CN204836134U - 一种隔离驱动电路 - Google Patents

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王桂林
吴鑫林
陈晓军
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Quanzhou Quangang Senjie Electronic Technology Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种隔离驱动电路,包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电容C1、MOS管T1和三极管T2,二极管D1正极连接控制信号Vi,二极管D2正极连接三极管T4基极,三极管T4集电极分别连接电阻R1、电容C3和MOS管T1的G极,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电容C3另一端、电阻R2、三极管T2集电极、电容C1和电源VCC,电阻R2另一端分别连接三极管T2基极、三极管T3基极和MOS管T1的D极,MOS管T1的S极分别连接三极管T4发射极、三极管T3集电极和电容C2。本实用新型隔离驱动电路基于IGBT驱动,电路结构简单,成本低,体积小,非常适合使用于低成本的家用电器控制器中。

Description

一种隔离驱动电路
技术领域
本实用新型涉及一种驱动电路,具体是一种隔离驱动电路。
背景技术
根据不同的功能要求,可以选取不同的驱动电路,在有些重要的大电流或者是昂贵的电子设备中,我们可以选取专门的IGBT驱动及保护芯片,可靠性很高,但是在一些低成本,如家用电器中,这些驱动模块就变的不太实用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种低成本的、基于IGBT的隔离驱动电路,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种隔离驱动电路,包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电容C1、MOS管T1和三极管T2,所述二极管D1正极连接控制信号Vi,二极管D2正极连接三极管T4基极,三极管T4集电极分别连接电阻R1、电容C3和MOS管T1的G极,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电容C3另一端、电阻R2、三极管T2集电极、电容C1和电源VCC,电阻R2另一端分别连接三极管T2基极、三极管T3基极和MOS管T1的D极,MOS管T1的S极分别连接三极管T4发射极、三极管T3集电极和电容C2,电容C2另一端连接电容C1另一端并接地,所述三极管T2发射极分别连接三极管T3发射极和电阻R3,电阻R3另一端连接IGBT管的G极,IGBT管的E极接地,IGBT管的C极通过电阻R4连接输出端Vo。
作为本实用新型进一步的方案:所述二极管D1为红外发光二极管。
作为本实用新型再进一步的方案:所述二极管D2为光敏二极管。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型隔离驱动电路基于IGBT驱动,电路结构简单,成本低,体积小,非常适合使用于低成本的家用电器控制器中。
附图说明
图1为隔离驱动电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,本实用新型实施例中,一种隔离驱动电路,包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电容C1、MOS管T1和三极管T2,二极管D1正极连接控制信号Vi,二极管D2正极连接三极管T4基极,三极管T4集电极分别连接电阻R1、电容C3和MOS管T1的G极,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电容C3另一端、电阻R2、三极管T2集电极、电容C1和电源VCC,电阻R2另一端分别连接三极管T2基极、三极管T3基极和MOS管T1的D极,MOS管T1的S极分别连接三极管T4发射极、三极管T3集电极和电容C2,电容C2另一端连接电容C1另一端并接地,所述三极管T2发射极分别连接三极管T3发射极和电阻R3,电阻R3另一端连接IGBT管的G极,IGBT管的E极接地,IGBT管的C极通过电阻R4连接输出端Vo。
二极管D1为红外发光二极管。
二极管D2为光敏二极管。
本实用新型的工作原理是:请参阅图1,当控制信号Vi使发光二极管D1有电流流过时,光敏二极管D2导通,R1上有电流流过,MOS管T1关断,在电源VCC的作用下,经电阻R2、三极管T2的基极-发射极有了偏流,T2迅速导通,经电阻R3,IGBT管得到正偏而导通;当控制信号Vi没有脉冲电压时,发光二极管D1不发光,作用过程相反,T1导通使T3导通,电源VCC经栅极电阻R3加在IGBT管,使IGBT管迅速关断。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (3)

1.一种隔离驱动电路,包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电容C1、MOS管T1和三极管T2,其特征在于,所述二极管D1正极连接控制信号Vi,二极管D2正极连接三极管T4基极,三极管T4集电极分别连接电阻R1、电容C3和MOS管T1的G极,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电容C3另一端、电阻R2、三极管T2集电极、电容C1和电源VCC,电阻R2另一端分别连接三极管T2基极、三极管T3基极和MOS管T1的D极,MOS管T1的S极分别连接三极管T4发射极、三极管T3集电极和电容C2,电容C2另一端连接电容C1另一端并接地,所述三极管T2发射极分别连接三极管T3发射极和电阻R3,电阻R3另一端连接IGBT管的G极,IGBT管的E极接地,IGBT管的C极通过电阻R4连接输出端Vo。
2.根据权利要求1所述的隔离驱动电路,其特征在于,所述二极管D1为红外发光二极管。
3.根据权利要求1所述的隔离驱动电路,其特征在于,所述二极管D2为光敏二极管。
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