CN204859643U - 一种led驱动应用电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供的LED驱动应用电路可以广泛的应用到LED应用领域中，能够实现对多组LED灯珠串的独立恒流供电，相互LED灯珠串之间互不干扰，实现LED灯的间隙点亮，使得LED灯珠串工作时的结温降低20%以上，光强提高1.6倍，光衰减小，所需散热器面积减小，延长LED灯具的使用寿命；同时通过改变调光单元的输入信号，以及改变数据存储单元中的输入数据能够统一改变通过LED灯珠串的恒流电流，从而改变LED灯珠串的工作方式。

Description

一种LED驱动应用电路

技术领域

本实用新型属于LED恒流驱动技术领域，具体涉及一种实现多组LED灯珠串独立恒流供电的LED驱动应用电路。

背景技术

LED光源作为新一代光源，正在迅猛发展。LED是一种固态的半导体发光器件，它可以直接把电转化为光，其具有耗能少、适用性强、稳定性高、响应时间短（开关特性好）、对环境无污染、多色发光、显色性能好等优点，是值得推广的新光源。

目前普遍采用集中恒流供电来驱动LED发光，根据LED芯片尺寸的大小，单颗LED的功率有0.1W、0.2W、0.5W、1W等，要想得到更大的功率，就要将LED以串联或并联方式结合起来使用。由于LED是半导体材料做成的，具有一定的离散型，它们Vf值不可能一致，如果将LED全部串联起来，根据串联电路的特点，串联电路电流相等，与单颗LED的Vf值关系不大，用一个恒流电源驱动一串LED比较理想；然而，单颗LED的Vf值是3V左右，不可能无限制的串联，因此在大功率使用的情况下，采用了几串几并的结合方式，由一个恒流驱动供电。然而当有并联出现时，根据并联电路特点，电压相等，电流相加，而各分支LED灯珠串总的Vf值不相等，LED灯珠串的电流有大有小，电流大的灯珠串因长时间结温过高会损坏，恒流电源会将电流加到其他灯珠串上，形成恶性循环，极大的缩短了LED灯具的使用寿命；同时现有的LED驱动芯片所需的外围电路复杂，需要较多的元器件，从而造成成本过高，极大的阻碍了LED照明产品的产业化推广。

因此急需针对现有技术中存在的上述缺陷，提供一种解决方案，解决现有技术中存在的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种实现多组LED灯珠串独立恒流供电，相互LED灯珠串之间互不干扰的LED驱动应用电路。

