4、二极管D11、接线端子J1、电容C7、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C6、电容C5、电容C3、电阻R3、电阻R24、发光二极管D1、发光二极管D2、电阻R1及电阻R2，所述芯片U1的第16脚连接所述MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的源极分别连接所述电容C2的一端、电阻R1的一端、电阻R2的一端、芯片U1的第15脚、电容C1的正极、二极管D5的阴极、二极管D8的阴极、电阻R14的一端、MOS管Q2的栅极、电阻R18的一端及三极管Q8的发射极，所述MOS管Q1的漏极连接所述二极管D3的阳极，所述二极管D3的阴极分别连接所述二极管D4的阴极及电感L1的一端，所述电感L1的另一端分别连接所述电阻R7的一端、电阻R32的一端及芯片U1的第13脚，所述二极管D11的阳极分别连接所述电容C4的正极、电阻R7的另一端、电阻R32的另一端、电容C7的一端、电阻R4的一端及芯片U1的第14脚，所述二极管D11的阴极分别连接所述MOS管Q2的源极及接线端子J1的第2脚，所述芯片U1的第10脚分别连接所述电阻R4的另一端、电容C7的另一端及电阻R5的一端，所述芯片U1的第9脚经所述电阻R6连接所述电容C6的一端，所述芯片U1的第8脚连接所述电容C5的一端，所述芯片U1的第11脚连接所述电容C3的一端，所述芯片U1的第7脚连接所述电阻R3的一端，所述芯片U1的第6脚连接所述电阻R24的一端，所述芯片U1的第5脚经所述发光二极管D1连接所述电阻R1的另一端，所述芯片U1的第4脚经所述发光二极管D2连接所述电阻R2的另一端，所述芯片U1的第1脚连接所述电容C2的另一端，所述电容C1的负极、二极管D4的阳极、电容C4的负极、接线端子J1的第1脚、电阻R5的另一端、电容C6的另一端、电容C5的另一端、电容C3的另一端、电阻R3的另一端、电阻R24的另一端、芯片U1的第2、3脚均接地。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片U1采用的芯片型号为CN3705。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片U2采用的芯片型号为LM2587S-ADJ。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片U3采用的芯片型号为MD7030。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片U4采用的芯片型号为MD7030。

本实用新型的有益效果是：通过分立元器件，低成本地实现了一个带低压保护，宽输入电压，防掉电的不间断电源。通过巧妙的控制MOS管的导通与截止，二极管的导通与截止，实现了高电压输入直接充电和供电，低电压输入先升压后充电和供电的自动切换，上电和掉电情况，外部电源供电和电池供电的自动切换。

附图说明

图1是本实用新型单板宽电压不间断的供电电路的结构框图；

图2是本实用新型低电压保护模块的电气原理图；

图3是本实用新型输入电压检测模块的电气原理图；

图4是本实用新型供电通道选择模块的电气原理图；

图5是本实用新型升压模块的电气原理图；

图6是本实用新型充电模块的电气原理图；。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图1-6所示，本实用新型提供了一种单板宽电压不间断的供电电路，所述供电电路包括低电压保护模块、输入电压检测模块、升压模块、供电通道选择模块、充电模块及电池组，所述低电压保护模块的输出端分别连接所述输入电压检测模块的输入端及供电通道选择模块的输入端，所述输入电压检测模块的输出端连接所述升压模块的输入端，所述升压模块的输出端分别连接所述充电模块的输入端及供电通道选择模块的输入端，所述充电模块的输出端连接所述电池组的充电端。通过分立元器件，低成本地实现了一个带低压保护，宽输入电压，防掉电的不间断电源。通过巧妙的控制MOS管的导通与截止，二极管的导通与截止，实现了高电压输入直接充电和供电，低电压输入先升压后充电和供电的自动切换，上电和掉电情况，外部电源供电和电池供电的自动切换。

所述低电压保护模块包括接线端子J3、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R26、电容C17、三极管Q6、MOS管Q5及芯片U3，所述接线端子J3的第2脚分别连接所述电阻R16的一端、电阻R18的一端、电阻R19的一端及MOS管Q5的源极，所述MOS管Q5的漏极连接电源VCC，所述MOS管Q5的栅极分别连接所述电阻R18的另一端及电阻R26的一端，所述电阻R26的另一端连接所述三极管Q6的集电极，所述三极管Q6的基极分别连接所述电容C17的一端、电阻R19的另一端及芯片U3的第1脚，所述芯片U3的第3脚分别连接所述电阻R16的另一端及电阻R17的一端，所述电阻R17的另一端、芯片U3的第2脚、电容C17的另一端、三极管Q6的发射极及接线端子J3的第1脚均接地。