本实用新型的目的是这样实现的，所述驱动应用电路具体电路结构为：电阻R2的一端与电源Vin相连接，所述电阻R2的另一端分别与二极管D1的阴极、PNP型三极管Q1的发射极、电阻R14的一端以及电阻R7的一端相连接，所述二极管D1的阳极接地，所述电阻R7的另一端分别与二极管D2的阴极、数据存储芯片U1的VDD引脚和相移控制芯片U2的VDD引脚相连接，所述二极管D2的阳极、所述数据存储芯片U1的A0引脚、A1引脚、A2引脚、WP引脚、GND引脚以及所述相移控制芯片U2的R引脚以及GND引脚均接地；所述数据存储芯片U1的读写控制引脚SCL外接读写控制信号，所述数据存储芯片U1的数据输入引脚SDA外接数据输入信号，且连接至相移控制芯片U2的CK引脚；所述相移控制芯片U2的T1引脚与NPN型三极管Q3的基极相连接，所述相移控制芯片U2的T2引脚与NPN型三极管Q4的基极相连接，相移控制芯片U2的T3引脚与NPN型三极管Q5的基极相连接，相移控制芯片U2的T4引脚与NPN型三极管Q6的基极相连接；所述电阻R14的另一端分别与NPN型三极管Q2的基极和调光输入信号PWM相连接，所述NPN型三极管Q2的集电极连接电阻R1后与所述PNP型三极管Q1的基极相连接，所述PNP型三极管Q1的集电极分别与电阻R8、电阻R13、电阻R19以及电阻R24的一端相连接，所述电阻R8的另一端分别与电阻R9的一端和比较放大器IC1的负输入端相连接，所述电阻R13的另一端分别与电阻R15的一端和比较放大器IC2的负输入端相连接，所述电阻R19的另一端分别与电阻R20的一端和比较放大器IC3的负输入端相连接，所述电阻R24的另一端分别与电阻R25的一端和比较放大器IC4的负输入端相连接；所述比较放大器IC1的正输入端分别与MOS开关管Q7的源极和电阻R12的一端相连接，所述比较放大器IC2的正输入端分别与MOS开关管Q8的源极和电阻R18的一端相连接，所述比较放大器IC3的正输入端分别与MOS开关管Q9的源极和电阻R23的一端相连接，所述比较放大器IC4的正输入端分别与MOS开关管Q10的源极和电阻R28的一端相连接；所述比较放大器IC1的输出端与电阻R11的一端相连接，所述电阻R11的另一端分别与MOS开关管Q7的栅极和NPN型三极管Q3的集电极相连接，所述比较放大器IC2的输出端与电阻R17的一端相连接，所述电阻R17的另一端分别与MOS开关管Q8的栅极和NPN型三极管Q4的集电极相连接，所述比较放大器IC3的输出端与电阻R22的一端相连接，所述电阻R22的另一端分别与MOS开关管Q9的栅极和NPN型三极管Q5的集电极相连接，所述比较放大器IC4的输出端与电阻R27的一端相连接，所述电阻R27的另一端分别与MOS开关管Q10的栅极和NPN型三极管Q6的集电极相连接；所述NPN型三极管Q2的发射极、电阻R9的另一端、NPN型三极管Q3的发射极、电阻R12的另一端、电阻R15的另一端、NPN型三极管Q4的发射极、电阻R18的另一端、电阻R20的另一端、NPN型三极管Q5的发射极、电阻R23的另一端、电阻R25的另一端、NPN型三极管Q6的发射极、电阻R28的另一端接地；所述电源Vin分别与比较放大器IC5的正输入端、比较放大器IC6的正输入端、比较放大器IC7的正输入端、比较放大器IC8的正输入端相连接，所述比较放大器IC5的输出端串接电阻R10后与比较放大器IC1的负输入端相连接，所述比较放大器IC6的输出端串接电阻R16后与比较放大器IC2的负输入端相连接，所述比较放大器IC7的输出端串接电阻R21后与比较放大器IC3的负输入端相连接，所述比较放大器IC8的输出端串接电阻R26后与比较放大器IC4的负输入端相连接；所述比较放大器IC5的负输入端与所述MOS开关管Q7的漏极之间连接LED灯珠串DL1，所述比较放大器IC6的负输入端与所述MOS开关管Q8的漏极之间连接LED灯珠串DL2，所述比较放大器IC7的负输入端与所述MOS开关管Q9的漏极之间连接LED灯珠串DL3，所述比较放大器IC8的负输入端与所述MOS开关管Q10的漏极之间连接LED灯珠串DL4。

与现有技术相比，本实用新型提供的LED驱动应用电路可以广泛的应用到LED应用领域中，能够实现对多组LED灯珠串的独立恒流供电，相互LED灯珠串之间互不干扰，实现LED灯的间隙点亮，使得LED灯珠串工作时的结温降低20%以上，光强提高1.6倍，光衰减小，所需散热器面积减小，延长LED灯具的使用寿命；同时通过改变调光单元的输入信号，以及改变数据存储单元中的输入数据能够统一改变通过LED灯珠串的恒流电流，从而改变LED灯珠串的工作方式。

附图说明

图1为本实用新型LED驱动应用电路的具体电路结构示意图；

图2为本实用新型LED驱动应用电路中相移控制芯片的内部具体电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明，但不得以任何方式对本实用新型加以限制，基于本实用新型教导所作的任何变更或改进，均属于本实用新型的保护范围。

图1给出了本实用新型驱动应用电路的具体电路结构示意图，在本实用新型中，电阻R2的一端与电源Vin相连接，所述电阻R2的另一端分别与二极管D1的阴极、PNP型三极管Q1的发射极、电阻R14的一端以及电阻R7的一端相连接，所述二极管D1的阳极接地，所述电阻R7的另一端分别与二极管D2的阴极、数据存储芯片U1的VDD引脚和相移控制芯片U2的VDD引脚相连接，所述二极管D2的阳极、所述数据存储芯片U1的A0引脚、A1引脚、A2引脚、WP引脚、GND引脚以及所述相移控制芯片U2的R引脚以及GND引脚均接地；所述数据存储芯片U1的读写控制引脚SCL外接读写控制信号，所述数据存储芯片U1的数据输入引脚SDA外接数据输入信号，且连接至相移控制芯片U2的CK引脚；所述相移控制芯片U2的T1引脚与NPN型三极管Q3的基极相连接，所述相移控制芯片U2的T2引脚与NPN型三极管Q4的基极相连接，相移控制芯片U2的T3引脚与NPN型三极管Q5的基极相连接，相移控制芯片U2的T4引脚与NPN型三极管Q6的基极相连接；所述电阻R14的另一端分别与NPN型三极管Q2的基极和调光输入信号PWM相连接，所述NPN型三极管Q2的集电极连接电阻R1后与所述PNP型三极管Q1的基极相连接，所述PNP型三极管Q1的集电极分别与电阻R8、电阻R13、电阻R19以及电阻R24的一端相连接，所述电阻R8的另一端分别与电阻R9的一端和比较放大器IC1的负输入端相连接，所述电阻R13的另一端分别与电阻R15的一端和比较放大器IC2的负输入端相连接，所述电阻R19的另一端分别与电阻R20的一端和比较放大器IC3的负输入端相连接，所述电阻R24的另一端分别与电阻R25的一端和比较放大器IC4的负输入端相连接；所述比较放大器IC1的正输入端分别与MOS开关管Q7的源极和电阻R12的一端相连接，所述比较放大器IC2的正输入端分别与MOS开关管Q8的源极和电阻R18的一端相连接，所述比较放大器IC3的正输入端分别与MOS开关管Q9的源极和电阻R23的一端相连接，所述比较放大器IC4的正输入端分别与MOS开关管Q10的源极和电阻R28的一端相连接；所述比较放大器IC1的输出端与电阻R11的一端相连接，所述电阻R11的另一端分别与MOS开关管Q7的栅极和NPN型三极管Q3的集电极相连接，所述比较放大器IC2的输出端与电阻R17的一端相连接，所述电阻R17的另一端分别与MOS开关管Q8的栅极和NPN型三极管Q4的集电极相连接，所述比较放大器IC3的输出端与电阻R22的一端相连接，所述电阻R22的另一端分别与MOS开关管Q9的栅极和NPN型三极管Q5的集电极相连接，所述比较放大器IC4的输出端与电阻R27的一端相连接，所述电阻R27的另一端分别与MOS开关管Q10的栅极和NPN型三极管Q6的集电极相连接；所述NPN型三极管Q2的发射极、电阻R9的另一端、NPN型三极管Q3的发射极、电阻R12的另一端、电阻R15的另一端、NPN型三极管Q4的发射极、电阻R18的另一端、电阻R20的另一端、NPN型三极管Q5的发射极、电阻R23的另一端、电阻R25的另一端、NPN型三极管Q6的发射极、电阻R28的另一端接地；所述电源Vin分别与比较放大器IC5的正输入端、比较放大器IC6的正输入端、比较放大器IC7的正输入端、比较放大器IC8的正输入端相连接，所述比较放大器IC5的输出端串接电阻R10后与比较放大器IC1的负输入端相连接，所述比较放大器IC6的输出端串接电阻R16后与比较放大器IC2的负输入端相连接，所述比较放大器IC7的输出端串接电阻R21后与比较放大器IC3的负输入端相连接，所述比较放大器IC8的输出端串接电阻R26后与比较放大器IC4的负输入端相连接；所述比较放大器IC5的负输入端与所述MOS开关管Q7的漏极之间连接LED灯珠串DL1，所述比较放大器IC6的负输入端与所述MOS开关管Q8的漏极之间连接LED灯珠串DL2，所述比较放大器IC7的负输入端与所述MOS开关管Q9的漏极之间连接LED灯珠串DL3，所述比较放大器IC8的负输入端与所述MOS开关管Q10的漏极之间连接LED灯珠串DL4。