所述输入电压检测模块包括电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R23、电容C12、电容C13及芯片U4，电源VCC分别连接所述电阻R11的一端及电阻R12的一端，所述电阻R11的另一端分别连接所述电阻R23的一端及电容C13的一端，所述电阻R23的另一端连接所述芯片U4的第1脚，所述芯片U4的第3脚分别连接所述电阻R12的另一端、电阻R13的一端及电容C12的一端，所述芯片U4的第2脚、电阻R13的另一端、电容C12的另一端、电容C13的另一端均接地。

所述升压模块包括芯片U2、MOS管Q3、电容C9、电容C11、电感L2、二极管D5、二极管D8、电阻R9、电阻R10、电容C10、电阻R8及电容C8，所述MOS管Q3的栅极分别连接所述电阻R11的另一端、电阻R23的一端及电容C13的一端，所述MOS管Q3的源极连接电源VCC，所述MOS管Q3的漏极分别连接所述电容C9的正极、芯片U2的第5脚、电容C11的一端及电感L2的一端，所述电感L2的另一端分别连接所述芯片U2的第4脚及二极管D5的阳极，所述二极管D5的阴极分别连接所述电阻R9的一端、电容C10的正极及二极管D8的阳极，所述芯片U2的第2脚分别连接所述电阻R9的另一端及电阻R10的一端，所述芯片U2的第1脚经所述电阻R8连接所述电容C8的一端，所述芯片U2的第3脚、电容C8的另一端、电阻R10的另一端、电容C10的负极、电容C9负极及电容C11的另一端均接地。

所述供电通道选择模块包括二极管D6、二极管D7、二极管D9、二极管D10、MOS管Q2、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10、电阻R14、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31及接线端子J2，所述二极管D6的阳极及二极管D7的阳极分别连接电源VCC，所述接线端子J2的第2脚分别连接所述二极管D10的阴极、二极管D9的阴极及二极管D7的阴极，所述二极管D10的阳极连接所述MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的栅极分别连接电阻R14的一端、电阻R28的一端及三极管Q8的发射极，所述三极管Q8的集电极连接所述二极管D9的阳极，所述三极管Q8的基极分别连接电阻R29的一端、电阻R30的一端及电阻R31的一端，所述三极管Q10的集电极分别连接所述电阻R29的另一端、电阻R30的另一端及电阻R31的另一端，所述三极管Q10的基极分别连接电阻R18的另一端及三极管Q9的集电极，所述三极管Q9的基极连接所述电阻R27的一端，所述电阻27的另一端连接电源VCC，所述电阻R14的另一端、三极管Q9的发射极、三极管Q10的发射极及接线端子J2的第1脚均接地。

所述充电模块包括芯片U1、电容C1、电容C2、MOS管Q1、二极管D3、二极管D4、电感L1、电阻R7、电阻R32、电容C4、二极管D11、接线端子J1、电容C7、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C6、电容C5、电容C3、电阻R3、电阻R24、发光二极管D1、发光二极管D2、电阻R1及电阻R2，所述芯片U1的第16脚连接所述MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的源极分别连接所述电容C2的一端、电阻R1的一端、电阻R2的一端、芯片U1的第15脚、电容C1的正极、二极管D5的阴极、二极管D8的阴极、电阻R14的一端、MOS管Q2的栅极、电阻R18的一端及三极管Q8的发射极，所述MOS管Q1的漏极连接所述二极管D3的阳极，所述二极管D3的阴极分别连接所述二极管D4的阴极及电感L1的一端，所述电感L1的另一端分别连接所述电阻R7的一端、电阻R32的一端及芯片U1的第13脚，所述二极管D11的阳极分别连接所述电容C4的正极、电阻R7的另一端、电阻R32的另一端、电容C7的一端、电阻R4的一端及芯片U1的第14脚，所述二极管D11的阴极分别连接所述MOS管Q2的源极及接线端子J1的第2脚，所述芯片U1的第10脚分别连接所述电阻R4的另一端、电容C7的另一端及电阻R5的一端，所述芯片U1的第9脚经所述电阻R6连接所述电容C6的一端，所述芯片U1的第8脚连接所述电容C5的一端，所述芯片U1的第11脚连接所述电容C3的一端，所述芯片U1的第7脚连接所述电阻R3的一端，所述芯片U1的第6脚连接所述电阻R24的一端，所述芯片U1的第5脚经所述发光二极管D1连接所述电阻R1的另一端，所述芯片U1的第4脚经所述发光二极管D2连接所述电阻R2的另一端，所述芯片U1的第1脚连接所述电容C2的另一端，所述电容C1的负极、二极管D4的阳极、电容C4的负极、接线端子J1的第1脚、电阻R5的另一端、电容C6的另一端、电容C5的另一端、电容C3的另一端、电阻R3的另一端、电阻R24的另一端、芯片U1的第2、3脚均接地。