图2为本实用新型LED驱动应用电路中相移控制芯片的内部具体电路结构示意图，所述相移控制芯片U2内部的具体电路结构包括14位二进制串行计数器IC9，Johnson计数器IC10，二输入端施密特触发器IC11、IC12，开关二极管D3、滑动变阻器RW1、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电容C4、电容C5以及双D触发器IC13~IC24；所述14位二进制串行计数器IC9的RST引脚接地，且所述14位二进制串行计数器IC9的RST引脚为相移控制芯片U2的R引脚；所述14位二进制串行计数器IC9的CIN引脚连接电阻R29的一端，所述14位二进制串行计数器IC9的COUT引脚连接电容C4的一端，所述14位二进制串行计数器IC9的引脚连接电阻R30的一端，所述电阻R29的另一端与电容C4的另一端，以及电阻R30的另一端相连接，所述14位二进制串行计数器IC9的Q4引脚分别与双D触发器IC13~IC24的时钟引脚CK相连接，所述14位二进制串行计数器IC9的Q7引脚与Johnson计数器IC10的CLK引脚相连接；

所述Johnson计数器IC10的引脚与Johnson计数器IC10的Q5引脚相连接，所述Johnson计数器IC10的RST引脚接地，所述Johnson计数器IC10的Q0引脚与二输入端施密特触发器IC11的第二输入引脚相连接，所述二输入端施密特触发器IC11的第一输入引脚为相移控制芯片U2的CK引脚；

所述二输入端施密特触发器IC11的输出引脚连接开关二极管D3的负极，所述开关二极管D3的正极与二输入端施密特触发器IC12的第一输入引脚和第二输入引脚相连接，同时所述开关二极管D3的正极串接电容C5后接地，所述滑动变阻器RW1的一端与电源VDD相连接，所述滑动变阻器RW1的另一端串接电阻R31后与开关二极管D3的正极相连接；

所述二输入端施密特触发器IC12的输出引脚即为相移控制芯片U2的T1引脚，且与双D触发器IC13的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC13~IC24的置位引脚S均接地，所述双D触发器IC13~IC23的复位引脚R均接地，所述双D触发器IC13的原码输出引脚Q与双D触发器IC14的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC14的原码输出引脚Q与双D触发器IC15的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC15的原码输出引脚Q与双D触发器IC16的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC16的原码输出引脚Q即为相移控制芯片U2的T2引脚，且与双D触发器IC17的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC17的原码输出引脚Q与双D触发器IC18的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC18的原码输出引脚Q与双D触发器IC19的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC19的原码输出引脚Q与双D触发器IC20的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC20的原码输出引脚Q即为相移控制芯片U2的T3引脚，且与双D触发器IC21的数据输入引脚D相连接；所述双D触发器IC21的原码输出引脚Q与双D触发器IC22的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC22的原码输出引脚Q与双D触发器IC23的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC23的原码输出引脚Q与双D触发器IC24的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC24的原码输出引脚Q即为相移控制芯片U2的T4引脚。

所述LED驱动应用电路的工作原理是：

Vin输入24V直流电源，部分电压通过外围电阻R3、R4、R5、R6直接加到LED灯珠串DL1、DL2、DL3、DL4的正极端上，LED灯珠串DL1、DL2、DL3、DL4的负极端分别与MOS开关管Q7、Q8、Q9、Q10的漏极连接，当MOS开关管Q7、Q8、Q9、Q10导通时，LED灯珠串DL1、DL2、DL3、DL4对应点亮；当MOS开关管开关管Q7、Q8、Q9、Q10截止时，LED灯珠串DL1、DL2、DL3、DL4对应熄灭。另一部分电压由电阻R2、二极管D1后产生12V的VCC电压提供基准电压单元，再经电阻R7、二极管D2产生5V的VDD电压提供给数字存储单元和相移控制单元。

PNP型三极管Q1、NPN型三极管Q2、电阻R1以及R14组成基准电压单元，基准电压单元分别为比较放大器IC1、比较放大器IC2、比较放大器IC3、比较放大器IC4的负输入端提供电压；在PWM引脚没有PWM信号输入时，NPN型三极管Q2基极高电位，PNP型三极管Q1的集电极有稳定电压输出，当PWM引脚有PWM信号时，NPN型三极管Q2的基极电压会受到控制，PNP型三极管Q1的集电极电压将随着PWM输入信号的变化而产生相应的变化，比较放大器IC1、比较放大器IC2、比较放大器IC3、比较放大器IC4的负输入端电压也随之变化，比较放大器IC1、比较放大器IC2、比较放大器IC3、比较放大器IC4的输出电压也对应发生变化。

数据存储芯片U1为串行电可擦写存储器，可从读写控制端SCL和数据输入端SDA反复写入数据并保存数据；通电后，由数据输入端SDA输出数据信号，经相移控制芯片U2进行数据处理和相位分配，分别控制三极管NPN型三极管Q3、NPN型三极管Q4、NPN型三极管Q5、NPN型三极管Q6的开启和关闭。数据存储芯片U1没有数据输出时，相移控制芯片U2的T1脉冲输出信号、T2脉冲输出信号、T3脉冲输出信号、T4脉冲输出信号均为高电位，NPN型三极管Q3、NPN型三极管Q4、NPN型三极管Q5、NPN型三极管Q6饱和导通，MOS开关管Q7、MOS开关管Q8、MOS开关管Q9、MOS开关管Q10的栅极电位下降而截止，LED灯珠串DL1、DL2、DL3、DL4没有电流通过而不亮；当数据存储芯片U1有数据输出时，相移控制芯片U2的T1脉冲输出信号、T2脉冲输出信号、T3脉冲输出信号、T4脉冲输出信号输出的电位受数据存储芯片U1输出数据的控制而变化，MOS开关管Q7、MOS开关管Q8、MOS开关管Q9、MOS开关管Q10的栅极电位亦随数据存储芯片U1数据的变化而产生变化。

电阻R3、比较放大器IC5、电阻R10、比较放大器IC1、电阻R11、MOS开关管Q7、电阻R12组成了对LED灯珠串DL1的恒流检控单元。当LED灯珠串DL1灯珠串串联的灯珠数量变化时，加在LED灯珠串DL1两端的总正向电压Vf值发生变化，例如DL1灯珠串串联的灯珠数量减少，加在LED灯珠串DL1两端的总正向电压Vf值减小，流过电阻R3的电流增加，电阻R3上的电压降增加，比较放大器IC5的输出电压上升，比较放大器IC1的负输入端电压上升，导致比较放大器IC1的输出电压下降，与电阻R11连接的MOS开关管Q7栅极电压下降，MOS开关管Q7漏源极电流降低，减小了流过DL1灯珠串的电流，从而减小了流过电阻R3的电流，电阻R3上的电压降下降，形成一个反馈，起到了对DL1灯珠串的恒流检控作用。同样道理，如果DL1灯珠串串联的灯珠数量增加，会将流过R3及的电流提升，电阻R3上的电压降上升。

电阻R4、比较放大器IC6、电阻R16、比较放大器IC2、电阻R17、MOS开关管Q8、电阻R18组成了对LED灯珠串DL2的恒流检控单元；电阻R5、比较放大器IC7、电阻R21、比较放大器IC3、电阻R22、MOS开关管Q9、电阻R23组成了对LED灯珠串DL3的恒流检控单元；电阻R6、比较放大器IC8、电阻R26、比较放大器IC4、电阻R27、MOS开关管Q10、电阻R28组成了对LED灯珠串DL4的恒流检控单元；上述恒流检控单元各自独立工作，分别驱动对应的外接LED灯珠串，互不干扰。