所述芯片U1采用的芯片型号为CN3705。

所述芯片U2采用的芯片型号为LM2587S-ADJ。

所述芯片U3采用的芯片型号为MD7030。

所述芯片U4采用的芯片型号为MD7030。

由于电池组充电需要一定的输入电压范围，充电电路的输入电压范围低于一定的值，当输入电压过低时，低电压保护模块检测到输入电压，产生一个信号，把MOS管Q5关断，输入电压断开，防止过低的输入电压对电路产生损害。然后，输入电压检测模块检测输入电压，如果输入电压高，Q3截止，D6导通，D9截止，D8截止，输入电压通过D7给受电设备供电，通过D6给电池充电。如果输入电压低，输入电压检测模块产生一个信号使Q3导通，此时D8，D9正向导通，D6方向截止，将输入电压升压后通过D8给电池组充电，通过D4给受电设备供电。如果外部电源掉电，Q2是PMOS管，电池组的电压使Q2导通，直接给受电设备供电，这样就实现了防掉电，不间断地功能。

输入电压通过R18，R17分压检测输入到U3，当输入电压较高时，Q6一直导通，Q5栅极被下拉到地，Q5是PMOS管，此时Q5一直导通，PW_IN给电路供电，但输入VIN小于一定值时，VOUT产生一个低电平，Q6截止，Q5的栅极被上拉到VIN，此时Q5截止，把电源断开。起到一个低压保护的功能。

U4是一个电压检测芯片，R12，R13采集输入电压，当输入电压较高时，Q3截止，D6，D7正向导通，D8反向截止，VCC通过D7给受电设备供电，通过D6给电池充电。VCC此时比较高，Q9导通，Q10截止，Q8也截止，电流不会通过D9到输出端。当输入电压较低时，U4产生一个低电平，Q3的栅极被下拉到地，由于Q3是PMOS管，因此Q3导通，输入电压VCC通过U2构成的升压电路，此时D8导通，D6截止，升压后的电压给电池充电，此时VCC为低电压，Q9截止，Q10通过R28上拉到高电压，Q10导通，Q8的基极被下拉到地，Q8是PNP型三极管，所以此时Q8导通，升压后的电压通过Q8，D9给受电设备供电。

无论输入电压使高还是低，只要有外部的输入电压，充电电路的输入端（电解电容C1的正极）都是一个高电压，Q2是PMOS管，Q2都截止，电池组与受电设备隔开。当外部电源掉电时，Q2的栅极由于没有输入电压而为低电压，而S极连到电池组的正极上，此时PMOS管Q2导通，D10正向导通，电池组给受电设备供电，此时D7，D9反向偏置，防止电池电压反灌到输入端。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种单板宽电压不间断的供电电路，其特征在于：所述供电电路包括低电压保护模块、输入电压检测模块、升压模块、供电通道选择模块、充电模块及电池组，所述低电压保护模块的输出端分别连接所述输入电压检测模块的输入端及供电通道选择模块的输入端，所述输入电压检测模块的输出端连接所述升压模块的输入端，所述升压模块的输出端分别连接所述充电模块的输入端及供电通道选择模块的输入端，所述充电模块的输出端连接所述电池组的充电端。

2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于：所述低电压保护模块包括接线端子J3、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R26、电容C17、三极管Q6、MOS管Q5及芯片U3，所述接线端子J3的第2脚分别连接所述电阻R16的一端、电阻R18的一端、电阻R19的一端及MOS管Q5的源极，所述MOS管Q5的漏极连接电源VCC，所述MOS管Q5的栅极分别连接所述电阻R18的另一端及电阻R26的一端，所述电阻R26的另一端连接所述三极管Q6的集电极，所述三极管Q6的基极分别连接所述电容C17的一端、电阻R19的另一端及芯片U3的第1脚，所述芯片U3的第3脚分别连接所述电阻R16的另一端及电阻R17的一端，所述电阻R17的另一端、芯片U3的第2脚、电容C17的另一端、三极管Q6的发射极及接线端子J3的第1脚均接地。

3.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于：所述输入电压检测模块包括电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R23、电容C12、电容C13及芯片U4，电源VCC分别连接所述电阻R11的一端及电阻R12的一端，所述电阻R11的另一端分别连接所述电阻R23的一端及电容C13的一端，所述电阻R23的另一端连接所述芯片U4的第1脚，所述芯片U4的第3脚分别连接所述电阻R12的另一端、电阻R13的一端及电容C12的一端，所述芯片U4的第2脚、电阻R13的另一端、电容C12的另一端、电容C13的另一端均接地。