以上结合附图对本实用新型作了详细说明，但本实用新型不局限于所描述的实施方式。本实用新型的基本思路在于提供一种实现多组LED灯珠串独立恒流供电的驱动电路，使得并联的LED灯珠串的串与串之间互不干扰，且实现LED灯的间隙发光，降低LED灯结温，延长LED灯具的使用寿命；本实用新型提供的实施方式中仅示出能够实现4组灯珠串独立恒流供电的LED驱动应用电路，然而对于本领域的普通技术人员来说，根据本实用新型的教导，设计出能够实现4组以上的LED恒流驱动电路并不需要创造性的劳动。故在不脱离本实用新型的原理的情况下对这些实施方式进行的变化、修改、替换和变型仍落入本实用新型的保护范围内。

Claims (2)

1.一种LED驱动应用电路，其特征在于：所述驱动应用电路具体电路结构为：电阻R2的一端与电源Vin相连接，所述电阻R2的另一端分别与二极管D1的阴极、PNP型三极管Q1的发射极、电阻R14的一端以及电阻R7的一端相连接，所述二极管D1的阳极接地，所述电阻R7的另一端分别与二极管D2的阴极、数据存储芯片U1的VDD引脚和相移控制芯片U2的VDD引脚相连接，所述二极管D2的阳极、所述数据存储芯片U1的A0引脚、A1引脚、A2引脚、WP引脚、GND引脚以及所述相移控制芯片U2的R引脚以及GND引脚均接地；所述数据存储芯片U1的读写控制引脚SCL外接读写控制信号，所述数据存储芯片U1的数据输入引脚SDA外接数据输入信号，且连接至相移控制芯片U2的CK引脚；所述相移控制芯片U2的T1引脚与NPN型三极管Q3的基极相连接，所述相移控制芯片U2的T2引脚与NPN型三极管Q4的基极相连接，相移控制芯片U2的T3引脚与NPN型三极管Q5的基极相连接，相移控制芯片U2的T4引脚与NPN型三极管Q6的基极相连接；所述电阻R14的另一端分别与NPN型三极管Q2的基极和调光输入信号PWM相连接，所述NPN型三极管Q2的集电极连接电阻R1后与所述PNP型三极管Q1的基极相连接，所述PNP型三极管Q1的集电极分别与电阻R8、电阻R13、电阻R19以及电阻R24的一端相连接，所述电阻R8的另一端分别与电阻R9的一端和比较放大器IC1的负输入端相连接，所述电阻R13的另一端分别与电阻R15的一端和比较放大器IC2的负输入端相连接，所述电阻R19的另一端分别与电阻R20的一端和比较放大器IC3的负输入端相连接，所述电阻R24的另一端分别与电阻R25的一端和比较放大器IC4的负输入端相连接；所述比较放大器IC1的正输入端分别与MOS开关管Q7的源极和电阻R12的一端相连接，所述比较放大器IC2的正输入端分别与MOS开关管Q8的源极和电阻R18的一端相连接，所述比较放大器IC3的正输入端分别与MOS开关管Q9的源极和电阻R23的一端相连接，所述比较放大器IC4的正输入端分别与MOS开关管Q10的源极和电阻R28的一端相连接；所述比较放大器IC1的输出端与电阻R11的一端相连接，所述电阻R11的另一端分别与MOS开关管Q7的栅极和NPN型三极管Q3的集电极相连接，所述比较放大器IC2的输出端与电阻R17的一端相连接，所述电阻R17的另一端分别与MOS开关管Q8的栅极和NPN型三极管Q4的集电极相连接，所述比较放大器IC3的输出端与电阻R22的一端相连接，所述电阻R22的另一端分别与MOS开关管Q9的栅极和NPN型三极管Q5的集电极相连接，所述比较放大器IC4的输出端与电阻R27的一端相连接，所述电阻R27的另一端分别与MOS开关管Q10的栅极和NPN型三极管Q6的集电极相连接；所述NPN型三极管Q2的发射极、电阻R9的另一端、NPN型三极管Q3的发射极、电阻R12的另一端、电阻R15的另一端、NPN型三极管Q4的发射极、电阻R18的另一端、电阻R20的另一端、NPN型三极管Q5的发射极、电阻R23的另一端、电阻R25的另一端、NPN型三极管Q6的发射极、电阻R28的另一端接地；所述电源Vin分别与比较放大器IC5的正输入端、比较放大器IC6的正输入端、比较放大器IC7的正输入端、比较放大器IC8的正输入端相连接，所述比较放大器IC5的输出端串接电阻R10后与比较放大器IC1的负输入端相连接，所述比较放大器IC6的输出端串接电阻R16后与比较放大器IC2的负输入端相连接，所述比较放大器IC7的输出端串接电阻R21后与比较放大器IC3的负输入端相连接，所述比较放大器IC8的输出端串接电阻R26后与比较放大器IC4的负输入端相连接；所述比较放大器IC5的负输入端与所述MOS开关管Q7的漏极之间连接LED灯珠串DL1，所述比较放大器IC6的负输入端与所述MOS开关管Q8的漏极之间连接LED灯珠串DL2，所述比较放大器IC7的负输入端与所述MOS开关管Q9的漏极之间连接LED灯珠串DL3，所述比较放大器IC8的负输入端与所述MOS开关管Q10的漏极之间连接LED灯珠串DL4。

2.根据权利要求1所述的LED驱动应用电路，其特征在于：所述相移控制芯片U2内部的具体电路结构包括14位二进制串行计数器IC9，Johnson计数器IC10，二输入端施密特触发器IC11、IC12，开关二极管D3、滑动变阻器RW1、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电容C4、电容C5以及双D触发器IC13~IC24；所述14位二进制串行计数器IC9的RST引脚接地，且所述14位二进制串行计数器IC9的RST引脚为相移控制芯片U2的R引脚；所述14位二进制串行计数器IC9的CIN引脚连接电阻R29的一端，所述14位二进制串行计数器IC9的COUT引脚连接电容C4的一端，所述14位二进制串行计数器IC9的引脚连接电阻R30的一端，所述电阻R29的另一端与电容C4的另一端，以及电阻R30的另一端相连接，所述14位二进制串行计数器IC9的Q4引脚分别与双D触发器IC13~IC24的时钟引脚CK相连接，所述14位二进制串行计数器IC9的Q7引脚与Johnson计数器IC10的CLK引脚相连接；

所述Johnson计数器IC10的引脚与Johnson计数器IC10的Q5引脚相连接，所述Johnson计数器IC10的RST引脚接地，所述Johnson计数器IC10的Q0引脚与二输入端施密特触发器IC11的第二输入引脚相连接，所述二输入端施密特触发器IC11的第一输入引脚为相移控制芯片U2的CK引脚；

所述二输入端施密特触发器IC11的输出引脚连接开关二极管D3的负极，所述开关二极管D3的正极与二输入端施密特触发器IC12的第一输入引脚和第二输入引脚相连接，同时所述开关二极管D3的正极串接电容C5后接地，所述滑动变阻器RW1的一端与电源VDD相连接，所述滑动变阻器RW1的另一端串接电阻R31后与开关二极管D3的正极相连接；

所述二输入端施密特触发器IC12的输出引脚即为相移控制芯片U2的T1引脚，且与双D触发器IC13的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC13~IC24的置位引脚S均接地，所述双D触发器IC13~IC23的复位引脚R均接地，所述双D触发器IC13的原码输出引脚Q与双D触发器IC14的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC14的原码输出引脚Q与双D触发器IC15的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC15的原码输出引脚Q与双D触发器IC16的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC16的原码输出引脚Q即为相移控制芯片U2的T2引脚，且与双D触发器IC17的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC17的原码输出引脚Q与双D触发器IC18的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC18的原码输出引脚Q与双D触发器IC19的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC19的原码输出引脚Q与双D触发器IC20的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC20的原码输出引脚Q即为相移控制芯片U2的T3引脚，且与双D触发器IC21的数据输入引脚D相连接；所述双D触发器IC21的原码输出引脚Q与双D触发器IC22的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC22的原码输出引脚Q与双D触发器IC23的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC23的原码输出引脚Q与双D触发器IC24的数据输入引脚D相连接，所述双D触发器IC24的原码输出引脚Q即为相移控制芯片U2的T4引脚。