4.根据权利要求3所述的供电电路，其特征在于：所述升压模块包括芯片U2、MOS管Q3、电容C9、电容C11、电感L2、二极管D5、二极管D8、电阻R9、电阻R10、电容C10、电阻R8及电容C8，所述MOS管Q3的栅极分别连接所述电阻R11的另一端、电阻R23的一端及电容C13的一端，所述MOS管Q3的源极连接电源VCC，所述MOS管Q3的漏极分别连接所述电容C9的正极、芯片U2的第5脚、电容C11的一端及电感L2的一端，所述电感L2的另一端分别连接所述芯片U2的第4脚及二极管D5的阳极，所述二极管D5的阴极分别连接所述电阻R9的一端、电容C10的正极及二极管D8的阳极，所述芯片U2的第2脚分别连接所述电阻R9的另一端及电阻R10的一端，所述芯片U2的第1脚经所述电阻R8连接所述电容C8的一端，所述芯片U2的第3脚、电容C8的另一端、电阻R10的另一端、电容C10的负极、电容C9负极及电容C11的另一端均接地。

5.根据权利要求4所述的供电电路，其特征在于：所述供电通道选择模块包括二极管D6、二极管D7、二极管D9、二极管D10、MOS管Q2、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10、电阻R14、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31及接线端子J2，所述二极管D6的阳极及二极管D7的阳极分别连接电源VCC，所述接线端子J2的第2脚分别连接所述二极管D10的阴极、二极管D9的阴极及二极管D7的阴极，所述二极管D10的阳极连接所述MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的栅极分别连接电阻R14的一端、电阻R28的一端及三极管Q8的发射极，所述三极管Q8的集电极连接所述二极管D9的阳极，所述三极管Q8的基极分别连接电阻R29的一端、电阻R30的一端及电阻R31的一端，所述三极管Q10的集电极分别连接所述电阻R29的另一端、电阻R30的另一端及电阻R31的另一端，所述三极管Q10的基极分别连接电阻R18的另一端及三极管Q9的集电极，所述三极管Q9的基极连接所述电阻R27的一端，所述电阻27的另一端连接电源VCC，所述电阻R14的另一端、三极管Q9的发射极、三极管Q10的发射极及接线端子J2的第1脚均接地。

6.根据权利要求5所述的供电电路，其特征在于：所述充电模块包括芯片U1、电容C1、电容C2、MOS管Q1、二极管D3、二极管D4、电感L1、电阻R7、电阻R32、电容C4、二极管D11、接线端子J1、电容C7、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C6、电容C5、电容C3、电阻R3、电阻R24、发光二极管D1、发光二极管D2、电阻R1及电阻R2，所述芯片U1的第16脚连接所述MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的源极分别连接所述电容C2的一端、电阻R1的一端、电阻R2的一端、芯片U1的第15脚、电容C1的正极、二极管D5的阴极、二极管D8的阴极、电阻R14的一端、MOS管Q2的栅极、电阻R18的一端及三极管Q8的发射极，所述MOS管Q1的漏极连接所述二极管D3的阳极，所述二极管D3的阴极分别连接所述二极管D4的阴极及电感L1的一端，所述电感L1的另一端分别连接所述电阻R7的一端、电阻R32的一端及芯片U1的第13脚，所述二极管D11的阳极分别连接所述电容C4的正极、电阻R7的另一端、电阻R32的另一端、电容C7的一端、电阻R4的一端及芯片U1的第14脚，所述二极管D11的阴极分别连接所述MOS管Q2的源极及接线端子J1的第2脚，所述芯片U1的第10脚分别连接所述电阻R4的另一端、电容C7的另一端及电阻R5的一端，所述芯片U1的第9脚经所述电阻R6连接所述电容C6的一端，所述芯片U1的第8脚连接所述电容C5的一端，所述芯片U1的第11脚连接所述电容C3的一端，所述芯片U1的第7脚连接所述电阻R3的一端，所述芯片U1的第6脚连接所述电阻R24的一端，所述芯片U1的第5脚经所述发光二极管D1连接所述电阻R1的另一端，所述芯片U1的第4脚经所述发光二极管D2连接所述电阻R2的另一端，所述芯片U1的第1脚连接所述电容C2的另一端，所述电容C1的负极、二极管D4的阳极、电容C4的负极、接线端子J1的第1脚、电阻R5的另一端、电容C6的另一端、电容C5的另一端、电容C3的另一端、电阻R3的另一端、电阻R24的另一端、芯片U1的第2、3脚均接地。

7.根据权利要求6所述的供电电路，其特征在于：所述芯片U1采用的芯片型号为CN3705。

8.根据权利要求7所述的供电电路，其特征在于：所述芯片U2采用的芯片型号为LM2587S-ADJ。

9.根据权利要求8所述的供电电路，其特征在于：所述芯片U3采用的芯片型号为MD7030。

10.根据权利要求9所述的供电电路，其特征在于：所述芯片U4采用的芯片型号为MD7030。